BF+2注入加固硅栅PMOSFET的研究

系统地研究了ＢＦ＋２ 注入硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌ ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＰＭＯＳＦＥＴ） 阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系,深入地探讨了ＢＦ＋２ 注入抗γ辐射加固的机理．结果表明,ＢＦ＋２ 注入对硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌ ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ（ＰＭＯＳ） 在γ辐照下引起的阈值电压漂移具有很强的抑制作用,ＢＦ＋２ 注入加固硅栅ＰＭＯＳ 的最佳注入剂量范围为５ ×１０１４ —２ ×１０１５ ｃｍ － ２ ,分布在ＳｉＯ２／Ｓｉ 界面的Ｆ 原子抑制了γ辐照下在ＳｉＯ２／Ｓｉ 界面产生的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷可能是ＢＦ＋２ 注入加固硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ 的主要原因     

G2 PREDICTION OF THE ENTHALPIES OF FORMATION FOR SOME DIATOMIC CATIONS AND NEUTRALS

Ｇ２ＰＲＥＤＩＣＴＩＯＮＯＦＴＨＥＥＮＴＨＡＬＰＩＥＳＯＦＦＯＲＭＡＴＩＯＮＦＯＲＳＯＭＥＤＩＡＴＯＭＩＣＣＡＴＩＯＮＳＡＮＤＮＥＵＴＲＡＬＳＳｕＫｅｈｅＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＣｈｅｍｉｃａｌＥｎｇｉｎｅｒｉｎｇ，ＮｏｒｔｈｗｅｓｔｅｒｎＰｏｌｙ...     

新型钼（钨）—铁—硫簇合物的穆斯堡尔和晶体结构研究

本实验测定了新型钼（钨）－铁－硫簇合物（１）（Ｅｔ４Ｎ）［ＭｏＦｅ２（μ３－Ｓ）２（ＣＯ）８（Ｓ２ＣＮＥｔ２）和（２）（Ｅｔ４Ｎ）［ＷＦｅ２（μ３－Ｓ）２（ＣＯ）８（Ｓ２ＣＮＥｔ２］的穆斯堡尔谱和晶体结构。它们分子中的两个铁原子是等价的，所以都只的一组对称的四极分裂双峰。这个结果与单晶结构分析一致。经计算机拟合后的穆斯堡尔参数（７７Ｋ时）为：对于（１），化学位移δ＝０．０８±０．００４ｍｍ／ｓ，四     

S_2分子B~(″3)Π_u态的势能函数和光谱常数的理论研究

推导了Ｓ２分子Ｂ″３Πｕ态的合理离解极限．用Ｇａｕｓｉａｎ９４ＱＣＩＳＤ（Ｔ）方法和６３１１＋＋Ｇ基组计算了Ｓ２分子Ｂ″３Πｕ以及Ｘ３Σ－ｇ态的势能曲线．给出了Ｓ２分子Ｂ″３Πｕ态的ＭｕｒｅｌＳｏｒｂｉｅ势能函数和光谱常数．Ｂ″３Πｕ与Ｂ３Σ－ｕ态在排斥支重叠范围大；同时，Ｂ″３Πｕ与Ｘ３Σ－ｇ态有相同离解极限，因而，在吸引支有重叠．讨论了Ｂ″３Πｕ与Ｂ３Σ－ｕ和Ｘ３Σ－ｇ态相互作用的特征．     

非晶纳米发光材料(Y,Eu)_2O_3-SiO_2发射光谱的分析研究

ＥＸＡＦＳ测定表明ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制备的纳米非晶（Ｙ，Ｅｕ）２Ｏ３－ＳｉＯ２发光材料中，发光中心Ｅｕ３＋的局域环境和晶态Ｘ２型Ｙ２ＳｉＯ５Ｅｕ中Ｅｕ３＋离子的局域环境相似．以此结构为依据，用Ｍ．Ｆ．Ｒｅｉｄ的方案计算了晶场迭加模型中的能级参数及光谱强度参数，并得到了与实验结果基本一致的理论光谱图     

配合物(PP)_2Cu和(PP)_3Fe的FT-Raman和FT-IR光谱研究(PP=2-(2-氧基-苯基)吡啶)

配合物（ＰＰ）２Ｃｕ和（ＰＰ）３Ｆｅ的ＦＴ┐Ｒａｍａｎ和ＦＴ┐ＩＲ光谱研究（ＰＰ＝２┐（２┐氧基┐苯基）吡啶）王悦姜世梅李艳芹（吉林大学超分子结构与谱学开放实验室长春１３００２１）ＦＴ┐ＲａｍａｎａｎｄＦＴ┐ＩＲＳｐｅｃｔｒａｏｆＣｕａｎｄＦｅＣｏｍ...     

Eu_2（DBM）_64，4＇－BIPY的合成、光谱及铕（Ⅲ）格位

合成了配合物Ｅｕ２（ＤＢＭ）６４，４＇－ＢＩＰＹ．ＩＲ和Ｒａｍａｎ光谱都证实了配合物的生成．７７Ｋ下激光激发高分辨激发光谱和离光光谱表明配合物存在５Ｄ０能级能量差别为１５ｃｍ－１的两种Ｅｕ（Ⅲ）格位，两种Ｅｕ（Ⅲ）离子均不位于对称中心．由５Ｄ０→７Ｆ０、１、２跃迁荧光光谱峰数判断，两种Ｅｕ（Ⅲ）格位的区域对称性均为Ｃ１或Ｃ２或Ｃ２．两种格位Ｅｕ（Ⅲ）离子的发光寿命分别为０．３７ｍｓ和０．３２ｍｓ．     

［（μ－CF＿3CO＿2）＿2Ln（μ－CF＿3HCO＿2）Al（i－Bu）＿2·2THFl＿2（Ln＝Nd，Y）配合物的NMR和X－射线衍射研究

对［μ－ＣＦ＿３ＣＯ＿２）＿２Ｌｎ（μ－ＣＦ＿３ＨＣＯ＿２）Ａｌ（ｉ－Ｂｕ）＿２·ＴＨＦｌ＿２（Ｌｎ＝Ｎｄ，Ｙ）配合物单晶结构的Ｘ－射线分析指出，配合物具有中心对称性，配位中心由两个稀土和两个Ａｌ离子组成，稀土由两个ＴＨＦ和６个ＴＦＡ分子配位形成畸变的三盖三棱柱结构，Ａｌ由两个ＴＦＡＧ和两个ｉ－Ｂｕ配位形成四面体结构。桥连Ａｌ与两个稀土的ＴＦＡ分子的羧基发生歧化加氢，其碳原子由ＳＰ￣２型转变为ＳＰ￣３型．ＮＭＲ研究表明，在ＴＨＦ溶液中，该配合物保持了它在单晶中的配位结构，所不同的是两个ｉ－Ｂｕ在溶液中有两种异构形成，二者间为慢交换过程。     

Bi2Sr2Ca(Cu1-xMnx)2Oy单晶的结构与超导电性

用自助熔剂法制备了Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ（Ｃｕ１－ｘＭｎｘ）２Ｏｙ（ｘ＝０．０１,０．０５,０．０８,０．１０）单晶。单晶的ｃ轴长度随Ｍｎ含量的增加而减小。Ｒ－Ｔ曲线测量表明,零电阻温度Ｔｃ随ｘ的增大面逐渐下降。对Ｍｎ掺杂量较高的一些单晶,发现其Ｒ－Ｔ曲线在１０５Ｋ左右有一陡降,表明Ｍｎ掺杂量较高的单晶中可能有微量的Ｂｉ２２２３相成分存在。     

发光体Mg_2Y_（8－x－y）（SiO_4）_6O_2：Eu_x~（3＋），B

采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ方法首次在比较低的温度下制备了具有氧磷灰石结构的发光体Ｍｇ２Ｙ８－ｘ－ｙ（ＳｉＯ４）６Ｏ２：Ｅｕ，Ｂｉ（ｘ，ｙ≥０），利用ＸＲＤ、ＩＲ、ＴＧ－ＤＴＡ三种手段研究了发光体的形成过程。室温（２９３Ｋ）和液氮温度（７７Ｋ）的荧光光谱表明Ｅｕ３＋和Ｂｉ３＋在这种基质中分别发射红光和蓝光，每ｍｏｌ基质中其最佳掺杂浓度分别为０．１４ｍｏｌ和０．０３ｍｏｌ，并且其发光都存在温度猝灭。Ｅｕ３＋的激光感生荧光光谱中存在两条５Ｄ０－７Ｆ０跃迁线，表明Ｅｕ３＋同时进入４ｆ格位和６ｈ格位。在Ｅｕ３＋、Ｂｉ３＋共掺杂的发光体中，观察到了Ｂｉ３＋→Ｅ３＋的部分能量传递。     

不同氧含量Bi2Sr2CaCu2O8+δ单晶电阻率的各向异性

精确测量了在不同氧压下退火的单晶Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋δ（Ｂｉ２２１２）样品的ＣｕＯ面内和ＣｕＯ面外的电阻率ρｃ（Ｔ）和ρａｂ（Ｔ）．发现ρｃ（Ｔ）和各向异性比（ρｃ（Ｔ）／ρａｂ（Ｔ））随着载流子浓度增加而迅速下降．在过掺杂样品中，高于１２０Ｋ时，ρｃ随温度线性下降，而各向异性比与温度仅有微弱的依赖关系．ρｃ（Ｔ）和ρｃ（Ｔ）／ρａｂ（Ｔ）的值可以用Ａｌｅｘａｎｄｒｏｖ和Ｍｏｔ建立的双极化子模型很好地加以拟合     

化合物（Et_4N）_2［Pd_2（mp）_2（μ－mpH）_2］的NMR研究

采用１Ｈ－１ＨＣＯＳＹ，ＨＭＱＣ、ＨＭＢＣ等２ＤＮＭＲ技术对化合物（Ｅｔ４Ｎ）２［Ｐｄ２（ｍｐ）２（μ－ｍｐＨ）２］进行１Ｈ、１３ＣＮＭＲ谱数据分析与归属．表明它在ＤＭＳＯ溶液中仍保持原有固体状态的分子结构．     

Bi—2212相欠掺杂区域的反常输运性质研究

测量了Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１－ｘＹｘＣｕ２Ｏ８单晶样品ａｂ平面内电阻率ρａｂ和多晶样品电阻率ρ．热电势Ｓ随温度Ｔ的变化关系（单晶：ｘ的范围从０到０．１５；多晶：ｘ的范围从０到０．４）．在单晶和多晶样品中，都系统地观察到类似于ＹＢａ２Ｃｕ４Ｏ８，ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｙ体系中由于自旋能隙出现而引起的输运性质反常现象．详细地讨论了上述实验结果，并与角分辨率光电子能谱实验（ＡＲＰＥＳ），电子拉曼实验结果进行比较，得出Ｂｉ２２１２相欠掺杂区域的电子相图．     

激光分子束外延制备的BaTiO3及c取向YBa2Cu3O7-δ薄膜的生长模式

用反射式高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ） 和原子力显微镜（ＡＦＭ） 研究激光分子束制备的铁电ＢａＴｉＯ３ 和高Ｔｃ 超导ｃ 取向Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７ 薄膜的生长模式,ＢＴＯ 铁电薄膜是原子级平整的层状生长模式;ｃ 取向ＹＢＣＯ 超导薄膜是ＳＫ生长模式 当薄膜厚度小于５ 个原胞时,层状生长,然后是台阶岛状生长．处理ＳｒＴｉＯ３ 基片表面可以改变ｃ 取向ＹＢＣＯ薄膜的生长模式     

Effects of Atomic Centre-of-mass Motion in T-C Model

ＥｆｅｃｔｓｏｆＡｔｏｍｉｃＣｅｎｔｒｅｏｆｍａｓＭｏｔｉｏｎｉｎＴＣＭｏｄｅｌＸ．Ｘ．Ｙｉ１，３）Ｔ．Ｊｉｎｇ２）Ｊ．Ｃ．Ｓｕ３）（１）ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＴｈｅｏｒｅｔｉｃａｌＰｈｙｓｉｃｓ，ＮｏｒｔｈｅａｓｔＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉ...     

YBa_2Cu_3O_(7-δ)高温超导膜的Raman标定

ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高温超导膜的Ｒａｍａｎ标定张鹏翔１，２，Ｈ．－Ｕ．ＨＡＢＥＲＭＥＩＥＲ２，Ｍ．Ｃａｒｄｏｎａ２（１云南工业大学材料科学与工程系昆明云南６５００５１中国）（２Ｍａｘ－Ｐｌａｕｄ－ＩｎｓｔｉｔｕｔｆüｒＦｅｓｔｋｏｒｐｅｒｆｏｒｓｃ...     

ELECTRON MOMENTUM SPECTRA OF EXCITED He(2~1S) AND He(2~3S)

ＥＬＥＣＴＲＯＮＭＯＭＥＮＴＵＭＳＰＥＣＴＲＡＯＦＥＸＣＩＴＥＤＨｅ（２１Ｓ）ＡＮＤＨｅ（２３Ｓ）ＣｈｅｎＺｈａｎｇｊｉｎＳｈｉＱｉｃｕｎＣｈｅｎＪｉＸｕＫｅｚｕｎＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭｏｄｅｒｎＰｈｙｓｉｃｓ，ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＳｃｉｅｎ...     

（Bi，Pb）_2Sr_2（R，Ce）_2Cu_2O_（10＋δ）超导体碘嵌入后

超导体系（Ｐｂ１．８Ｐｂ０．２）Ｓｒ２（Ｒ１．７Ｃｅ０．３）Ｃｕ２Ｏ１０＋δ（Ｒ＝Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｙ）经碘嵌入后形成一个Ｃ轴拉长的新结构．每个式子可含一个碘原子．碘使每个（ＢｉＯ）双层膨胀３．４至３．６Ａ，体系氧含量减少从而导致Ｔｃ下降．与其它超导体系相比，碘嵌入的样品的（ＣｕＯ２）面间距很大，但Ｒ＝Ｓｍ，Ｎｄ的样品仍然超导，这意味着（ＣｕＯ２）面间偶台对超导性产生并不重要．     

草酰胺桥联双核铜配合物Cu2（oxen）（SCN）2从头算研究

运用Ｇａｕｓｓｉａｎ９４Ｗ量子化学程序包,采用ＬａｎＬ２ＤＺ基组,对草酰胺桥联双核铜配合物Ｃｕ２（ｏｘｅｎ）（ＳＣＮ）２［Ｈ２ｏｘｅｎ＝Ｎ,Ｎ′－二－（２－胺乙基）草酰胺］顺、反构型及基单、三重态的电子组态进行从头算研究,探讨其配合物的稳定性、分子轨道能量、原子净电荷布居规律以及电子结构特征等。结果表明：在Ｃｕ２（ｏｘｅｎ）（ＳＣＮ）２分子的４种可能的构型与组态中,最稳定的是反式三重态构型,其原因     

合成抗孕酮新药RU-486中间体3,3-乙撑二氧-5α,10α及5β,10β-环氧-Δ~(9(11))-雌烯-17α(1-丙炔基)-17β-羟基的~1H和~(13)C NMR谱线全归属

用１Ｄ及２ＤＮＭＲ技术（ＣＯＳＹ，ＴＯＣＳＹ，ＨＭＱＣ及ＨＭＢＣ）归属了合成抗孕酮新药ＲＵ－４８６中间体３，３乙撑二氧５α，１０α及５β，１０β环氧－Δ９（１１），雌烯１７α（１－丙炔基）１７β羟基的１Ｈ和１３ＣＮＭＲ谱线．