Effect of the thickness of InGaN interlayer on a-plane GaN epilayer

In this paper,we use the a-plane InGaN interlayer to improve the property of a-plane GaN.Based on the a-InGaN interlayer,a template exhibits that a regular,porous structure,which acts as a compliant effect,can be obtained to release the strain caused by the lattice and thermal mismatch between a-GaN and r-sapphire.We find that the thickness of InGaN has a great influence on the growth of a-GaN.The surface morphology and crystalline quality both are first improved and then deteriorated with increasing the thickness of the InGaN interlayer.When the InGaN thickness exceeds a critical point,the a-GaN epilayer peels off in the process of cooling down to room temperature.This is an attractive way of lifting off a-GaN films from the sapphire substrate.     

Effects of interface roughness on photoluminescence full width at half maximum in GaN/AlGaN quantum wells

Low temperature photoluminescence(PL) measurements have been performed for a set of GaN/AlxGa1-xN quantum wells(QWs). The experimental results show that the optical full width at half maximum(FWHM) increases relatively rapidly with increasing Al composition in the AlxGa1-xN barrier, and increases only slightly with increasing GaN well width. A model considering the interface roughness is used to interpret the experimental results. In the model, the FWHM’s broadening caused by the interface roughness is calculated based on the triangle potential well approximation. We find that the calculated results accord with the experimental results well.     

Design and Fabrication of Six-Channel Complex-Coupled DFB Quantum Cascade Laser Arrays Based on a Sampled Grating

We designed and fabricated a six-channel complex-coupled distributed feedback （DFB） quantum cascade laser arrays based on a sampled Bragg grating. The six-channel DFB laser arrays exhibit a linear tuning range of 74nm centered at a wavelength of 7.55μm at room temperature. Robust single-mode emission with a side mode suppression ratio about 20 dB was observed, even at full power. The used sampled grating and reflectivity coating on the back facet lead to the peak output power varying from 55 to 82 m W with a small difference in slope efficiency from 100 to 128mW/A.     

AlGaN合金中局域态和极化电场的竞争机制

通过MOVPE方法生长了不同Al组分的3块Al_xGa_1-xN样品,利用稳态光谱和时间分辨光谱对其样品的光学特性进行了分析。鉴于影响氮化物发光性质的极化电场或局域态的单一机制不能充分解释我们的实验现象,提出了局域态-内部极化电场竞争的机制。通过对实验数据的分析,得出如下重要结论：样品PL峰位蓝移的温度起点基本对应于局域态和极化电场起作用的交替点,PL峰位发生蓝移的温度起点与光强-温度曲线的斜率出现明显变化的温度点一致;随着温度的升高,若AlGaN合金样品中PL峰位存在二次蓝移,则说明样品中电场分布不均匀。     

侧基发光性单体与无机纳米颗粒的组装及其光学性质

发光二极管可广泛应用于计算机、电视以及公共场所大型平板显示器等领域 .其所用的发光材料包括无机材料、有机小分子材料和高分子材料等几类 .作为发光材料要具有高的发光效率,良好的稳定性,以及为了实现全色显示其发光波长要能调节 .发光波长的调节,一般是通过能带的变化来实现 .通常使能带变化的方法有掺杂、改变共轭长度（有机材料） [1－ 4]、和改变颗粒大小（半导体纳米材料） [5, 6]等 .我们在进行无机半导体纳米材料与有机分子材料的组装复合时发现有机发光分子在无机颗粒表面的有序排列也能使发光波长显著变化,这可望成为调…     

亚单层InGaAs量子点-量子阱异质结构的时间分辨光致发光谱

测定了亚单层InGaAs/GaAs量子点-量子阱异质结构在5K下的时间分辨光致发光谱.亚单层量 子点的辐射寿命在500 ps 至 800 ps之间，随量子点尺寸的增大而增大，与量子点中激子的 较小的横向限制能以及激子从小量子点向大量子点的隧穿转移有关.光致发光上升时间强烈 依赖于激发强度密度.在弱激发强度密度下，上升时间为 35 ps，纵光学声子发射为主要的 载流子俘获机理.在强激发强度密度下，上升时间随激发强度密度的增加而减小，俄歇过程 为主要的载流子俘获机理.该结果对理解亚单层量子点器件的工作特性非常有用. 关键词： 亚单层 量子点-量子阱 时间分辨光致发光谱     

LPE GaxIn1-xAs1-ySby/InP和GaxIn1-xAs1-ySby/InAs的生长及其估价

将电负性差法估算的Ga_xIn_1-xAs_1-ySb_y/InP和Ga_xIn_1-xAs_1-ySb_y/InAs的固相和液相组份数据应用于液相外延生长,均获得了晶格匹配的材料,并首次获得了波长λ>3.5μm的Ga_xIn_1-xAs_1-ySb_y/InAs异质外延材料。Ga_xIn_1-xAs_1-ySb_y/InP的固体组份为...     

具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究

采用自组装方法生长了一种新型的InGaAs量子点/InAlAs浸润层结构.通过选取合适的In组分 ，使InAlAs浸润层的能级与GaAs势垒相当，从而使浸润层的量子阱特征消失.通过低温光致 发光（PL）谱的测试分析得到InGaAs量子点/InAlAs浸润层在样品中的确切位置.变温PL谱的 研究显示，具有这种结构的量子点发光峰的半高全宽随温度上升出现展宽，这明显区别于普 通InGaAs量子点半高全宽变窄的行为.这是因为采用了InAlAs浸润层后，不仅增强了对InGaA s量子点的限制作用，同时切断了载流子的 关键词： InGaAs量子点 InAlAs浸润层 PL谱     

分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究

分别应用光致发光、电容-电压和深能级瞬态傅里叶谱技术详细研究ZnSe自组织量子点样品的光学和电学行为.光致发光温度关系表明ZnSe量子点的光致发光热猝火过程机理.两步猝火过程的理论较好模拟和解释了相关的实验数据.电容-电压测量表明样品表观载流子积累峰出现的深度(样品表面下约100nm处)大约是ZnSe量子点层的位置.深能级瞬态傅里叶谱获得的ZnSe量子点电子基态能级位置为ZnSe导带下的0.11eV,这与ZnSe量子点光致发光热猝火模型得到的结果一致.     

自发有序Ga0.5In0.5P合金的静压光致发光研究

在０—７ＧＰａ静压范围内测量了自发有序Ga_0.5In_0.5P合金的室温光致发光谱．三块样品的常压带隙能量分别比无序样品低１１５，９２和４３ｍｅＶ，它们的压力系数也从无序样品的９２ｍｅＶ／ＧＰａ分别减小到７５，８１和８３ｍｅＶ／ＧＰａ．用Γ-Ｌ相互作用模型可以同时解释有序合金的带隙能量的降低以及压力系数的减小．得到的Γ-Ｌ相互作用势分别为０.１９，０.１５和０.１０ｅＶ．表明在自发有序Ga_0.5In_0.5P合金中存在着的