超导临界温度理论(Ⅰ)

本文求出了Eliashberg方程在T=T_c时的解,得到了下面的临界温度级数表示式: 其中α₀(μ^*),α₁(μ^*)等系数是μ^*的函数.此式表明,T_c不仅依赖于λ,〈ω²〉和μ^*,而且依赖于有效声子谱α²F(ω)的各级矩〈ω²n〉.这是区别于前人的T_c公式最重要的一点。这说明像McMillan以及Allen和Dynes的T_c公式不仅是近似的,而主要是他们没有能正确地概括出α²F(ω)对T_c的影响.     

TI基高温超导单晶的生长与研究 *

在计算机控制的封闭式单晶生长炉内,采用自助熔剂法生长出最大尺寸2.0mm×2.0mm×O.3mm,典型尺寸1.0mm×1.0mm×O.1mm的TI-2223,TI-2212单晶,T_c分别达到119 K和110 K.TI的含量对晶体生长的大小、相的形成及T_c均有重要影响.TI-2212单晶的交流磁化率的虚部峰值温度 T_p和外场 H_D 的关系为(1-T_p/T_c)∝H_D^0.71(H_D//C轴)TI-2223单晶可见光区的光反射谱存在强烈的各向异性.     

溅射Nb-Ge膜中高TcA15相的形成规律

我们发现高超导转变温度T_c(23K)的溅射Nb-Ge膜,都含有一定量的Nb₅Ge₃相,且Nb/Ge<3。对一般样品,用感应法所测的T_c都低于电阻法所测结果约1—2K,T_c≥22K的量在样品中所占的比例相对来说都比较小。对于只含A15相的薄膜,更显示出具有几个台阶宽的转变曲线,高T_c相含量很少;而对于含有A15相和一定量Nb₅Ge₃相的薄膜,感应法测量结果是一个较陡且光滑的转变曲线。电子显微镜观察呈现出Nb₅Ge₃和A15相的有趣的分布。这些结果对于我们以前提出的Nb₅Ge₃相对高T_cA15相有稳定作用的观点是一个进一步的证明。     

γ-辐照结晶聚合物的表征——用Tc表征某些聚合物的辐射交联

本工作发现,用DSC测定从熔体等速降温时辐照样品的结晶温度T_c随辐照剂量R增加而线性变低,即辐照前后样品的△T_c=T_co-T_cR=KR。依据Charlesby-Pinner方程,导出一新关系式,S+S^1/2=A+B/△T_c。已经证明,式中的T_c只与聚合物的交联度有关,与辐射交联方法和过程无关。因此,该方程可用于结晶聚合物的强化辐射交联,以获得非无规交联的瞬时G(c,1)值。本文为定量研究结晶聚合物的无规交联与非无规交联提供了一个简便的方法。     

决定超导临界温度的主要参量和超导体新分类

文中建议:把超导体分成A型和B型两类,前者,λ<∧;后者,λ>∧,其中1/∧是T_c级数解的收敛半径。本文分析表明了,有效声子谱对这两类超导体T_c的影响是不同的,因而决定它们T_c的主要参量以及提高T_c的方法也都不一样,决定A型超导体T_c的主要参量是λ,决定B型的是λ,因此,提高A型超导体T_c的最有效方法是增大λ;提高B型的是增大λ,本文还对T_c实验数据进行了分析,得到和上述结论相符合的结果。     

A位离子替代对(LaCa)MnO3材料磁转变温度的影响 *

测量了(La_1-xR_x) _{2 /3} MnO₃ (其中R代表Ce ,Pr,Nd等稀土离子)和La_{2 /3}(Ca_1-yCd_y) _1/3 MnO₃ 两组铁磁性巨磁阻材料的磁转变温度 .结果发现 ,尽管在(La_1-xR_x) _{2 /3} MnO₃ 材料中其A位平均离子半径恒定 ,但居里温度T_C 存在明显的差别 ;而在La_{2 /3}(Ca_1-yCd_y) _1/3 MnO₃ 系列中虽然随Cd的替代量的增加 ,A位平均离子半径略有下降 ,T_C 却增加 .A位离子的局域磁矩对磁转变温度可能有较大的影响 .     

超导临界温度理论(Ⅲ)

本文给出文献[1]导出的T_c级数的前几个系数,用我们的级数公式计算了超导临界温度T_c,并且与Allen-Dynes公式和Eliashberg方程的数值解作了比较,结果表明,当级数收敛时,用级数公式求出的超导临界温度T_c较Allen-Dynes公式更接近于数值解结果,此外文中还给出了估计T_c级数收敛半径的一个方法。     

YBCO中微结构对Jc的影响及机制

本文揭示了YBa₂Cu₃O_7-x超导陶瓷材料中微结构特征参量与临界电流密度(J_c)以及Cu-O面行为之间的关系.实验用3个样品的T_c均为90K,但他们的J_c分别为30,300和2000A/cm².结果表明,l/w≥3晶粒数,含畴晶粒数和平直晶界数这3个微结构特征参量,在YBCO超导材料中起着重要作用.研究结果还表明,这些微结构特征参量与结构中二维Cu-O面的行为密切相关,并且也是解释微结构影响J_c原因的关键.     

三矩阵乘积的(T,S,2)-逆的反序律

矩阵A的(T,S,2)-逆是指适合XAX=X,R(X)=T和N(X)=S的矩阵X,以矩阵的秩为工具,本文研究了三矩阵乘积的(T,S,2)-逆的反序律,给出了(ABC)_(T4,S4)⁽²⁾=C_(T3,S3)⁽²⁾B_(T2,S2)⁽²⁾A_(T1,S1)⁽²⁾的充要条件。     

金属型非晶态InSb膜的相变和超导电性

本文利用低温蒸发凝聚技术,第一次获得了金属型非晶态InSb膜,它形成的条件是凝聚底板的温度低于120K。金属型非晶态InSb膜在凝聚温度下发生自发的第一电导跃变,样品由类液非晶态弛豫到类点阵非晶态.当退火温度T_α达到200K左右时,发生结晶相变,即第二电导跃变,并在210K达到电导峰值,形成层状结构的结晶金属相。当T_α继续升高时,这个亚稳金属相逐渐转变成结晶半导体相。实验发现金属型非晶态InSb是个超导体,其超导T_c因底板温度的不同而改变;第二电导峰值对应的亚稳结晶金属相也是一个超导相,其T_c=4.18K;在由结晶金属相向结晶半导体相逐渐转交过程中,超导相的T_c逐渐降低,转变宽度△T_c显著增加,并在T_α达到某一温度以后出现超导相变反常。     

一个与Wiener过程增量连续模有关的下极限收敛速度问题

设W(t),t≥0为标准Wiener过程,α_T为T的函数且0<α_T≤T,lim_T→∞ log(T/α_T)/loglogT=r,本文证明了 c₁(r/(1+r))^1/2≤liminf_T→∞(loglogT)^1/2max_αT≤t≤T|W(T)-W(T-t)|/{2t[log(T/t)+loglogt]}^1/2≤c₂(r/(1+r))^1/2,a.s,这儿c₁和c₂为正常数。     

n × n 上三角算子矩阵的单值扩张性以及应用*

设X_i是无穷维复Banach空间, L(X_j,X_i)是X_j到X_i上的有界线性算子全体.考虑 n × n 上三角算子矩阵T=(T_ij)_1≤j≤n, 其中T_ij L(X_j,X_i),1≤j≤n; T_ij=0, i>j.本文研究了T的单值扩张性, 通过考察集合S(T)={λ∈C}: T在点λ没有SVEP},证明了S(T)在i=1 ? nS(T_i)中退化,进而给出等式S(T)=i=1 ? n S(T_i)成立的条件. 同时, 考察了T的单值扩张性扰动,得到了S(T)保持对角稳定时T_i所需的条件并予以证明, 同时举例说明这些条件的合理性.最后, 给出单值扩张性关于谱σ(T)和局部谱σT (x)的应用, 得到了谱扰动和局部谱扰动不变的新条件.     

超导临界温度理论(Ⅱ)

在文献[1]中,我们导出了超导临界温度T-c的一个严格级数表式.本文讨论这个级数的收敛范围,以及通过解析延拓来扩展收敛范围的可能性.结论是:我们的T_c级数(指文献[1]原来的级数,或者经过延拓后的级数)在∞>λ>λ₀的整个范围内,都是收敛的.这里λ₀是Matsubara表象中使决定T_c的方程具有正实数解的最小的λ值.它实际上就是库伦赝势.因此,也许除了少数非常弱耦合的超导体以外,我们的T_c级数能适用于一切超导体.     

(BaxY1-x)CuO3-y系统的超导电性

本文系统地分析了组份和制备条件(包括热处理温度、时间等)对超导氧化物(Ba_xY_1-x)CuO_3-y正常态电子输运特性和超导临界温度的影响。在x=0-0.55的组份范围内,系统经历了从半导体(绝缘体)到金属(超导体)的转变;随着组份x的增大,超导临界温度T_c单调上升。结合物相分析的结果,对该系统的高温超导电性机制和正常态输运特性作了讨论。     

k维Piatetski-Shapiro素数定理 *

研究了k(≥3)维的Piatetski Shapiro素数定理 .令π(x;c₁,… ,c_k)表示不超过x且具有形式 [n^c₁1]=… =[n^c_kk]的素数个数 ( 1 k- (k/( 4k²+2 ) )时 ,π(x;c₁,… ,c_k)具有渐近公式 .     

金属基底上离子束辅助法生长高温超导薄膜

用离子束辅助的脉冲激光法,在多晶的金属基底上制备出了较高质量的具有双轴取向的钇稳定氧化锆(YSZ)缓冲层,缓冲层的平面内取向的最小半高宽为19°,垂直于膜面的取向的最小半高宽为4.5°.在其上外延生长的YBCO高温超导膜的临界电流J_c为2.1×10⁵A/cm²,临界转变温度T_c为90K.在优化沉积参数时发现了一些未曾报道的新现象,并分析了其原因.     

四方结构钙钛矿型化合物La1-xSrxMnO3的电磁特性

应用高压热处理得到了四方结构的La_1-xSr_xMnO₃ (x =0 .1 5～0 .3)化合物 ,该四方相化合物与通常的菱方相化合物在电磁特性方面有很大的不同 ,它们的非金属 金属转变温度T_c 比相应的菱方相样品降低了很多 ,此外还发现 ,当温度足够低时 ,局域Mn离子的长程铁磁序将转变为只有短程序结构的自旋玻璃态 ,上述变化是由四方结构中Mn—O键的拉长所引起的     

金属Ni的电子结构及物理性质

本文依据单原子状态法确定金属Ni的电子结构[Ar](3d_n)^2.69(3d_m)^0.66(3d_c)^5.24(4s_c)^0.25(4s_f)^1.16,计算了势能曲线、晶格常数、结合能、原子磁矩、各种弹性模量、线热膨胀系数和比热随温度的变化。     

对合的分解

Using the notion of biconnected sum we define the biconnected sum (T₁, M₁)§(T₂,M₂) of two involutions (T1M1) and (T2,M2) which is an involution on the biconnected sum M₁,§M₂. A connected involution is said to be reducible if it can be expressed as a biconnected sum of two connected involutions.Theorem Each connected involution (T, M) can be decomposed into a bi-connected sum of connected irreducible involutions (T, M)=(T₁, M₁)§…§(T_q,M_q),and (?) where the coefficients of H_{n_1}(M) are in Z/2 Z if M is unoriented, in Z if is oriented .     

p-adic 域上的拟微分算子

本文研究p-adic 域Q_p 上的一类拟微分算子{T^α : α∈R}, 其中算子T^α 在Q_p 的检验函数空 间S(Q_p) 以及相应的分布空间S′(Q_p) 中作为一个运算是封闭的. 本文构造了算子T^α 的卷积核, 指 出算子与其卷积核在解决p-adic 域上的相关问题中所起的重要作用. 最后研究算子T^α 的谱性质, 构 造了算子T^α 的全体固有值与固有函数, 并证明全体固有函数所成的集合组成L²(Q_p) 空间中的一组 完整正交基.