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玻璃基片上的SiO2膜已在液晶显示器件制造业中得到了广泛应用,SiO2膜性能在很大程度上决定了液晶显示器件的化学稳定性及使用寿命,SiO2膜致密性及膜厚可由P-蚀刻法测量出。本文提出了一种评估液晶显示器件中使用SiO2膜层性能的简便而又快捷的方法。 相似文献
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研究 Hf O2/ Si O2 高反射膜的制备工艺及其激光诱导损伤阈值的比较测试,分别采用了反应蒸镀 Hf O2、反应离子辅助蒸镀 Hf O2、反应离子辅助蒸镀金属 Hf 的源材料形成 Hf O2 薄膜。采用这三种工艺制备了 Hf O2 / Si O2 高反射膜,在中心波长 1064nm 处,反射率 R≥99.5% ,其中反应蒸镀 Hf O2 / Si O2 高反射膜损伤阈值最高,可达 60 J/cm 2(1064nm ,5ns)。 相似文献
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溶胶—凝胶法制备CdS微晶掺杂TiO2/SiO2薄膜及其非线性光学特性 总被引:3,自引:1,他引:2
采用溶胶-凝胶方法在普通的载玻片上制备了CdS微晶掺杂的TiO2/SiO2复合薄膜。用正硅酸乙酯、钛酸丁酯、醋酸镉作原料,比较了两种硫化剂:硫尿和硫代乙酰氨的硫化作用。X射线衍射谱和拉曼光谱揭示了CdS微晶镶嵌在TiO2/SiO2薄膜的玻璃网络中。不同热处理温度、不同热处理时间的吸收光谱表明薄膜中存在着量子尺寸效应。采用Z扫描技术测量了薄膜的非线性吸收及非线性折射率n2=-4.67×10-7esu。 相似文献
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用直流平面磁控溅射沉积薄膜的方法在Si和玻璃基片上制备了Ta2O5/TiO2混合薄膜,薄膜的透射光谱研究结果表明,在TiO2掺入浓度为0到17%,薄膜的折射率从2.08到2.23。薄膜折射率与掺入TiO2的浓度呈近线性关系。薄膜的MOS电容器的I-V和C-V测量表明,经过退火处理能够提高Ta2O5/TiO2混合薄膜的介电常数。 相似文献
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玻璃基片上SiO_2膜层厚度的测量方法 总被引:1,自引:0,他引:1
钠钙玻璃基片在液晶显示器件(LCD) 等制造业中得到了广泛的应用。为防止基片中的碱金属离子扩散到器件的工作介质中,进而影响其化学稳定性和使用寿命,一般要在基片表面镀上一定厚度的SiO2 膜层,以便起到阻挡层的作用。基于P 蚀刻剂对SiO2 膜层和基片有显著不同的蚀刻速度,提出了一种测量玻璃基片上的SiO2 膜层厚度的方法,即:利用表面轮廓仪,在测量三个不同的蚀刻数据后,计算出SiO2 膜层的厚度。以用射频溅射法制备的SiO2 膜层为样品进行了测量,具体的实验数据证实了该方法的可靠性和有效性 相似文献
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从非晶态多层膜制备超晶格的中温退火法俄勒冈大学化学系和村料科学所Johnson小组在《Science》发表研究报告称:利用中温退火使非晶态多层膜转化为NbSe2/TiSe2超晶格.最初的多层膜由Se/Nb/Se/Ti/Se…组成,其厚度严格受控,使反... 相似文献
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双离子束溅射沉积薄膜的光学特性与激光损伤研究 总被引:5,自引:1,他引:4
对氧化物薄膜的双离子束溅射沉积作用了系统地实验研究。考察了离子束溅射工艺参数对薄膜光学特性的影响。制备了折射率接近于块材料的TiO2和ZrO2薄膜,显著降低了TiO2,ZrO2和SiO2薄膜的光吸收损耗,TiO2和ZrO2薄膜的抗激光损伤阈值得到显著提高。用双离束溅射沉积1.06μm多层高反,是到了大于99.5%的高反射率,经高温退火处理的双离子束溅射沉积高反膜的抗激光损伤阈值同热蒸发沉积的高反膜 相似文献
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确定薄膜厚度和光学常数的一种新方法 总被引:20,自引:7,他引:13
借助于不同的色散公式,运用改进的单纯形法拟合分光光度计测得的透过率光谱曲线,来获得薄膜的光学常数和厚度。用科契公式分别对电子束蒸发的TiO2和反应磁控溅射的Si3N4,以及用德鲁特公式对电子束蒸发制备的ITO薄膜进行了测试,结果表明测得的光学常数和厚度,与已知的光学常数以及台阶仪测得的结果具有很好的一致性。这种方法不仅简便,而且不需要输入任何初始值,具有全局优化的能力,对厚度较薄的薄膜也可行。采用不同的色散公式可以获得各种不同薄膜的光学常数和厚度,这在光学薄膜、微电子和微光机电系统中具有实际的应用价值。 相似文献
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利用电子束热蒸发镀膜的方式,以高纯度的ZnO和TiO2颗粒为原料,以Si为基底在有氧的气氛中制备ZnO/TiO2复合薄膜。研究制备温度对ZnO/TiO2薄膜的结构以及发光性能的影响。通过拉曼(Raman)谱和X射线衍射(XRD)谱分析了ZnO/TiO2薄膜的结构,表明所制备的ZnO薄膜为非晶态。用光致发光 (PL) 谱表征了它的发光特性,数据表明在250℃时制备的非晶态ZnO薄膜在波长389nm处具有极强的紫外光发射,在波长431nm处发出很强的紫光,在波长519nm处发出较强的黄绿光。 相似文献
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Synthesis of titanium nitride thin films deposited by a new shielded arc ion plating 总被引:2,自引:0,他引:2
Yanhui Zhao Guoqiang LinJinquan Xiao Wenchang LangChuang Dong Jun GongChao Sun 《Applied Surface Science》2011,257(13):5694-5697
Thin films of titanium nitride (TiN) were deposited on stainless steel substrates by a modified deposition technique, double-layered shielded arc ion plating with vicarious circular holes (DL-SAIP). The results show that the TiN film with the distance of 10 mm between the double-layered shield plates had the least droplets. The deposition rate of the films prepared with the new technique was more homogeneous than that of all the other shielded arc ion plating. The film/substrate adhesion and microhardness values of the TiN films were higher than 40 N and 18 GPa, respectively. Thus such TiN thin films can be expected in applications. 相似文献
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根据薄膜沉积过程等离子体对光学薄膜膜蒸气分子或原子的作用,建立低压等离子体离子镀设备,并对常规光学薄膜、如硫化物、氧化物薄膜以及多层膜器件进行了系统的研究,对所制备薄膜样品的透射光谱、吸收、散射以及膜层的聚集密度等进行了全面的测试分析。实验研究表明,低压等离子体离子镀可大大提高常规光学薄膜的光机性能。 相似文献
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Improvement of dielectric (Ba,Sr)TiO3 thin tunability and loss tangent of films with K doping 下载免费PDF全文
Ba0.6Sr0.4 TiO3 thin films doped with K were deposited on Pt/Ti/SiO2 /Si substrates by the chemical solution deposition method. The structure, surface morphology and the dielectric and tunable properties of Ba0.6Sr0.4 TiO 3 thin films have been studied in detail. The K content in Ba0.6Sr0.4TiO3 thin films has a strong influence on the material’s properties including surface morphology and the dielectric and tunable properties. It was found that the Curie temperature of K-doped Ba0.6Sr0.4 TiO3 films shifts to a higher value compared with that of undoped Ba0.6Sr0.4TiO3 thin films, which leads to a dielectric enhancement of K-doped Ba0.6Sr0.4 TiO3 films at room temperature. At the optimized content of 0.02 mol, the dielectric loss tangent is reduced significantly from 0.057 to 0.020. Meanwhile, the tunability is enhanced obviously from 26% to 48% at the measured frequency of 1 MHz and the maximum value of the figure of merit is 23.8. This suggests that such films have potential applications for tunable devices. 相似文献
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二氧化钛薄膜的制备及退火对其形貌、结构的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用磁控溅射技术,在石英基片上沉积Ti膜,分别在400、600、700、900℃的大气中退火获得TiO2薄膜。采用这种制备方式获得的TiO2薄膜呈现不同的颜色,退火温度为400℃的样品为暗紫红色,600℃时为黑色,而在700℃和900℃时均为黄色。采用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)以及Raman光谱等手段研究了退火温度对TiO2薄膜的结构和形貌的影响。结果表明:退火温度为400℃时,TiO2薄膜为锐钛矿相,温度升高至600℃时,几乎转变为金红石晶相,但仍存在微量锐钛矿相,温度升高至700℃以上,则完全转变为金红石晶相。由XRD衍射图可知退火温度为700℃和900℃时,薄膜的金红石相沿(101)晶面择优取向。 相似文献
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研究基片温度(120~300 ℃)和热处理温度(400℃)对电子束蒸发TiO2薄膜的结构和光学性能的影响.XRD分析表明,在120 ℃, 200 ℃和300 ℃的普通玻璃基片上采用电子枪加热蒸发制备的TiO2薄膜具有非晶态结构,沉积态薄膜经过400 ℃保温1 h的热处理后得到的相为具有(004)取向的锐钛矿相,晶粒大小在3.6~8.1 nm之间.透射谱分析表明,薄膜的折射率随着基片温度的升高而增加;热处理后,薄膜的折射率也相应提高,其原因来自于薄膜的晶化. 相似文献