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1.
采用离子注入法制备了钴离子掺杂的金红石相TiO2样品;离子注入能量、注量分别为40 keV(1×1016cm-2),80 keV(5×1015,1×1016,5×1016,1×1017cm-2),120 keV(1×1016cm-2). 通过XRD,XPS和UV-Vis等手段对掺杂前后样品的结构和光学性能进行了表征,分析了掺杂元素在金红石TiO2中的存在形式. XRD测试表明随着注入能量的增加晶体的损伤程度增加. UV-Vis测试表明掺杂后所有样品在可见光区的吸收增强; 并且随着注量的增加,注量为5×1015cm-2到5×1016cm-2范围内注入样品的光学带隙逐渐变小.
关键词:
钴
二氧化钛
离子注入
掺杂 相似文献
2.
研究了金属有机物化学气相沉积法制备的不同厚度InN薄膜的位错特性与光电性质.基于马赛克微晶模型,通过X射线衍射非对称面摇摆曲线测量,拟合出样品刃型位错密度分别为4.2×1010cm-2和6.3×1010cm-2,并发现样品的微晶扭转角与位错密度随薄膜厚度增加而减小.通过室温霍尔效应测量得到样品载流子浓度分别为9×1018cm-3和1.2×1018cm关键词:
氮化铟
位错
载流子起源
局域态 相似文献
3.
采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片.研究表明退火对外延片性能有重要影响.与未退火样品相比,460℃退火15min,外延片p型GaP层的空穴浓度由5.6×1018cm-3增大到6.5×1018cm-3,p型AlGaInP层的空穴浓度由6.0×1017cm-3增大到1.1×1018cm-3.但退火温度为780℃时,p型GaP层和p型AlGaInP层的空穴浓度分别下降至8×1017cm-3和1.7×1017cm-3,且Mg原子在AlGaInP系材料中的扩散加剧,导致未掺杂AlGaInP/GaInP多量子阱呈现p型电导.在460~700℃退火范围内,并没有使AlGaInP/GaInP多量子阱的发光性能发生明显变化.但退火温度为780℃时,AlGaInP/GaInP多量子阱的发光强度是退火前的2倍. 相似文献
4.
为了评估电荷耦合器件(CCD)在空间科学探测以及航天卫星成像等空间辐射环境中应用的可靠性,揭示了CCD转换增益以及线性饱和输出等重要性能参数的退化机制及其实验规律。辐照实验在质子回旋加速器上进行,质子能量为60 MeV和100 MeV,质子注量分别为1×1010 cm-2、5×1010 cm-2和1×1011 cm-2。将CCD的主要性能参数在两个不同能量质子辐照后进行比较,实验结果表明,CCD的性能参数对质子辐照产生的电离损伤和位移损伤非常敏感,辐照后转换增益和线性饱和输出明显下降,且暗信号尖峰和暗电流明显增大。此外,分析了质子辐照CCD诱发的电离损伤和位移损伤,给出了CCD性能参数退化与质子辐照能量和注量的变化关系曲线。 相似文献
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6.
采用静电探针技术对微波电子回旋共振(MW-ECR) 等离子体进行了诊断,利用等离子体增强 非平衡磁控溅射(PE-UMS)法在常温下制备了Zr-N薄膜, 通过EPMA,XRD,显微硬度对膜的 结构和性能进行评价.实验结果表明,随氮气流量增加,总的等离子体密度从807×109c m-3增加到831×109cm-3然后逐渐减小为752×10 9cm-3;而N2+密度则从312×108< /sup>cm-3线性递增到335×109cm-3;电子温度变化 不大.对薄膜而言,随N2+密度增大,样品中氮含量增加,而晶粒逐 渐变小,当样品中N/ Zr原子比达到14时,薄膜中出现亚稳态的Zr3N4相以及非晶相, 在更高氮流量下,整 个薄膜转变为非晶态.与此相应,薄膜硬度由最初的225GPa增大到2678GPa 然后逐渐减 小到1982GPa.
关键词:
氮化锆薄膜
ECR等离子体
磁控溅射
诊断 相似文献
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研究了GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装生长的InAs量子点.在2ML GaSb/1ML GaAs复合应力缓冲层上获得了高密度的、沿[100]方向择优分布量子点.随着复合应力缓冲层中GaAs层厚度的不同,量子点的密度可以在1.2×1010cm-2和8×1010cm-2进行调控.适当增加GaAs层的厚度至5ML,量子点的发光波长红移了约25nm,室温下PL光谱波长接近1300nm.
关键词:
自组装量子点
分子束外延
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 相似文献
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11.
Effect of RF power on the properties of transparent conducting zirconium-doped zinc oxide films prepared by RF magnetron sputtering 总被引:2,自引:0,他引:2 下载免费PDF全文
Transparent and conducting zirconium-doped zinc oxide films with
high transparency and relatively low resistivity have been
successfully prepared by radio frequency (RF) magnetron sputtering
at room temperature. The RF power is varied from 75 to 150W. At
first the crystallinity and conductivity of the film are improved
and then both of them show deterioration with the increase of the RF
power. The lowest resistivity achieved is 2.07×10-3\Omegacm
at an RF power of 100W with a Hall mobility of
16cm2V-1s-1 and a carrier concentration of
1.95×1020cm-3. The films obtained are polycrystalline
with a hexagonal structure and a preferred orientation along the
c-axis. All the films have a high transmittance of approximately
92% in the visible range. The optical band gap is about 3.33eV
for the films deposited at different RF powers. 相似文献
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研究了高位振动态RbH(X1∑+,v″=15~21)与CO2碰撞转移过程.脉冲激光激发RbH至高位态,利用激光感应荧光光谱(LIF)得到RbH(X1∑+,v″)与CO2的猝灭速率系数kv″(CO2),kv″=21(CO2)=2.7kvn=15(CO2).利用激光泛频光谱技术,测量了CO2(000,J)高转动态分布,得到了转动温度,从而获得了平均转动能rot>和转动能的变化<△Erot>,发现<△Erot>v″=21≈2.9<△Erot>v″=15.对于v″=16,证实了振动—振动能量转移的4-1近共振过程.在一次碰撞条件下,通过速率方程分析,得到RH(v″)-CO2振转速率系数.对于v″=15,J=32-48,速率系数在1.25-0.33×10-13cm3s-1.之间;对于v″=21,速率系数在2.47-1.53×10-13cm3s-1之间,其能量相关性是明显的. 相似文献
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能量为200keV的Ag离子,以1×1016,5×1016,1×1017 cm-2的剂量分别注入到非晶SiO2玻璃,光学吸收谱显示:注入剂量为1×1016 cm-2的样品的光吸收谱为洛伦兹曲线,与Mie理论模拟的曲线形状一致;注入剂量较大的5×1016,1×1017 cm-2的谱线共振吸收增强,峰位红移并出现伴峰. 透射电镜观察分析表明,注入剂量不同的样品中形成的纳米颗粒的大小、形状、分布都不同,注入剂量较大的还会产生明显的表面溅射效应,这些因素都会影响共振吸收的峰形、峰位和峰强. 当注入剂量达到1×1017 cm-2时,Ag纳米颗粒内部可能还形成了杂质团簇.
关键词:
离子注入
纳米颗粒
共振吸收
红移 相似文献
17.
应用多层模型和最优化方法,由实验测得的离子注入Si的椭偏光谱以及单晶Si和离子注入非晶Si的光学常数,能分析离子注入Si的损伤分布。我们测量了2.1—4.6eV能量范围的椭偏光谱和光学常数,建立了多层计算模型和最优化方法。在模拟分析的基础上,计算了能量为40keV,剂量分别为4×1013和1.4×1014cm-2的As+注入Si的损伤分布,并与背散射测量的结果比较。用多层模型和最优化方法也能从光谱分析其它物理量的分布,只要这些物理量对光学性质有显著的影响,并且在测量过程中不随光子能量而改变。
关键词: 相似文献
18.
B.A.TIKHOMIROV V.O.TROI TSKII V.A.KAPITANOV G.S.EVTUSHENKO Y.N.PONOMAREV 《物理学报(海外版)》1998,7(3):190-195
Data on the absorption coefficient of H2O in binary mixture with N2 in UV region of spectra are presented. With the use of the high sensitivity photoacoustic spectrometer, the following values of the absorption coefficient were found: 2.3×10-9cm-1·Pa-1(λ=255 nm), 0.9×10-9 cm-1·Pa-1(λ=271 nm), and 1.6×10-9cm-1 ·Pa-1(λ=289 nm). 相似文献
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本文中,我们研究了砷化镓中质子注入及退火恢复过程。实验用晶向<100>偏1—3°,掺Sn 5×1017-1×1018cm-3的单晶,室温下质子注入,注入能量E约8×104—2×106eV,用A-B腐蚀剂对注入质子样品的解理面显结,测得质子注入高阻层的纵向深度xj和径向扩展xL与注入能量E的定量关系。然后,对注入质子样品,在150—800℃下退火5分钟,用双晶衍射仪研究了样品的应变恢复过程,在静电计上测量了高阻阻值随退火温度的变化。根据实验结果,讨论了砷化镓中质子注入的射程Rp,电子阻止本领Sn(E)和核阻止本领Se(E),以及质子注入形成高阻和退火恢复的机理。
关键词: 相似文献