金属氢化物LaNi4.5Mn0.5Hx的热中子非弹性散射谱

本文报道了用铍过滤探测器谱仪对LaNi_4.5Mn_0.5H_x在三种不同氢含量时测量的中子非弹性散射谱。结果表明,Mn原子部分置换LaNi₅中的Ni原子后,使M—H键增强,当x=6时,高能段的第二、三振动峰分别向高频方向位移了6meV和10meV。该结果与LaNi_4.5Mn_0.5H_x的平台压力(P-C-T等温线)下降的宏观热力学性能相一致。 关键词：     

Y1-xPrxBa2Cu3O7+δ的红外反射谱

测量了温度范围为4.2—300K的Y_1-xPr_xBa₂Cu₃O_7+δ(x=0,0.1,0.2,0.4,0.5,0.61.0)的红外反射谱,发现在低温下Ba模有双模行为,随着x值增大双模强度反转,在YBa₂Cu₃O_7+δ中已被判定为Y模的位于194cm^-1的反射峰的位置与Pr的含量无关,即用Pr部份或全部替代Y时此峰不发生频移。建议Pr在Y_1-xPr_xBa₂Cu₃O_7+δ,中是正4价,Pr的替代使原来可移动的空穴被定域在Pr的周围,使超导电性受到压制。 关键词：     

Fe3Si在低温下的自旋波研究

用中子相干非弹性散射测量了Fe₃Si在14K的自旋波色散关系。从自旋波二次方色散关系得到低温下自旋波劲度系数D₀=270meV·?²。用Heisenberg模型可进一步导出Fe₃Si的有效交换积分J_eff。从磁化强度的温度依赖关系也获得了一个自旋波劲度系数D_m(O)。从两种不同方法获得的劲度系数的比较中发现在Fe₃Si中可能存在着Stoner激发,与早先工作相联系,本文还给出了从14K直到居里温度自旋波劲度系数D的温度依赖关系。 关键词：     

填充式方钴矿化合物CeOs4Sb12近藤相互作用的非弹性中子散射研究

CeOs₄Sb₁₂晶体中由于导电电子与Ce³⁺ 4f¹电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs₄Sb₁₂物理性质，如近藤绝缘体行为、Ce³⁺磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs₄Sb₁₂进行测量时，可以得到不同温度下CeOs₄Sb₁₂的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs₄Sb₁₂中存在近藤相互作用，其作用强度为3.1 meV，证实了CeOs₄Sb₁₂为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs₄Sb₁₂德拜温度为317 K. 关键词： 非弹性中子散射 填充式方钴矿 近藤绝缘体     

氢化锆(ZrH1.7)和钯氢(PdH0.7)光学声子的温度效应

在本院重水堆旁的铍过滤探测器中子非弹性散射谱仪上,对氢化锆(ZrH_1.7)(含碳0.2％)和钯氢(PdH_0.7)两种金属氢化物在室温和低温(97K)两种温度下,分别测定了光学声子能谱。结果表明:氢化锆的光学声子能级是等间距的,能级宽度基本上不随温度变化,即光学声子的非谐性是微弱的,较好地遵从爱因斯坦的谐振模型;而钯氢的第二个光学声子能级间距大于第一个能级间距约8meV,并且光学声子能级的宽度从室温下的38meV变化到低温(97K)下的20meV,这表明对钯氢的超导性起决定作用的光学声子,存在较明显的非谐性。 关键词：     

非晶态Fe13Ni67.2P4.5B15.3合金的临界现象

本文报道非晶态Fe₁₃Ni_67.2P_4.5B_15.3合金的磁化强度与温度和磁场关系的测量结果。在居里温度附近样品的磁特性符合二级相变规律,得到临界指数β=0.39±0.02,γ=1.56±0.06,δ=5.20±0.1,样品的居里温度T_c=(180.4±0.2)K。在实验误差范围内,临界指数β,γ,δ满足γ=β(δ-1)关系,在168—192K温度范围,实验数据满足二级相变的磁状态方程。当T>270K时,样品顺磁磁化率服从居里-外斯定律,由居里-外斯常数c计算出有效顺磁磁矩P_eff=3.19 μ_B。 关键词：     

金属氢化物LaNi_(4.5)Mn_(0.5)H_x的热中子非弹性散射谱

本文报道了用铍过滤探测器谱仪对LaNi_(4.5)Mn_(0.5)H_x在三种不同氢含量时测量的中子非弹性散射谱。结果表明,Mn原子部分置换LaNi_5中的Ni原子后,使M—H键增强,当x=6时,高能段的第二、三振动峰分别向高频方向位移了6meV和10meV。该结果与LaNi_(4.5)Mn_(0.5)H_x的平台压力(P-C-T等温线)下降的宏观热力学性能相一致。     

Yba2Cu3O7-δ不可逆线与钉扎势的关联

本文分别测量了熔融织构YBa₂Cu₃O_7-δ高温超导体不可逆线与钉扎势U₀,发现该样品的不可逆线在温区72—85K范围内呈指数形式B^*-e^(-T*/T_c)函数关系,而且在温度77K,不可逆线并不能与磁测量临界电流密度J_c=0相对应,我们认为高温超导体的不可逆线的函数形式与样品的钉扎势紧密关联。 关键词：     

Nd1.85Ce0.15CuO4－δ单晶c-轴方向电阻的低场行为

采用自助熔剂缓冷法成功地生长出了Nd_1.85Ce_{0. 15}CuO_4-δ单晶，其零场下零电阻温度约为21K. 在0—0.5T范围内分别测量了磁场平行和垂直样品表面的电阻转变曲线以及0.5T不同角度下的电阻转变曲线. 结果显示磁场平行和垂直样品表面时的转变温度T_p随磁场的变化均服从H=H₀(1-T_p(h)/T_p(0))²关系. 0.5T 关键词： 1.85Ce_0.15CuO_4-δ单晶')" href="#">Nd_1.85Ce_0.15CuO_4-δ单晶 输运性质     

甲基胺溴化铅晶体粉末的温度依赖光致发光

采用稳态光致发光(PL)光谱技术,结合光谱学分析方法,对CH₃NH₃PbBr₃(MAPbBr₃)晶体粉末的功率密度和温度相关的光物理特性进行了研究。在405 nm连续激光激发下,PL发射峰位在560 nm,半高全宽为123 meV。光谱实验结果表明,通过对功率密度与PL强度进行拟合,其斜率为1.10,这很好地证明了单光子吸收的存在。在80～310 K温度范围内,MAPbBr₃晶体粉末的荧光峰位表现出不同的温度依赖行为。随着温度的升高,激子-声子相互作用的增强,峰宽均匀展宽,积分强度逐渐减小。PL发射峰位在80～145 K出现蓝移。在150 K附近PL发射峰出现跳跃,而当温度超过150 K时,光谱的峰位几乎保持不变。这些温度相关的PL行为主要是由于在150 K左右发生了从正交相到四方相的结构相变。此外,从温度相关的PL实验数据拟合得到激子结合能约为49.8 meV和纵向光学声子能量约为60.4 meV。     

纳米多晶La0.7Sr0.3MnO3－δ的输运性质和磁电阻效应研究

利用溶胶-凝胶法制备了纳米多晶La_0.7Sr_0.3MnO_3-δ(LSM)块体样品.详细研究了在不同烧结温度下的LSM样品电阻率随测量温度的变化关系和磁电阻效应.随着测量温度从室温降低,电阻率ρ都在250K附近存在最大值,低于该温度后,样品表现为金属导电特性,随后在50K左右存在一极小值.即随着温度从50K左右降低到4.2K,ρ反而逐渐升高,表现为绝缘体性的导电特性.研究表明,在低温下(<50K),ρ随温度降低而升高的现象与隧穿效应的理论模型(lnρ∝T^1/2)符合得很好,表明这种现象是由于传导电子在通过邻近LSM晶粒间表面/界面层时的隧道效应所致.而在50—250K的温度范围内,其电阻率与T²成正比,表现为LSM本征的金属导电特性.因此这种低温下电阻率的极小值现象来源于隧穿效应和LSM晶粒本征的金属导电特性的相互竞争.本文还详细研究了相应的隧道磁电阻效应. 关键词： 0.7Sr_0.3MnO_3-δ')" href="#">多晶La_0.7Sr_0.3MnO_3-δ 隧道效应 隧道磁电阻效应     

K3Ba3C60在不同温度下的Raman光谱研究

研究了K₃Ba₃C₆₀在不同温度下的Raman光谱.发现Raman光谱随温度的变化发生有规律的变化.随着温度的降低,所有模的线宽和强度的变化情况与纯的C₆₀的情况明显不同.径向Ag(2)模的频率在20K到室温之间有一个反常大的向高频漂移(9cm^-1),这表明在C₆₀分子和掺杂离子之间存在着轨道杂化.另外Raman光谱中Ag(1)模两个分量的相对强度随着温度的降低发生有规律的变化. 关键词： 高频漂移 轨道杂化     

高效率Be过滤探测器中子非弹性散射谱仪

在中国原子能科学研究院重水堆水平孔道旁,建立了高效率的Be过滤探测器中子非弹性散射谱仪,首次研制了具有宽的接受角(～30°)和聚焦安排的新型Be过滤器,使探测效率提高3倍以上,同时也克服了一般Be过滤谱仪在低能段相干散射的影响.本谱仪还通过具有特殊取向的Ge单色器的不同晶面的自动转向,拓宽了测量的能量范围(10—400meV),并有较好的能量分辨率(4%—9%).在此谱仪上对ZrH_1.6和PdH_0.58的光学振动模以及高Tc超导材料YBa₂ Cu₃ O_6+x的全频谱进行了测试,观察出奇异的结构峰、高频模和反常的散射强度,表明本谱仪不仅效率高而且还具有优良的物理性能,可以在中等通量水平的反应堆上开展广泛的热中子非弹性散射研究.     

NdBa2Cu3O7-δ/YBa2Cu3O7-δ多层膜体系的外延结构和磁通钉扎的研究

采用脉冲激光沉积技术,在单晶SrTiO₃基底上外延生长了一系列名义结构为p×(NdBa₂Cu₃O_7-δ(m)/YBa₂Cu₃O_7-δ(n))的多层膜和准多层膜(单元层NdBa₂Cu₃O_7-δ较厚而YBa₂Cu₃O_7-δ呈非连贯的岛状分布,m,n为激光脉冲数,p为重复周期).样品的超导转变温度在87—91 K范围,具体大小取决于不同的调制结构,多层膜的重复周期越大,层状界面越多,超导转变温度就越低.磁传输测量表明,准多层的样品不仅具有较高的超导转变温度,而且具有较强的磁通钉扎性能,77K零场下的临界电流密度高达4×10⁶ A/cm²,显示出良好的应用前景. 关键词： 2Cu₃O_7-δ')" href="#">NdBa₂Cu₃O_7-δ 多层膜 磁通钉扎 临界电流密度     

Ne-HF体系的相互作用势及散射截面的密耦计算

利用非线性最小二乘法拟合在CCSD(T)/aug-cc-pVQZ理论水平下计算的相互作用能,得到了基态Ne-HF体系相互作用势的解析表达式.基于拟合的CCSD(T)势,通过密耦计算得到了入射能量分别为60,75,100和150meV 时,Ne-HF散射的微分截面和分波截面,详细讨论了散射截面随能量的变化趋势以及态-态激发截面对总非弹性散射截面的影响. 关键词： 相互作用势 散射截面 密耦计算 Ne-HF体系     

非中心对称超导体Mg10±δIr19B16?δ的超导电性研究

Mg_10±δIr₁₉B_16δ是具有非中心对称性的超导材料. 通过对两种组分的样品Mg_9.3Ir₁₉B_16.7和Mg₁₁Ir₁₉B₁₅的比热测量, 得到了这类超导体的超导态和正常态的特征参数：包括转变温度T_C, 正常态态密度N(E_F), 德拜温度Θ_D, 上临界场H_C2等. 并由此求出Ginzburg-London相干长度ξ_GL, 穿透深度λ_GL, 下临界场H_C1和热力学临界场H_C. 这些参数因化学组分不同而变化. 高的N(E_F)和Θ_D对应高的T_C, 因此也具有较高的H_C2. 另外比热跃变ΔC/γ_nT_C=1.66 和电声子耦合常数λ=0.58不随化学组分变化, 表明此超导体是中等强度耦合的第二类超导体. 关键词： 非中心对称超导体 比热     

γ-LiAlO2上a面ZnO薄膜的光谱特性研究

利用激光脉冲沉积(PLD)技术在(302)γ-LiAlO₂衬底上成功生长了非极性的a面(1120)ZnO薄膜,光致发光谱(PL)带边发射峰半峰宽仅为115meV.研究了非极性ZnO薄膜光谱特性的面内各向异性,发现随着入射光偏振方向改变,在偏振透射光谱上,吸收边移动了20meV,这与A、B激子和C激子的能量差一致;而在拉曼光谱上,激发光偏振方向的改变导致E₂模式的强度发生明显改变. 关键词： 非极性ZnO 2')" href="#">γ-LiAlO₂ PLD     

Y3Fe5-xMnxO12的磁结构和磁性能

对多晶Y₃Fe₃Fe_5-xMn_xO₁₂(x=0.05和0.09),得到300K下的中子衍射曲线。发现当x=0.05时,Mn³⁺离子占据16a和24d位置的几率分别为0.72和0.28;当x=0.09时,Mn³⁺离子全部占据16a位置;还得到两种组分16a和24d位置各自的磁矩值。在外磁场(800—10KOe)下测量Y₃Fe_5-xMn_xO₁₂(x=0—0.11)的磁化曲线,温度范围是1.5—300K。得到饱和磁矩值;并利用趋近饱和定律确定1.5K下的磁晶各向异性常数k₁值,发现|k₁|值随含锰量增加而减小。 关键词：     

TixY1-xBa2Cu3O7-δ超导体的红外、远红外光谱

本文报道了Ti_xY_1-xBa₂Cu₃O_7-δ(x=0.2和0.4)在4.2—300K的红外、远红外光谱。在50—360cm^-1波段内发现七个反射峰。它们分别与Ba,Cu,O离子团,Y,O离子团。Ti,O离子团,以及Cu—O键的振动有关,对于x=0.2的样品,存在两个反转结构。对于x=0.4的样品,则仅发现一个反转结构。在红外光谱中观察到六个反对峰和三个吸收峰,它们的强度大多随Ti含量的增加而增强。与Y₁Ba₂Cu₃O_7-δ的光谱结果比校,讨论了声子峰及反转结构的物理起因。 关键词：     

β-Zn4Sb3/Zn1-δAlδO复合材料的制备及热电性能研究

采用真空熔融淬火结合放电等离子烧结工艺制备了单相β-Zn₄Sb₃以及β-Zn₄Sb₃/Zn_1-δAl_δO复合热电材料,其中第二相Zn_1-δAl_δO(AZO)的含量分别为0.2 wt%,0.4 wt%和0.7 wt%.对材料的相组成和微结构进行了表征,并在300—673 K的温度 关键词： 4Sb₃')" href="#">β-Zn₄Sb₃ 1-δAl_δO')" href="#">Zn_1-δAl_δO 复合材料 热电性能