溶胶-凝胶法制备的高压电常数（Bi0.5Na0.5）1－xBaxTiO3系无铅压电陶瓷

测量了使用溶胶-凝胶工艺制备的(Bi0.5Na0.5)1-xBaxTiO3(x=0.00，0.04，0.06，0.08,0.12)系陶瓷的介电、压电、铁电和热释电性能.由于使用了溶胶-凝胶工艺制备的粉料，因此所有样品的压电性能都得到了较大提高.其中(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO.3系陶瓷具有该系列最大的压电常数，d33=173×10-12C/N，与传统工艺相比，d33提高了近40%.同时，在一定范围内，随Ba含量的增加，材料的剩余极化Pr和矫顽场Ec逐渐减小，退极化温度逐渐降低.对于(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO.3系陶瓷，剩余极化和矫顽场分别为25μC/cm2和28kV/cm，退极化温度约为80℃. 关键词： 溶胶-凝胶 压电常数 剩余极化 矫顽场     

Bi0.5Ba0.5Fe0.5Ti0.49Nb0.01O3热敏陶瓷的微结构和电学性能研究

采用固相合成工艺,制备了Bi_05Ba_05Fe_05Ti_049Nb_001O₃（BBFTN）热敏陶瓷,借助X射线衍射仪、扫描电子显微镜、阻温测试仪和交流阻抗谱考察其微结构、直流电阻、介电特性、阻抗和电学模量方面的电学性能. 结果表明：BBFTN材料依然为立方钙钛矿结构,平均晶粒尺寸约为10 μm,晶格常数相对于BaTiO₃的晶格常数有所变大;室温电 关键词： 05Ba_05Fe_05Ti_049Nb_001O₃')" href="#">Bi_05Ba_05Fe_05Ti_049Nb_001O₃ 微结构 电学性能     

溶胶-凝胶法制备的高压电常数(Bi_(0.5)Na_(0.5))_(1-x)Ba_xTiO_3系无铅压电陶瓷

测量了使用溶胶 凝胶工艺制备的 (Bi0 5Na0 5) 1 -xBaxTiO3(x =0 0 0 ,0 0 4 ,0 0 6 ,0 0 8,0 12 )系陶瓷的介电、压电、铁电和热释电性能 .由于使用了溶胶 凝胶工艺制备的粉料 ,因此所有样品的压电性能都得到了较大提高 .其中(Bi0 5Na0 5) 0 94 Ba0 0 6 TiO3系陶瓷具有该系列最大的压电常数 ,d33=173× 10 - 1 2 C N ,与传统工艺相比 ,d33提高了近4 0 % .同时 ,在一定范围内 ,随Ba含量的增加 ,材料的剩余极化Pr 和矫顽场Ec 逐渐减小 ,退极化温度逐渐降低 .对于 (Bi0 5Na0 5) 0 94 Ba0 0 6 TiO3系陶瓷 ,剩余极化和矫顽场分别为 2 5 μC cm2 和 2 8kV cm ,退极化温度约为 80℃ .     

单相Na0.5Bi0.5Ti1-xMnxO3陶瓷中的多铁性

溶胶凝胶法制备了Na0.5Bi0.5Ti1-xMnxO3(x=0,0.02,0.04)陶瓷样品,X射线衍射(XRD)分析表明陶瓷样品均形成了单一的钙钛矿(ABO3)型结构且没有杂质相的形成.随着Mn含量的增加,XRD峰向高角度方向移动,表明Mn离子进入Na0.5Bi0.5TiO3晶格.掺杂样品均表现出室温铁磁性和铁电性.磁测量表明样品中存在复杂的磁相互作用,包括铁磁,反铁磁和顺磁相互作用.以上结果表明,通过Mn的掺杂可以使铁电材料Na0.5Bi0.5TiO3转变为多铁材料.     

YBa2Cu3O7－δ/SrNb0.01Ti0.99O3 p-n结的制备及其特性

采用脉冲激光沉积技术，在n型SrNb001Ti099O3(SNTO)单晶基片上生长p型YBa2Cu3O7-δ(YBCO)薄膜，制备出YBCO/SNTO p n结.YBCO薄膜是高度c轴织构的超导薄膜，且具有良好的超导电性.YBCO/SNTO p n结具有较好的整流特性和很好的温度与磁场稳定性. 关键词： YBa2Cu3O7-δ SrNb001Ti099O3 p n结     

Sn3.0Ag0.5Cu倒装焊点中的电迁移

采用10⁴ A/cm²数量级的电流密度对Sn30Ag05Cu倒装焊点中的电迁移机理作了研究.电迁移引起的原子（或空位）的迁移以及在此过程中形成的焦耳热,使Sn30Ag05Cu倒装焊点的显微形貌发生变化.电迁移作用下,由于空位的定向迁移和局部的电流聚集效应使阴极芯片端焊料与金属间化合物界面形成薄层状空洞.处于阴极的Cu焊盘的Ni（P）镀层与焊料间也产生了连续性空洞,但空洞面积明显小于处于阴极的芯片端焊料与金属间化合物界面.焊盘中的Cu原子在电迁移作用下形成与电子流方向一致的通量,最终导致焊点高电流密度区域出现连续性的金属间化合物且金属间化合物量由阴极向阳极逐渐增多. 关键词： Sn30Ag05Cu 倒装 焊点 电迁移     

两个子带占据的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中填充因子的变化规律

研究了低温(15K)和强磁场(0—13T)条件下, InP基In_053Ga_047As/In_052Al_048As量子阱中电子占据两个子带时填充因子随磁场的变化规律.结果表明,在电子自旋分裂能远小于朗道能级展宽的情况下,如果两个子带分裂能是朗道分裂能的整数倍时,即ΔE₂₁=kω_c(其中k为整数),填充因子为偶数;当两个子带分裂能为朗道分裂能的半奇数倍时,即ΔE₂₁=(2k+1)ω_c/2,填充因子出现奇数. 关键词： 053Ga_047As/In_052Al_048As量子阱')" href="#">In_053Ga_047As/In_052Al_048As量子阱 填充因子 磁输运     

非化学计量和掺杂对(Na_(1/2)Bi_(1/2))_(0.92)Ba_(0.08)TiO_3陶瓷电性能的影响

研究了非化学计量和掺杂对无铅压电陶瓷 (Na1 2 Bi1 2 ) 0 .92 Ba0 .0 8TiO3的压电性能及去极化温度的影响 .研究发现A位非化学计量可以提高陶瓷的压电性能 ;B位掺杂对材料电学性能的影响规律类似于Pb(Ti,Zr)O3系压电陶瓷的相关规律 ;由于非化学计量和掺杂会影响到A位离子对B位离子与氧离子形成的BO6 八面体的耦合作用 ,影响到畴的稳定性 ,从而影响到 (Na1 2 Bi1 2 ) 0 .92 Ba0 .0 8TiO3陶瓷的去极化温度 ;所研究的陶瓷样品的去极化温度越低 ,压电系数越高 .     

衬底温度对PLD法生长的Mg0.05Zn0.95O薄膜结构和发光特性的影响

用脉冲激光沉积(PLD)法在不同温度的Si(111)衬底上成功制备了c轴择优取向的Mg_005Zn_095O薄膜.通过X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)研究了衬底温度对Mg_005Zn_095O薄膜结构和发光特性的影响,探讨了薄膜的结晶质量与发光特性之间的关系.结果表明,在衬底温度为450℃时生长的Mg_005Zn_095O薄膜具有很好的c轴取向和较强的光致发光峰.室温下分别用激发波长为240,300和325nm的氙灯作为激发光源得到不同样品的PL谱,分析表明紫外发光峰和紫峰来源于自由激子的复合辐射且发光强度与薄膜的结晶质量密切相关,蓝绿发光峰与氧空位有关.此外,探讨了衬底温度影响紫外光致发光峰红移和蓝移的可能机理. 关键词： 005Zn_095O薄膜')" href="#">Mg_005Zn_095O薄膜 PLD 衬底温度 光致发光     

非晶Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9合金激光纳米化的超精细结构研究

在CO₂激光功率为50—300W、扫描速度为20mm/s、激光散光斑为20mm照射条件下 ，诱导非 晶Fe_735Cu₁Nb₃Si_135B9带中发生结构重组，产生定量纳米α-F e(Si)晶相形成双相组织结构材料. 利用穆斯堡尔谱研究了非晶Fe_735C u₁Nb₃Si_135B₉合金激光纳米化的 超精细结构. 实验结果表明，激光诱导非晶 Fe_735Cu₁Nb₃Si_135B ₉纳米化后，其超精细磁场的分布随 着激光功率变 化由单峰向双峰变化，在高功率辐照时， 出现了双峰分布，并且峰位向高场移动. 高激光 功率辐照非晶Fe_735Cu₁Nb₃Si_{135B9合金纳米晶化相有四种超精细结 构，即2个超精细磁场较小的初晶相和2个超精细磁场较大的纳米晶化相. 其中超精细磁场较 大(17—25MA/m)的α-Fe(Si)相为DO3结构. 关键词： 激光 纳米晶α-Fe（Si) 735}Cu₁Nb< sub>3Si_135B₉')" href="#">非晶Fe_735Cu₁Nb< sub>3Si_135B₉ 超精细结构 超精细磁场     

Dielectric,electromechanical coupling properties of Mn-doped Na0.5Bi0.5TiO3–BaTiO3 lead-free single crystal

Applied Physics A - Mn-doped 0.948Na0.5Bi0.5TiO3–0.052BaTiO3 (NBBT94.8/5.2) lead-free single crystal with excellent piezoelectric and electromechanical coupling properties was successfully...     

(111)取向生长Pb(Zr0:95Ti0:05)O3纳米晶薄膜的铁电与热释电特性

" 在Pt/Ti/SiO2/Si基片上用溶胶-凝胶法与快速退火工艺制备了300 nm厚的锆钛酸铅Pb(Zr0:95Ti0:05)O3 (PZT95/5)反铁电薄膜．结果显示600~700 ℃晶化处理的钙钛矿PZT95/5薄膜具有高度(111)取向生长特性．薄膜的电性能测量采用金属-铁电-金属电容器结构．在20 V电压作用下,600~700 ℃晶化处理的PZT95/5薄膜显示出饱和电滞回线．在1 kHz下,600、650和700 ℃晶化的薄膜介电常数与损耗分别为519与0.028、677与0.029、987     

掺铒铋酸盐玻璃的光谱性质和热稳定性研究

测试了铋酸盐玻璃(85-x)Bi2O3-(10+x)B2O３-5Na2O(x=0，5，10，15，20，25 mol%)中Er3+离子的吸收光谱、荧光光谱、荧光寿命及热稳定性.应用Judd-Ofelt理论计算了铋酸盐玻璃中Er3+离子的强度参数(Ω2=(352—386)×10-20cm2,Ω4=(138—152)×10-20cm2,Ω6=(093—117)×10-20cm2),应用McCumber理论计算了Er3+离子的受激发射截面(σe=(70—95)×10-21cm2)及Er3+离子4I13/2→4I15/2发射谱的荧光半高宽(FWHM=57—79nm)，测得了Er3+离子４I13/2能级荧光寿命(τm=265—159ms)，分析了玻璃的热稳定性能.研究了Er3+离子各种光谱参数对成分的依赖性，发现随着玻璃中B2O3含量的增加，强度参数Ωt(t=2,4,6)、荧光半高宽(FWHM)、热稳定性均相应增加，而测得的荧光寿命却减小.比较了不同基质玻璃中Er3+离子的光谱特性，结果表明掺铒铋酸盐玻璃更适合于掺Er3+光纤放大器实现宽带和高增益放大. 关键词： 铋酸盐玻璃 光谱性质 成分依赖性 Er3+离子     

Characterization of lead free (K0.5Na0.5)NbO3-LiSbO3 piezoceramic

(K_0.5Na_0.5)NbO₃ (KNN) based lead free ceramics have been fabricated by a solid state reaction. In this work, LiSbO₃ (LS) modified KNN based ceramics were sintered at atmospheric pressure and high density (>96% theoretical) was obtained. The detailed elastic, dielectric, piezoelectric and electromechanical properties were characterized by using the resonance technique combined with the ultrasonic method. The full set of material constants for the obtained polycrystalline ceramics were determined and compared to the pure hot pressed KNN counterpart. KNN-LS polycrystalline ceramic was found to have higher elastic compliance, dielectric permittivity and piezoelectric strain coefficients, but lower mechanical quality factor, when compared to pure KNN, exhibiting a “softening” behavior. However, a high coercive field (∼17 kV/cm) was found for the LS modified KNN material. The properties as a function of temperature were determined in the range of −50-250 ^°C, showing a polymorphic phase transition near room temperature, giving rise to improved piezoelectric behavior.     

In‐situ X‐ray diffraction study of an electric field induced phase transition and giant strain in Na0.5Bi0.5TiO3–x %BaTiO3 lead‐free single crystals

A giant electric field (E) induced strain of ε = 0.60% has been observed for Na_0.5Bi_0.5TiO₃–5.6%BaTiO₃ single crystals under E = 20 kV/cm at 130 °C. In‐situ X‐ray diffraction (XRD) revealed that this induced transition was between pseudocubic and tetragonal structures. Our work provides a potential alternative to lead‐based piezoelectric materials. (© 2011 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)     

Structural and electrical properties of polycrystalline PbZr0.5Ti0.5O3 films deposited on La0.5Sr0.5CoO3 coated silicon by sol-gel process

La_0.5Sr_0.5CoO₃ (LSCO) films have been grown on Si (100) by a metalorganic chemical liquid deposition (MOCLD) technique using lanthanum acetate, strontium acetate and cobalt acetate as the starting materials. Subsequent PbZr_0.5Ti_0.5O₃ (PZT) films were deposited onto LSCO films by a modified sol-gel method. Field-emission scanning electron microscopy and X-ray diffraction analysis show that PZT and LSCO films are polycrystalline and entirely perovskite phase. At an applied electric field of 250 kV/cm, the Pt/PZT/LSCO capacitor shows no polarization fatigue after 3×10⁹ switching cycles and an internal electric field; the remnant polarization P_r and the coercive field E_c are about 22 μC/cm² and 73 kV/cm, respectively. The dielectric constant of PZT films is 650 at a frequency of 1 kHz. Received: 20 February 2001 / Accepted: 6 June 2001 / Published online: 30 August 2001     

Electromechanical properties and dielectric behavior of (Bi1/2Na1/2)(1−1.5x)BixTiO3 lead-free piezoelectric ceramics

Bismuth doped bismuth sodium titanate ceramics [(Bi_1/2Na_1/2)_(1−1.5x)Bi_xTiO₃, x=0 to 0.06] were prepared, and the resulting effects on the microstructure and dielectric properties were examined. All of the Bi-doped ceramics exhibited a single phase of perovskite structure with rhombohedral symmetry. The poling leakage current was significantly reduced by the doping of Bi, facilitating the poling process of the ceramics. The doping with Bi enhances the piezoelectric properties and increases the dielectric constant and the dielectric loss of the ceramics. At 2 mol% Bi-doping level, the ceramics exhibit a large remanent polarization of 47 μC/cm² and a relatively low coercive field of 71 kV/cm, while their d₃₃ and k_p reach a maximum value of 95 pC/N and 21%, respectively.