对以并五苯和酞菁铜为不同有源层的有机薄膜晶体管特性研究

通过扫描电镜和X射线衍射对SiO₂衬底上生长并五苯和酞菁铜薄膜的表面形貌进行表征，并得到在SiO₂衬底上生长的并五苯薄膜是以岛状结构生长，其大小约为100nm，且薄膜有较好的结晶取向，呈多晶态存在. 酞菁铜薄膜则没有表现出明显的生长机理，其呈非晶态存在. 还对通过掩膜的方法制作得以酞菁铜和并五苯为有源层的顶栅极有机薄膜晶体管的特性进行了研究. 有源层的厚度为40nm，绝缘层SiO₂的厚度为250nm，器件的沟道宽长比(W/关键词： 有机薄膜晶体管 并五苯薄膜 酞菁铜薄膜 μ_EF)')" href="#">场效应迁移率(μ_EF)     

Characteristics of pentacene organic thin film transistor with top gate and bottom contact

High performance pentacene organic thin film transistors (OTFT) were designed and fabricated using SiO₂ deposited by electron beam evaporation as gate dielectric material. Pentacene thin films were prepared on glass substrate with S--D electrode pattern made from ITO by means of thermal evaporation through self-organized process. The threshold voltage V_TH was --2.75± 0.1V in 0---50V range, and that subthreshold slopes were 0.42± 0.05V/dec. The field-effect mobility (μ_EF) of OTFT device increased with the increase of V_DS, but the μ_EF of OTFT device increased and then decreased with increased V_GS when V_DS was kept constant. When V_DS was --50V, on/off current ratio was 0.48× 10⁵ and subthreshold slope was 0.44V/dec. The μ_EF was 1.10cm²/(V.s), threshold voltage was --2.71V for the OTFT device.     

SrS∶Eu,Sm光存储机理的研究

采用高温固相反应法在还原气氛下制备了SrS:Eu,Sm样品,利用荧光光谱仪测量了这种光存储材料的激发光谱和发射光谱.将样品用紫外灯(265 nm)照射激发饱和后,再用980 nm的红外激光器激励,利用荧光光谱仪测试得到了峰值位于599 nm的光激励发光光谱.此外还利用热释光谱仪测试了样品的热释光谱.探讨了SrS:Eu,Sm的光存储机理,认为引入的稀土离子在SrS的带隙中形成分裂能级.当用紫外光照射材料时,Eu的电子从基态被激发到激发态或基质材料的导带,其中一部分电子被辅助激活剂Sm的陷阱俘获,实现信息写入.当材料被与陷阱深度相当的红外光激励时,电子陷阱Sm2 俘获的电子才可能跃出俘获能级,与空穴在Eu的激发态和基态能级上复合,多余的能量以可见光的形式释放出来,实现信息读出.     

一种计算稀土材料陷阱深度的新方法

表征陷阱材料的主要物理量是陷阱深度, 准确计算出陷阱深度对于研究陷阱材料具有重要的意义. 从能带模型出发, 利用速率方程分析了整个热释光过程, 提出了一种计算稀土材料陷阱深度的新方法, 替代以往利用单分子或双分子近似计算陷阱深度的方法. 以SrAl2O4：Eu^2＋, Dy^3＋及Sr4Al14O25：Eu^2＋, Dy^3＋材料为研究对象, 计算了陷阱深度. 研究表明, 这种计算方法能更准确、真实地描述其物理过程.     

SrAl_2O_4∶Eu~(2 ),Dy~(3 )纳米长余辉发光材料的制备与表征

采用溶胶鄄凝胶法制备了SrAl2O4∶Eu2 ,Dy3 纳米长余辉发光材料,研究了pH值、反应温度和络合剂等对溶胶鄄凝胶形成的影响,研究了灼烧温度对SrAl2O4∶Eu2 ,Dy3 晶相、颗粒尺度和发光性能的影响。利用XRD,SEM,光谱分析等手段对产物进行了结构和性能分析。实验结果表明,在800℃时SrAl2O4晶相开始形成但没有发光,而在1100℃烧结的样品则具有很好的发光性能。样品平均晶粒尺寸随灼烧温度升高而增加,平均晶粒尺寸为20~40nm。样品的激发光谱是峰值在240,330,378和425nm的连续宽带谱,发光光谱是峰值在523nm的宽带谱,与SrAl2O4∶Eu2 ,Dy3 粗晶材料相比,发光光谱发生了“红移”现象。样品的热释光峰值位于157℃,与SrAl2O4∶Eu2 ,Dy3 粗晶材料相比,峰值向低温移动了13℃。     

固态阴极射线器件复合加速层的研究

固态阴极射线器件的加速层,是提高固态阴极射线性能的重要部分,它能够加大电子能量,倍增电子数量.其中增加注入电子从而提高过热电子的数量,是提高固态阴极射线器件性能的关键.为此,文章尝试将加速层复合,兼顾加速与电子注入性能.首先将SiO2,ZnS和ZnO分别与有机聚合物MEH-PPV组合,确定较适合的复合加速层的组合:SiO2/ZnS和ZnO)/SiO2.然后将这两种复合加速层的性能对比,发现SiO2/ZnS的性能更优越,因为电子注入性能ZnS和ZnO相当,而电子加速倍增性能ZnS明显优于ZnO,其中SiO2为主要的加速层,而ZnS起到降低注入势垒变成阶梯势垒的作用.最后又将复合加速层结构的固态阴极射线器件和传统的SiO2夹层固态阴极射线器件对比,发现这种复合加速层结构,尤其在高场下,可提高固态阴极射线的初电子源和过热电子的数目,从而提高其发光效率具有促进作用.     

CaS∶Eu~(2+),Sm~(3+)的制备与表征

采用湿法工艺在还原气氛下制备了CaS∶Eu2+,Sm3+光存储材料。研究了灼烧温度和灼烧时间对样品性能的影响。XRD图谱表明,样品在700℃—1200℃均形成CaS晶格。光谱分析表明,在紫外光(295nm)激发后,用980nm半导体激光照射样品,具有光激励发光现象,发射光谱峰值波长为649nm。     

CaAl2O4:Eu2+,Nd3+纳米粉体的合成与发光性质

采用溶胶-凝胶法制备了CaAlO4：Eu^2＋，Nd^3＋纳米粉体发光材料。利用DTA，TG，XRD，SEM，光谱分析等手段对样品进行了结构和性能分析。实验结果表明，800℃烧结的样品形成已CaAl2O4晶相，样品平均晶粒尺寸为20～40nm，与CaAlO4：Eu^2＋，Nd^3＋粗晶材料相比，样品的发光光谱发生了“蓝移”，热释光峰值向高温移动了96℃，且曲线形状变宽，发光衰减是由初始的快衰减和随后的慢衰减构成，发光余辉时间5h。     

CaS∶ Eu, Sm 光存储材料的光谱特性

CaS:Eu,Sm是一种典型的电子俘获型光存储材料,文章采用湿法在还原气氛中制备了CaS∶Eu,Sm粉末样品.测量了这种光存储材料的XRD、激发光谱、发射光谱、光激励发光光谱、热释光谱以及光激励发光衰减曲线.XRD结果表明样品在1 050℃晶格已经形成.光谱测试结果说明紫外光可激发该材料,作为信息写入光源.样品被紫外光源饱和激发后,用980 nm红外激光激励,发射出峰值位于635 nm的红光.光激励发光起初衰减较快,随后有一个较长的平缓期.且样品具有合适深度的陷阱能级,能够稳定存储信息.对CaS∶Eu,Sm的光存储机理进行了探讨.     

热解温度对溶胶-凝胶法制备B掺杂ZnO薄膜晶化行为及性能的影响

采用溶胶-凝胶方法制备了B掺杂ZnO(BZO)薄膜,系统研究了热解温度对薄膜的结晶行为和性能的影响. X射线衍射谱表明所有的BZO薄膜均具有六方纤锌矿结构,并沿c轴方向择优生长. 随着热解温度的升高,BZO薄膜的晶粒尺寸和RMS粗糙度增加. BZO薄膜的载流子浓度和载流子迁移率也随着热解温度的升高而增加,其可见光平均透过率均在90%以上.