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对金属氧化物半导体(MOS)器件在低剂量率γ射线辐照条件下的剂量率效应以及温度效应进行了研究.对不同剂量率、不同温度辐照后MOS器件的阈值电压漂移进行了比较.结果表明,低剂量率辐照下,感生界面态要受到辐照时间的长短以及生成的氢离子数目的影响,辐照时间越长,生成的氢离子越多,感生界面态密度越大;温度对界面态的影响与界面态建立的时间有关,低温辐照时,界面态建立的时间要加长
关键词:
辐照效应
阈值电压漂移
低剂量率
低温
界面态 相似文献
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研究了金属-氧化物-半导体(MOS)器件在γ射线辐照条件下的温度效应.采用加固的CC4007进 行辐照实验,在不同温度、不同偏压,以及不同退火条件下对MOS器件的辐照效应进行了比 较,发现温度对辐照效应的影响主要是决定界面态建立的快慢.高温下辐照的器件,界面态 建立的时间缩短.根据实验结果对器件阈值电压漂移的机理进行了探讨.
关键词:
金属-氧化物-半导体场效应
辐射效应
阈值电压漂移 相似文献
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系统地研究了BF+2 注入硅栅Pchannel metaloxidesemiconductor fieldeffect transistor(PMOSFET) 阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系,深入地探讨了BF+2 注入抗γ辐射加固的机理.结果表明,BF+2 注入对硅栅Pchannel metaloxidesemiconductor(PMOS) 在γ辐照下引起的阈值电压漂移具有很强的抑制作用,BF+2 注入加固硅栅PMOS 的最佳注入剂量范围为5 ×1014 —2 ×1015 cm - 2 ,分布在SiO2/Si 界面的F 原子抑制了γ辐照下在SiO2/Si 界面产生的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷可能是BF+2 注入加固硅栅PMOSFET 的主要原因 相似文献
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