磁场对微波感应台阶高度的影响

本文提出了微波感应台阶现象的改进理论。在此基础上,详细研究了外磁场和微波功率对微波感应台阶高度的影响。理论预言和已有的实验事实是符台的。     

过渡金属的超导电理论

1.实验证明,过渡族超导体的很多性质可以在BCS理论中获得解释,只要形式上把BCS理论中的N(0)理解成Fermi能级处s带和d带态密度之和。这些性质有:比热,临界磁场,能隙等。 过渡金属的特点是s带和d带重迭,Fermi能级位于s带和d带之中。过渡金属的很多性质和这个特点有关。Suhl,Matthias和Walker把BCS理论推广到重迭能带的情形,企图给出较为合理的过渡金属超导电理论。在二能带模型的基础上,BCS哈密顿量推广成     

La2CuO4在平行CuO2面磁场中的磁转变

本文在平均场近似下,给出一个关于在平行CuO₂面的磁场作用下,La₂CuO₄的磁转变理论。理论给出的临界磁场随温度T的变化,在定性上与实验相符。但是,从本文理论看,不存在多重临界点。简单讨论了理论和实验不符合的原因。 关键词：     

McMillan T_c公式的解析推导(Ⅱ) μ~*≠0情形

本文把文献[1]的理论以及所得到的T_c公式推广到μ≠0情形,得到 T_c=2r/πω_(log)·(ω_(log)/ω_c)~μ/(λ-μ)·exp{-(1 λ)/(λ-μ)}.nγ=C=0.5772是Euler常数。     

一个新的Tc公式

从Eliashberg方程导出了一个适用于λ小的超导体的T_c公式。 关键词：     

理想第二类超导薄膜的纵场临界电流

本文分析了一个在纵向磁场H_e中,载流的理想第二类超导薄膜(ξ(T)《d≤λ(T))的混合态结构。指出,只有当H_e>(H_c1)(d)时,超导膜的混合态才具有无阻负载电流的能力。本文得到的纵场临界电流曲线具有复杂的结构,并且一般均呈现峰值效应。Heaton及Rose-Innes测得的Nb₅₅Ta₄₅合金的I_c-H_e曲线和d>5λ时的理论曲线相比较,在主要特征上是相同的。 关键词：     

T_c—λ曲线

本文指出了,T_c-λ曲线是由性质完全不同的“McMillan区域”、“λ~(1.55)区域”和“级数解”三个部分组成的。     

Kubo线性输运系数公式

在这篇短文中,作者对霍裕平等和陈式刚在文[1]—[4]中,提出的和争论的问题,陈述一些不同的看法。 关键词：     

合金薄膜的临界磁场

本文把文献[2]的理论推广到含有杂质的超导薄膜情形,得出合金薄膜的二极相变临界磁场。本文得到的结果,在2d》ξ₀而l任意时,或者2d《ξ₀而l<<2d时,趋于Гинэбург-Ландау理论;在2d<ξ₀而l>2d时,与Гинэбург-Ландау理论不同(l是杂质所决定的电子平均自由程)。理论符合Blumbers实验。     

A型超导体的近似临界温度公式(Ⅰ)μ~*=0情形

本文用数值解方法从Eliashberg方程计算出超导临界温度T_c,并考察T_c对有效声子谱的依赖关系。在这个研究中,a~2F(ω)被取为双δ函数谱,并允许其中的谱参数可以在很宽范围内改变。作者发现在λ<∧区域(即在T_c级数解的收敛圆外),T_c除了依赖λ和矩比外,还依赖T_c级数解的收敛半径倒数Λ;它们之间的关系是有规律的。在这些结果的启示下,本文在μ=0情形,用弥合数值解的方法得到一个适用于λ<Λ区域的T_c近似公式。 接着,本文作者对吉光达和吴杭生的一篇文章进行了研究,指出:该文提出的超导体分类建议及其工作的主要结论是对的。但其中对决定A型超导体临界温度主要参量问题进行的分析,只适用于这样一些A型超导体,它们的收敛半径倒数Λ或者比λ_0小,或者虽比λ_0大、但λ又小于λ_0,其中λ_0是个依赖谱形状的参量,它的定义在正文中给出。对另一些A型超导体(λ_0<λ<Λ),决定T_c的主要参量不再是λ,而是δ=1/∧~(0.5)(_(1/2)/ω_(log))~(5.5)λ~(1.55)。