从化学视角剖析烫发、染发原理及顺序*

从头发的结构和组成出发分析头发形状和颜色改变的可能性,剖析烫发、染发的化学原理,阐释先烫发后染发的本质原因,从化学视角辨证地看待烫发、染发的利弊。     

中美化学教科书中生涯教育思想的渗透比较与分析

对美国高中《化学概念与应用》和我国高中课程标准人教版、鲁科版、苏教版共4种化学教材里生涯教育内容进行比较,从功能定位、目标定向、对象呈现3个维度对中美2国的价值取向进行了分析,为我国高中化学教科书中生涯教育栏目的设置提出建议。     

高迁移率聚合物薄膜晶体管

以高掺杂Si单晶片作为栅电极, 热生长SiO₂作为栅介质层, 聚三己基噻吩薄膜作为半导体活性层, Au作为源、漏电极, 并采用十八烷基三氯硅烷（OTS）对栅介质表面改性, 在空气环境下成功地制备出高性能聚合物薄膜晶体管. 结果表明, 通过采用OTS对栅介质层表面修饰大幅度地改善了聚合物薄膜晶体管的电性能, 器件的场效应迁移率高达0.02 cm²/（Vs）, 开关电流比大于10⁵. 关键词： 聚合物薄膜晶体管 聚三己基噻吩 场效应迁移率 表面修饰     

The research of blow-up in 2D weakly damped forced KdV equation on thin domain

ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＷｉｔｈｃｏｍｐｌｅｘｉｔｙｏｆｔｈｅｄｙｎａｍｉｃｓｏｆｔｈｅｈｉｇｈｅｒ＿ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｄｉｓｓｉｐａｔｉｖｅｓｙｓｔｅｍｓｏｌｉｔａｒｙｗａｖｅ ,ｔｈｅｒｅｉｓｍｕｃｈｄｉｆｆｉｃｕｌｔｙｉｎｓｔｕｄｙｉｎｇｔｈｅｓｅｐｒｏｂｌｅｍｓ.Ｔｈｅｐａｐｅｒｓ [1 ]～ [3]ｍｅｎｔｉｏｎｅｄｔｈｅｔｗｏ＿ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌＫｄＶｅｑｕａｔｉｏｎｓｄｒｉｖｅｎｂｙＬａｘａｎｄ [3]ｏｂｔａｉｎｅｄｔｈｅｅｘｉｓｔｅｎｃｅｏｆｓｏｌｕｔｉｏｎｔｏｔｈｅｅｑｕａｔｉｏｎｓ…     

Local attractors for weakly damped forced KdV equation in thin 2D domains

ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＩｎｒｅｃｅｎｔｙｅａｒｓｍｕｃｈｐｒｏｇｒｅｓｓｈａｓｂｅｅｎｍａｄｅｏｎｔｈｅｈｉｇｈｅｒａｎｄｉｎｆｉｎｉｔｅｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｄｙｎａｍｉｃａｌｓｙｓｔｅｍｓ (ｓｅｅ ,ｅ .ｇ .[1 ]～ [1 0 ] ) ,ａｎｄｍａｉｎｌｙｂａｓｅｄｏｎｒｅａｃｔｉｏｎ＿ｄｉｆｆｕｓｉｏｎｅｑｕａｔｉｏｎｓ,Ｋｕｒａｍｏｔｏ＿ＳｉｖａｓｈｉｎｓｋｙｅｑｕａｔｉｏｎｓＮａｖｉｅｒ＿Ｓｔｏｋｅｓｅｑｕａｔｉｏｎｓ ,ｅｔｃ .Ｂｅｃａｕｓｅｏｆｔｈｅｆａｃｔｔｈａｔｔｈｅｐｒｉｎｃｉｐａｌｏｐｅｒ…     

竹黄多糖的化学研究

竹黄是高等真菌,腐生于箣竹上.子实体经分离后按常规发酵,再分离、纯化得到竹黄多糖SB1及SB2两个组分.物理化学性质测定证明分别为单一的均匀组分.经定性及定量气相层析分析表明SB1含D-葡萄糖、D-半乳糖和L-阿拉伯糖,摩尔比为0.37∶1:0.07;SB2含D-葡萄糖、D-半乳糖、D-甘露糖和L-阿拉伯糖,摩尔比为0.25∶1∶0.47∶0.12.经甲基化、过碘酸盐氧化、Smith降解和逐步水解等证明SB1的重复结构中含8种类型的单糖连接方式,非还原末端基团为葡萄糖、半乳糖和阿拉伯糖,主要键的连接方式为1,3-和1,3,6-葡萄糖及1,4-,1,6-和1,3,6-半乳糖.SB2的重复结构中含7种类型的单糖连接方式,非还原末端基团为葡萄糖和阿拉伯糖,主要单糖的连接方式为1,2-和1,3,6-甘露糖及1,4-,1,6-和1,3,6-半乳糖.上述多糖为一种新的杂多糖.     

窄域上2D弱阻尼KdV方程的blow-up的研究

得到了2D弱阻尼KdV方程在窄域上blow-up的时间估计。     

ATTRACTORS OF NONAUTONOMOUS SCHRODINGER EQUATIONS

The long-time behaviour of a two-dimensional nonautonomous nonlinear SchrOdinger equation is considered. The existence of uniform attractor is proved and the up per bound of the uniform attractor' s Hausdorff dimension is given.     

低工作电压聚噻吩薄膜晶体管

以高掺杂Si单晶片作为衬底且充当栅电极,采用磁控溅射法在硅片上沉积HfTiO薄膜作为栅介质层,聚三己基噻吩(P3HT)薄膜作为半导体活性层,金属Au作为源、漏电极,并采用十八烷基三氯硅烷(OTS)对栅介质层表面修饰,在空气环境下成功地制备出聚合物薄膜晶体管(PTFT).PTFT器件测试结果表明,该晶体管在低的驱动电压(<-1 V)下仍呈现出良好的饱和行为,其阈值电压和有效场效应迁移率分别为0.4 V和2.2×10^-2 cm²/V ·s.通过对金属-聚合物-氧化物 关键词： 聚合物薄膜晶体管 聚三己基噻吩 场效应迁移率 k栅介质')" href="#">高k栅介质     

沟道宽度对ZnO-TFT电学性能的影响

用射频磁控溅射法生长的ZnO薄膜作为有源层,制备出了ZnO基薄膜晶体管(ZnO-TFT),并在空气环境下350℃退火1 h,研究了沟道宽度对ZnO-TFT器件性能的影响。实验结果表明:阈值电压随着沟道宽度的减小而增加,这是由于沟道越窄,载流子被捕获的几率越大,在相同栅压下沟道内可动载流子浓度越小,相应的阈值电压就越大;饱和迁移率随着沟道宽度的减小而增加,认为这是由源/漏电阻的侧壁效应及边缘电子场效应引起的附加电流所致。