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51.
Aluminium and copper prototype cavities were designed to study higher order modes (HOM). An automatic field mapping system was developed with LabVIEW to measure the radiofrequency (RF) characteristics, such as resonant frequency, Q-value, shunt impedance and electromagnetic field distribution of the higher-order modes in a model RF cavity. Two kinds of the bell-shaped cavities were measured using the field mapping system, their frequencies are 1.5GHz and 800~MHz respectively. The fields' distributions of the monopole modes and dipole modes, as well the R/Q values, were measured. 相似文献
52.
通过扫描电镜和X射线衍射对SiO2衬底上生长并五苯和酞菁铜薄膜的表面形貌进行表征,并得到在SiO2衬底上生长的并五苯薄膜是以岛状结构生长,其大小约为100nm,且薄膜有较好的结晶取向,呈多晶态存在. 酞菁铜薄膜则没有表现出明显的生长机理,其呈非晶态存在. 还对通过掩膜的方法制作得以酞菁铜和并五苯为有源层的顶栅极有机薄膜晶体管的特性进行了研究. 有源层的厚度为40nm,绝缘层SiO2的厚度为250nm,器件的沟道宽长比(W/关键词:
有机薄膜晶体管
并五苯薄膜
酞菁铜薄膜
μEF)')" href="#">场效应迁移率(μEF) 相似文献
53.
通过对角化364×364完全能量矩阵的理论方法,对掺杂在Bi4Ge3O12晶体中的Er3+的Stark能级和EPR参数进行了研究,同时,定量分析了高阶晶体场混合效应和J-J混合效应对EPR g因子的影响。研究结果表明:对Er3+来说,最主要的J-J混合效应来源于多重态谱项2K15/2,其对EPR g因子的贡献约占2.5%,而最主要的高阶晶体场混合效应来源于第一激发多重态4I13/2和基态多重态4I15/2之间的晶体场混合,其对各向异性g因子中g⊥的贡献大致是g//的两倍(即g⊥约占 0.21%,g//约占0.092%),其他更高阶的晶体场混合和J-J混合效应可以忽略不计。因此,对于Er3+掺杂的络合物系统来说,只考虑基态多重态4I15/2对EPR g因子的贡献应该是一个很好的近似。 相似文献
54.
55.
对0.18 μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)及静态随机存储器(SRAM)开展了不同剂量率下的电离总剂量辐照试验研究. 结果表明: 在相同累积剂量, SRAM的低剂量率辐照损伤要略大于高剂量率辐照的损伤, 并且低剂量率辐照损伤要远大于高剂量率辐照加与低剂量率辐照时间相同的室温退火后的损伤. 虽然NMOSFET 低剂量率辐照损伤略小于高剂量率辐照损伤, 但室温退火后, 高剂量率辐照损伤同样要远小于低剂量率辐照损伤. 研究结果表明0.18 μm CMOS工艺器件的辐射损伤不是时间相关效应. 利用数值模拟的方法提出了解释CMOS器件剂量率效应的理论模型. 相似文献
56.
目前处于设计阶段的哈尔滨工业大学空间辐照效应装置,其核心部件是由1台10 MeV的注入器、1台300MeV的同步加速器以及输运线构成的加速器装置。同步加速器中引出的质子束流被用于辐照研究。基于装置的概念设计,优化了其同步加速器部分的设计。设计了新的磁聚焦结构,优化了基于新的磁聚焦结构的多圈注入系统的凸轨变化模式,提高了注入效率。为了更好地优化引出束流的时间结构,慢引出系统采用了RF knock-out的方法。为了满足精准辐照的要求,研究了RF Kicker的频率调制,发现RF Kicker的双频调制能使得引出束流更均匀。A research complex for aerospace radiation effects research is in the designing stage in Harbin Institute of Technology. Its core part is a proton accelerator complex, which consists of a 10 MeV injector, a 300 MeV synchrotron and beam transport lines. The proton beam extracted from the synchrotron is utilized for the radiation effects research. Based on the conceptual design, the design study for optimizing the synchrotron has been done. A new lattice design was worked out, and the decreasing pattern of the bump of the multi-turn injection system was optimized to increase the injection efficiency. In order to improve the time structure of the extracted beam, a RF knock-out method is employed in the slow extraction system. To meet the requirement of accurate control of dose, the frequency modulation of the RF kicker is well investigated, and the dual frequency modulation has been found to have a better performance for a uniform spill. 相似文献
57.
58.
制作了底栅极顶接触有机薄膜晶体管器件,60 nm的pentacene被用作有源层,120 nm热生长的SiO2作为栅极绝缘层.通过采用不同自组装修饰材料对器件的有源层与栅极绝缘层之间的界面进行修饰,如octadecyltrichlorosilane (OTS),phenyltrimethoxysilane (PhTMS),来比较界面修饰层对器件性能的影响.同时对带有PhTMS修饰层的OTFTs器件低栅极电压调制下的场效应行为及其载流子的传输机理进行研究.结果得到,当|V
关键词:
有机薄膜晶体管
自组装单分子层
场效应迁移率
低栅极调制电压 相似文献
59.
采用化学气相沉积(CVD)的方法在砷化镓基底上合成直径为20 nm左右、长约数十微米的氧化锌纳米线,然后采用热扩散的方法,将生长于砷化镓基底之上的氧化锌纳米线通过600 ℃,30 min的有氧退火处理后,获得了砷掺杂的氧化锌纳米线.将获得的掺杂后的氧化锌纳米线采用电子束曝光以及真空溅射镀膜的方法将钛/金合金作为接触电极引出,从而构建成场效应晶体管.文中研究了单根氧化锌纳米线砷掺杂前后的电学特性,证实了通过砷掺杂来获得p型的氧化锌纳米线的可行性.构建的p型砷掺杂氧化锌场效应晶体管的跨导为35 nA/V,载流
关键词:
p型ZnO纳米线
砷掺杂
场效应晶体管
光致发光 相似文献
60.