外加磁场对Co纳米线生长过程的影响

关键词：     

不连续Co/SiO_2多层膜的结构及其输运性质的研究

用射频磁控溅射方法制备了系列Co SiO_2 不连续磁性金属绝缘体多层膜 (DMIM) .经研究发现 :对 [SiO_2 (2 4nm) Co(t) ]2 0 体系 ,在Co层厚度小于 2 5nm时 ,Co层由连续变为不连续 ;Co层不连续时 ,其导电机理为热激发的电子隧穿导电 ,lnR与T- 1 2 接近正比关系 ;隧道磁电阻 (TMR)在Co层厚度为 1 4nm时出现极大值 - 3% .DMIM的性质不仅与磁性金属层厚度密切相关 ,而且与绝缘层厚度有密切的关系 .在固定Co层厚度为 1 9nm的情况下 ,研究了TMR随SiO_2 层厚度的变化关系 ,并给出定性的解释 .对 [SiO_2 (2 4nm) Co(2 0nm) ]2 0 的样品研究了TMR随温度的变化关系 ,发现TMR随温度的变化有一极大值 ,结合Helman的理论 (Phys.Rev .Lett,37,14 2 9(1976 ) ) ,认为是颗粒之间存在磁性耦合的结果     

不连续Co/SiO2多层膜的结构及其输运性质的研究

用射频磁控溅射方法制备了系列Co/SiO2不连续磁性金属绝缘体多层膜（DMIM） .经研究发现：对［SiO2(2.4 nm)/Co(t)］20体系，在Co层厚度小于2.5 nm时，Co层由连续变为不连续；Co层不连续时，其导电机理为热激发的电子隧穿导电，lnR与T-1/2接近正比关系; 隧道磁电阻（TMR）在Co层厚度为1.4 nm时出现极大值-3%.DMIM 的性质 不仅与磁性金属层厚度密切相关，而且与绝缘层厚度有密切的关系.在固定Co层厚度为 1.9 nm的情况下，研究了TMR随SiO2层厚度的变化 关键词： 不连续磁性金属/绝缘体多层膜 隧道磁电阻效应     

纳米多晶La0.7Sr0.3MnO3－δ的输运性质和磁电阻效应研究

利用溶胶-凝胶法制备了纳米多晶La_0.7Sr_0.3MnO_3-δ(LSM)块体样品.详细研究了在不同烧结温度下的LSM样品电阻率随测量温度的变化关系和磁电阻效应.随着测量温度从室温降低,电阻率ρ都在250K附近存在最大值,低于该温度后,样品表现为金属导电特性,随后在50K左右存在一极小值.即随着温度从50K左右降低到4.2K,ρ反而逐渐升高,表现为绝缘体性的导电特性.研究表明,在低温下(<50K),ρ随温度降低而升高的现象与隧穿效应的理论模型(lnρ∝T^1/2)符合得很好,表明这种现象是由于传导电子在通过邻近LSM晶粒间表面/界面层时的隧道效应所致.而在50—250K的温度范围内,其电阻率与T²成正比,表现为LSM本征的金属导电特性.因此这种低温下电阻率的极小值现象来源于隧穿效应和LSM晶粒本征的金属导电特性的相互竞争.本文还详细研究了相应的隧道磁电阻效应. 关键词： 0.7Sr_0.3MnO_3-δ')" href="#">多晶La_0.7Sr_0.3MnO_3-δ 隧道效应 隧道磁电阻效应     

多晶La0.7Sr0.3MnO3的低温输运性质和磁电阻效应

详细研究了由纳米晶粒组成的块体多晶La_0.7Sr_0.3MnO₃(LSM)的电阻率和磁电阻效应,以及它们的温度依赖性.随着温度从室温降低,电阻率(ρ)在250K附近存在一最大值,低于该温度后,样品表现为金属导电特性,随后在50K附近存在一极小值.也就是说在低于50K的温度范围内,随着温度降低ρ反而升高,表现为绝缘体性的导电特性.经研究发现,这种随温度降低ρ反而增加的现象与隧穿效应的理论模型(lnρ∝T^-1/2)符合得很好 关键词： 0.7Sr_0.3MnO₃')" href="#">多晶La_0.7Sr_0.3MnO₃ 隧道效应 隧道磁电阻效应     

纳米多晶La0.7Sr0.3MnO3-δ的输运性质和磁电阻效应研究

利用溶胶-凝胶法制备了纳米多晶La0.7Sr0.3MnO3-δ(LSM)块体样品.详细研究了在不同烧结温度下的ISM样品电阻率随测量温度的变化关系和磁电阻效应.随着测量温度从室温降低,电阻率ρ都在250K附近存在最大值,低于该温度后,样品表现为金属导电特性,随后在50K左右存在一极小值.即随着温度从50K左右降低到4.2K,ρ反而逐渐升高,表现为绝缘体性的导电特性.研究表明,在低温下(＜50K),ρ随温度降低而升高的现象与隧穿效应的理论模型(lnρT1/1符合得很好,表明这种现象是由于传导电子在通过邻近LSM晶粒间表面/界面层时的隧道效应所致.而在50-250K的温度范围内,其电阻率与T2成正比,表现为LSM本征的金属导电特性.因此这种低温下电阻率的极小值现象来源于隧穿效应和LSM晶粒本征的金属导电特性的相互竞争.本文还详细研究了相应的隧道磁电阻效应.     

电沉积Co-Cu颗粒膜的巨磁电阻效应

从１９８８年Ｂａｉｂｉｃｈ首先在磁性Ｆｅ／Ｃｒ多层膜中发现巨磁电阻效应（ＧＭＲ）以来 ［１］,由于ＧＭＲ本身的科研价值和在磁记录、磁性传感器等方面的广泛应用前景 ,引起了人们的极大关注．继多层膜之后 ,人们在金属颗粒膜如Ｃｏ Ａｇ［２］,Ｃｏ Ｃｕ［３,４］等中也相继发现了巨磁电阻效应．颗粒膜是微颗粒镶嵌于薄膜中所构成的复合材料体系．原则上 ,颗粒的组成与薄膜的组成在制备条件上应互不固溶 ,因此颗粒膜区别于合金、化合物 ,属于非均匀相组成的材料．磁性颗粒膜是磁性粒子分布在非磁性金属材料薄膜中．在磁性颗粒与非…     

多晶La0.7Sr0.3MnO3的低温输运性质和磁电阻效应

详细研究了由纳米晶粒组成的块体多晶La0.7Sr0.3MnO3(LSM)的电阻率和磁电阻效应,以及它们的温度依赖性.随着温度从室温降低,电阻率(ρ)在250K附近存在一最大值,低于该温度后,样品表现为金属导电特性,随后在50K附近存在一极小值.也就是说在低于50K的温度范围内,随着温度降低ρ反而升高,表现为绝缘体性的导电特性.经研究发现,这种随温度降低ρ反而增加的现象与隧穿效应的理论模型(lnρ∝T-1/2)符合得很好.这种现象是由于传导电子在通过邻近LSM晶粒间表面/界面层时的隧道效应所导致的.这种低温下电阻率的极小值现象来源于隧穿效应和LSM晶粒本征的金属导电特性的相互竞争.还详细研究了相应的隧道磁电阻效应的温度依赖性.