FNR-Ⅰ核磁共振波谱仪

基于自旋回波的原理研制成功了一台专用于分析磁性材料的核磁共振波谱仪。其工作频率为25-80MHz;输出功率10W,可用它在77-300°k范围测量铁磁材料的共振谱线,增强因数和自旋-自旋弛豫时间T₂;它也可用于测量非磁性固体的宽核磁共振谱线。     

外加磁场对Co纳米线生长过程的影响

关键词：     

Role of defects in magnetic properties of Fe-doped SnO2 films fabricated by the Sol--Gel method

This paper obtains the room temperature ferromagnetism in Sn1 xFexO2 films fabricated by the Sol-Gel method.X-ray diffraction results show that Fe doping inhibits the growth of SnO2 and Fe3+ ions occupy the Sn sites.The measurement of resistance excludes the free carrier inducing ferromagnetism.Moreover,the temperature dependence of magnetization has been better fitted by the Curie-Weiss law and bound magnetic polaron(BMP) theory.An enhancement of ferromagnetism is achieved by annealing the samples with x = 7.1% in H2,and a decrease of oxygen flow rate.All these results prove that the BMP model depending on defects can explain ferromagnetism in diluted magnetic oxides.     

技术磁化理论的可贵参考书──简评钟文定著《铁磁学》中册

钟文定所编《铁磁学》中册的出版,给大专院校的《铁磁学》课程及有关的科技人员提供了一本可贵的参考书.此书将有力地推动我国磁学和磁性材料学科的发展. 铁磁学是研究强磁性物质磁性起源、磁化机制、磁化过程及其对外界条件(如温度、压力等)的依从性规律的学科.由于磁性现象的复杂性,要将磁性材料的研究结果系统化并上升为规律性的认识是件比较困难的工作.各国学者为此进行了长期的努力.E.Kneller的“Fe-rromagnetismus”(1962),S.Chikazumi 的 “ Physics　of Magnetism”(1964),A.H.Mo-rrish的“The Physical Principles of Magne-…     

不连续Co/SiO2多层膜的结构及其输运性质的研究

用射频磁控溅射方法制备了系列Co/SiO2不连续磁性金属绝缘体多层膜（DMIM） .经研究发现：对［SiO2(2.4 nm)/Co(t)］20体系，在Co层厚度小于2.5 nm时，Co层由连续变为不连续；Co层不连续时，其导电机理为热激发的电子隧穿导电，lnR与T-1/2接近正比关系; 隧道磁电阻（TMR）在Co层厚度为1.4 nm时出现极大值-3%.DMIM 的性质 不仅与磁性金属层厚度密切相关，而且与绝缘层厚度有密切的关系.在固定Co层厚度为 1.9 nm的情况下，研究了TMR随SiO2层厚度的变化 关键词： 不连续磁性金属/绝缘体多层膜 隧道磁电阻效应     

不连续Co/SiO_2多层膜的结构及其输运性质的研究

用射频磁控溅射方法制备了系列Co SiO_2 不连续磁性金属绝缘体多层膜 (DMIM) .经研究发现 :对 [SiO_2 (2 4nm) Co(t) ]2 0 体系 ,在Co层厚度小于 2 5nm时 ,Co层由连续变为不连续 ;Co层不连续时 ,其导电机理为热激发的电子隧穿导电 ,lnR与T- 1 2 接近正比关系 ;隧道磁电阻 (TMR)在Co层厚度为 1 4nm时出现极大值 - 3% .DMIM的性质不仅与磁性金属层厚度密切相关 ,而且与绝缘层厚度有密切的关系 .在固定Co层厚度为 1 9nm的情况下 ,研究了TMR随SiO_2 层厚度的变化关系 ,并给出定性的解释 .对 [SiO_2 (2 4nm) Co(2 0nm) ]2 0 的样品研究了TMR随温度的变化关系 ,发现TMR随温度的变化有一极大值 ,结合Helman的理论 (Phys.Rev .Lett,37,14 2 9(1976 ) ) ,认为是颗粒之间存在磁性耦合的结果     

Fabrication and Magnetic Properties of Co-Doped TiO2 Powders Studied by Nuclear Magnetic Resonance

Co0.04 Ti0.96O2 powders are fabricated by sol-gel method. The structure and magnetic properties are investigated under different annealing conditions systematically with emphasis on the influence of oxygen pressure. Pure anatase structure was acquired for all the samples annealed at 450℃ for one hour. The samples annealed in air exhibit evident room-temperature ferromagnetism (RTFM) with a small magnetic moment of 0.029μB per Co atom and coercivity Hc of 26 Oe, while the samples annealed in vacuum have strong RTFM with a larger magnetic moment of 1.18μB per Co atom and Hc of 430 Oe. The zero-field spin echo nuclear magnetic resonance spectrum of ^59Co is obtained to prove the existence of Co dusters in the latter samples, implying that the Co dusters are responsible for the strong RTFM in the samples annealed in vacuum. No Co cluster could be observed using both XPS and NMR techniques in the samples annealed in air, implying that the RTFM found in these sample sis intrinsic.     

多晶La0.7Sr0.3MnO3的低温输运性质和磁电阻效应

详细研究了由纳米晶粒组成的块体多晶La_0.7Sr_0.3MnO₃(LSM)的电阻率和磁电阻效应,以及它们的温度依赖性.随着温度从室温降低,电阻率(ρ)在250K附近存在一最大值,低于该温度后,样品表现为金属导电特性,随后在50K附近存在一极小值.也就是说在低于50K的温度范围内,随着温度降低ρ反而升高,表现为绝缘体性的导电特性.经研究发现,这种随温度降低ρ反而增加的现象与隧穿效应的理论模型(lnρ∝T^-1/2)符合得很好 关键词： 0.7Sr_0.3MnO₃')" href="#">多晶La_0.7Sr_0.3MnO₃ 隧道效应 隧道磁电阻效应     

纳米多晶La0.7Sr0.3MnO3－δ的输运性质和磁电阻效应研究

利用溶胶-凝胶法制备了纳米多晶La_0.7Sr_0.3MnO_3-δ(LSM)块体样品.详细研究了在不同烧结温度下的LSM样品电阻率随测量温度的变化关系和磁电阻效应.随着测量温度从室温降低,电阻率ρ都在250K附近存在最大值,低于该温度后,样品表现为金属导电特性,随后在50K左右存在一极小值.即随着温度从50K左右降低到4.2K,ρ反而逐渐升高,表现为绝缘体性的导电特性.研究表明,在低温下(<50K),ρ随温度降低而升高的现象与隧穿效应的理论模型(lnρ∝T^1/2)符合得很好,表明这种现象是由于传导电子在通过邻近LSM晶粒间表面/界面层时的隧道效应所致.而在50—250K的温度范围内,其电阻率与T²成正比,表现为LSM本征的金属导电特性.因此这种低温下电阻率的极小值现象来源于隧穿效应和LSM晶粒本征的金属导电特性的相互竞争.本文还详细研究了相应的隧道磁电阻效应. 关键词： 0.7Sr_0.3MnO_3-δ')" href="#">多晶La_0.7Sr_0.3MnO_3-δ 隧道效应 隧道磁电阻效应     

纳米多晶La0.7Sr0.3MnO3-δ的输运性质和磁电阻效应研究

利用溶胶-凝胶法制备了纳米多晶La0.7Sr0.3MnO3-δ(LSM)块体样品.详细研究了在不同烧结温度下的ISM样品电阻率随测量温度的变化关系和磁电阻效应.随着测量温度从室温降低,电阻率ρ都在250K附近存在最大值,低于该温度后,样品表现为金属导电特性,随后在50K左右存在一极小值.即随着温度从50K左右降低到4.2K,ρ反而逐渐升高,表现为绝缘体性的导电特性.研究表明,在低温下(＜50K),ρ随温度降低而升高的现象与隧穿效应的理论模型(lnρT1/1符合得很好,表明这种现象是由于传导电子在通过邻近LSM晶粒间表面/界面层时的隧道效应所致.而在50-250K的温度范围内,其电阻率与T2成正比,表现为LSM本征的金属导电特性.因此这种低温下电阻率的极小值现象来源于隧穿效应和LSM晶粒本征的金属导电特性的相互竞争.本文还详细研究了相应的隧道磁电阻效应.