粉末衍射峰形拟合程序包CPOWDER

开发了一个Ｘ射线和中子粉末衍射峰形拟合程序包ＣＰＯＷＤＥＲ，它是由多个最小二乘峰形拟合程序与蒙特卡罗分峰程序组成的。最小二乘峰形拟合程序可用于约束条件下的峰形拟合分析，蒙特卡罗分峰程序可用于寻找全局最优解，为最小二乘拟合程序提供优质的峰形参数初始值，两者结合使用特别适合于多个严重重叠峰的分离。     

离化团簇束法制备c轴取向的ZnO薄膜

为了探索低温可调控ZnO薄膜沉积技术,提出了一种新的ZnO薄膜制备方法,即离化团簇束（ICB）法,并自行设计研制了应用该方法制备ZnO薄膜的专门装置.采用超音速喷嘴获得高速锌原子团簇束,用Hall等离子体源产生氧离子束离化锌原子团簇,获得了较高的离化率.在沉积过程中,可以通过调节衬底偏压、氩氧比、衬底加热温度等参数,来控制成膜的质量;应用这个装置成功地在硅衬底上制备的ZnO薄膜,经XRD和EDS检测,薄膜的c轴取向一致,Zn、O原子百分比接近于1：1,成膜质量好.     

YBa2Cu3O6+δ的高频模及其随氧含量δ的变化

在中国原子能科学研究院新建的宽角(～30°)Be过滤探测器中子非弹性散射谱仪上,在入射中子能量从10直至150meV的范围内,测量了几种不同氧含量的YBa₂Cu₃O_6+δ样品的中子非弹性散射能谱。结果表明:(1)在δ=0和0.2时,在60至150meV能量范围内,发现有强的高频模存在,当其温度高到Nel点(～410K)以上直至466K时,没有观察出高频模强度的减弱。而δ=0.78和0.97时,在75至150meV能量范围内,散射强度在测量误 关键词：     

用X射线衍射法测定氮化镓马赛克结构中的面内扭转角

Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料在发光二极管、激光器和探测器方面有着广泛的应用,采用高分辨X射线衍射来测定用金属有机化学气相沉淀法在蓝宝石衬底上生长的氮化镓外延层马赛克结构的扭转角,分别研究了(0002)、(1013)、(1012)、(1011)、(2021)五个面的X射线摇摆曲线,并且用Pseudo-Voigt方程拟合每一个面的摇摆曲线,我们利用外推法很方便地测得氮化镓外延薄膜的面内扭转角。另外我们采用同步辐射X射线掠入射衍射对样品进行(1100)面反射φ扫描直接测得面内扭转角,对第一种方法进行验证,两种方法测量结果相同。从而提供一种简单、方便的GaN外延层的面内扭转角的测试方法,为深入研究GaN材料奠定良好基础。     

中能高浓度氦离子注入对钨微观结构的影响

采用15 keV, 剂量1×10¹⁷/cm², 温度为600 ℃氦离子注入钨, 分别以块体钨研究氦离子对钨的表面损伤; 以超薄的钨透射电镜样品直接注入氦离子, 研究该条件下钨的微观结构变化, 以了解氦离子与钨的相互作用过程; 采用扫描电子显微镜、聚焦离子束扫描显微镜、透射电子显微镜、高分辨透射电子显微镜等分析手段研究氦离子注入对钨表面显微结构的影响及氦泡在钨微观结构演化中的作用.     

Rietveld法在半结晶聚酯二相共存结构分析中的应用

用Rietveld法对试样的BaF2的实测X射线衍射全谱图(XDWP)数据进行精修，获得正确的结晶相结构参数，重点讨论了如何正确选择衍射峰型函数和评价精修结构参数的可靠性；特别指出，当把Rietveld法和Fourier过滤技术及径向分布函数(radial distribution function，RDF)联用来研究半结晶聚酯(PET)的两相结构参数时，除需用R因子判断结晶相之精修结构参数的可靠性外，还要判断由非品相散射强度数据计算的RDF是否合理；如果忽视后一判据，则有可能导致错误的计算结果。     

Atomic origins of solid helium bubbles in tungsten

Solid helium bubbles were directly observed in the helium ion implanted tungsten（W）, by different transmission electron microscopy（TEM） techniques at room temperature. The diameters of these solid helium bubbles range from1 nm to 8 nm in diameter with the mean bubble size about 3 nm. The selected area electron diffraction（SAED） and fast Fourier transform（FFT） images revealed that solid helium bubbles possess body-centered cubic（bcc） structure with a lattice constant of 0.447 nm. High-angle annular dark-field scanning transmission electron microscopy（HAADF-STEM）images further confirmed the existence of helium bubble in tungsten. The present findings provide an atomic level view of the microstructure evolution of helium in the materials, and revealed the existence of solid helium bubbles in materials.     

Mn离子注入Si材料的结构分析及磁学性质

采用剂量分别为1×10~(16)(1E16),3×10~(16)(3E16)和5×10~(16)cm~(-2)(5E16)的Mn离子注入方法制备Si基稀磁半导体样品.利用透射电子显微镜(TEM)和交变梯度磁强计(AGM)对不同剂量的样品退火前后的结构和磁学特性的变化进行了表征.实验发现,退火前,只有5E16样品出现球状偏析物,其直径在5 nm左右,但也有个别直径15 nm左右的大团簇.N_2环境下800℃退火5 min部分修复了1E16样品注入区域的晶格损伤,并使该剂量样品出现偏析物,直径多在10 nm左右.衍射花样分析表明该偏析物为具有晶面间距0.333,0.191和0.163 nm的微晶,这说明该微晶最有可能是MnSi_(1.7),退火前,样品饱和磁化强度随注入剂量增大而显著增强,但从3E16到5E16增速放缓,退火使低剂量样品磁性大幅减弱,说明偏析物不利磁性增强.     

半结晶聚酯(PET)的二相共存结构的表征

采用X射线衍射对称反射法,对半结晶聚酯PET₂试样收集粉末X射线衍射全图(XDWP)数据,用Rietveld方法和Fourier过滤技术,对XDWP拟合并分离成结晶衍射峰之和CR₂和非晶散射峰之和AM₂两部分,与此同时获得PET₂试样的结晶相CR₂的三斜晶系晶胞参数:a=0.445,b=0.592,c=1.072nm,α=99.6,β=116.9,γ=111.9(°),结晶密度d_{c关键词： 聚对苯二甲酸乙二醇酯 二相共存结构 径向分布函数 Rietveld方法 Fourier过滤技术}     

Effect of helium implantation on SiC and graphite

Effects of helium implantation on silicon carbide(SiC) and graphite were studied to reveal the possibility of SiC replacing graphite as plasma facing materials. Pressureless sintered SiC and graphite SMF-800 were implanted with He+ions of 20 ke V and 100 ke V at different temperatures and different fluences. The He+irradiation induced microstructure changes were studied by field-emission scanning electron microscopy(FESEM), atomic force microscopy(AFM), and transmission electron microscopy(TEM).