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自旋场效应晶体管的原理和研究进展
引用本文:杨军,蒋开明,葛传楠,张俊男.自旋场效应晶体管的原理和研究进展[J].物理与工程,2009,19(4):8-11,7.
作者姓名:杨军  蒋开明  葛传楠  张俊男
作者单位:1. 解放军理工大学理学院数理系,江苏,南京,210007
2. 上海海事大学物理系,上海,200135
3. 江苏教育学院物理系,江苏,南京,210013
摘    要:基于电子具有自旋的特性,介绍了自旋场效应晶体管的基本原理和研究进展;通过研究发现自旋场效应晶体管具有良好的电导开关效应,外加磁场后则呈现出磁开关效应.

关 键 词:自旋电子学  极化  自旋场效应晶体管  自旋输运  开关效应

PRINCIPLE AND RESEARCH PROGRESS OF SPIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Yang Jun,Jiang Kaiming,Ge Chuannan,Zhang Junnan.PRINCIPLE AND RESEARCH PROGRESS OF SPIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR[J].Physics and Engineering,2009,19(4):8-11,7.
Authors:Yang Jun  Jiang Kaiming  Ge Chuannan  Zhang Junnan
Institution:1 Department of Mathematics and Physics;PLA University of Science and Technology;Nanjing;Jiangsu 210007;2 Department of Physics;Shanghai Maritime University;Shanghai 200135;3 Department of Physics;Jiangsu Institute of Education;Jiangsu 210013
Abstract:Based on the spin properties of electron,we have introduced the basic principles and progress of the spin field-effect transistor(SFET).It has been shown that the SFET exhibit excellent switching effect and magnetic switching effect when external magnetic field is applied.
Keywords:spin-electronics  polarization  spin field-effect transistor  spin transportation  switching effect  
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