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如在一种二元的化合物半导体(AB)晶片上外延一层三元化合物(A_1-xB_xC)薄膜,则由于衬底与薄膜的点阵参数不同,在界面附近将产生错配应变ε,甚致产生错配位错,并使晶片弯曲.这种应变有时很小,曲率半径R则往往很大,用一般的实验方法不易测量.然而,X射线双晶(或三晶)衍射方法对这类应变及弯曲却非常灵敏.根据测得的表面应变值以及平均的曲率半径,还可对组分x值进行定量计算.这些测量不但可以同时在晶片同一点处进行,而且是非破坏性的,因此有较大的实用意义.这一方法可以简称为ε-R-x技术,本文介绍用一种三晶衍射方法代替通常的双晶衍射法对… 相似文献
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一、双晶衍射仪的原理 当一束入射X射线射入第一晶体A后,从A晶体出来的衍射线,又作为第二晶体B的入射线,从B晶体出来的衍射线用计数管或底片接收进行分析.双晶衍射仪中两个晶体通常处于(n,-n)平行衍射位置.仪罩工作时,第二晶体的转角θ稍微转动,用来记录它的摆动曲线(积分曲线),以测量试样表面层的微量应变或点阵常数的微小变化. 二、仪器的理论精度 分析了W.L.Bond[1]设计的多用途双晶X射线测角仪,就可绘出双晶衍射仪的衍射几何. 测量双晶衍射仪精度的方法,是用铜Ka1辐射作硅(111)面的摆动曲线,测量半峰高宽度(简称半峰宽),再和理论计… 相似文献
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本文中,我们研究了砷化镓中质子注入及退火恢复过程。实验用晶向<100>偏1—3°,掺Sn 5×1017-1×1018cm-3的单晶,室温下质子注入,注入能量E约8×104—2×106eV,用A-B腐蚀剂对注入质子样品的解理面显结,测得质子注入高阻层的纵向深度xj和径向扩展xL与注入能量E的定量关系。然后,对注入质子样品,在150—800℃下退火5分钟,用双晶衍射仪研究了样品的应变恢复过程,在静电计上测量了高阻阻值随退火温度的变化。根据实验结果,讨论了砷化镓中质子注入的射程Rp,电子阻止本领Sn(E)和核阻止本领Se(E),以及质子注入形成高阻和退火恢复的机理。
关键词： 相似文献
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在本刊已发表的另一篇文章中,我们已经介绍了X射线貌相术的一些基本原理、实验方法和发展动向[1].本文将就晶体缺陷方面的几个问题。附以少量貌相图,简单地介绍我们近年来在这方面的部分工作,用以说明这门科学技术的某些实际应用. 一、长程应力场的观察 晶片受到机械损伤、剧烈的热起伏、强烈的点阵错配,或者在界面不连续处由于热膨胀系数不同等原因,都会使晶片在较大的范围内产生局部的弹性弯曲畸变,造成长程应力场.在投影及反射貌相图中相应于有长程应力场处,由于直接象迭加在背景上,成为特别黑的区域. 图1是在背面用金刚刀划有三角形标… 相似文献
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