首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   21篇
  免费   13篇
  国内免费   12篇
化学   16篇
力学   2篇
数学   4篇
物理学   24篇
  2020年   1篇
  2016年   1篇
  2014年   2篇
  2009年   2篇
  2008年   4篇
  2007年   6篇
  2006年   3篇
  2005年   1篇
  2004年   1篇
  2003年   2篇
  2002年   1篇
  2001年   2篇
  2000年   3篇
  1999年   2篇
  1997年   3篇
  1996年   2篇
  1993年   1篇
  1992年   2篇
  1991年   6篇
  1989年   1篇
排序方式: 共有46条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
以肝糖为毛细管电泳手性选择剂,对盐酸度洛西汀对映体的分离进行研究,建立了拆分方法.考察了手性选择剂浓度、运行缓冲液的离子强度、pH值及分离电压对手性分离的影响.在3.0% (m/V)肝糖、50 mmol/L Tris-H3PO4(pH 3.0)的运行缓冲液中,分离电压25 kV时,盐酸度洛西汀两对映体分离度达1.84.对分离机制进行了初步探讨.  相似文献   
2.
给出了一个由满足$M_\Delta$条件的N-\!函数生成的弱Orlicz空间的内插定理.
通过弱Hardy鞅空间的弱原子分解, 证明了类似的定理对弱Orlicz
鞅空间成立, 应用内插定理得到了一些弱Orlicz鞅空间的嵌入关系.  相似文献   
3.
在自建的非线性介电测试装置上测得了PT,BT、PZT和VDF-TrFE共聚物形成的0-3型铁电复合物厚片的三阶非线性介电系数ε3.研究发现,三种复合物的ε3都随陶瓷组分含量的上升而增大.测试场强升高,测得的ε3值减小,但对高陶瓷含量(φ>0.4)的BT/VDF-TrFE和PZT/VDF-TrFE复合物则在6MV/m场强下出现极小值.二相都被预极化的复合物小于仅陶瓷相被预极化的ε3值.PZT/VDF-TrFE复合物的温度依赖关系显示了与(-阶)介电系数类似的表观热滞后现象.高PZT含量的复合物在相变区出现较大的ε3值.  相似文献   
4.
滕加伟  金丽华 《电化学》1997,3(4):428-432
本文报道了一种新的用于碱性燃料电池氧电极的非贵金属催化剂.此种以化学还原法制备的Ag-Ni-Bi-Hg-/C催化剂对氧电极的阴极还原具有较高的活性,当催化剂的组成为Ag50%-Ni2%-Bi3%-Hg3%-C42%(wt%)时,催化剂的活性最佳.XRD和SEM证实,助催化剂的加入使银的结晶趋于无定型化,减小了银结晶的尺寸.经过5200h的寿命考察,催化剂活性没有明显的改变.  相似文献   
5.
利用传统自由基聚合法,在四氢呋喃溶液中自由基引发聚合甲基丙烯酸丁酯单体而得到ω-羧基-甲基丙烯酸丁酯低聚物(CTBMA)(分子量在1500左右);利用CTBMA末端酯基的反应特性,在二氧六环/水/KOH混合溶液中皂化CTBMA,使之转化为α,ω-羧基甲基丙烯酸丁酯低聚物(di-CTBMA);研究了溶剂的类别、反应时间等反应条件对皂化产物结构的影响;利用MALDI-TOF-MS及LSIMS对皂化各阶段产物进行了分析监测.实验表明,在适当的皂化条件下,CTBMA皂化时主要为末端酯基转化为羧基,相应得到的产物di-CTMBA具有很好的结构特性,其官能团度(functionality)接近2.  相似文献   
6.
本文用差热分析法系统地研究了La掺杂对Al-Si共晶合金、亚共晶、超共晶的动态凝固过程的影响。结果表明,La促使α(Al)成核,使体系中初晶α(Al)的析出温度比AJ-Si二元合金中Al初晶的实际析出温度明显提高;La对初晶Si的成核和长大起抑制作用,使超共晶中初晶Si相析出温度较二元合金中的Si初晶的实际析出温度明显降低。  相似文献   
7.
在自建的非线性介电测试装置上测得了P笔VDF-TrFE共聚物形成的0-3型铁电复合物厚片的三阶非线性介电系数ε3。研究发现,三种复合物的ε3都随陶瓷组分含量的上升而增大,测试场强升高,测得的ε3值减小,但对高陶瓷含量(Φ〉0.04)的BT/VDF-TrFE和PZ/VDF-TrFE复合物则在6MV/m场强下出现极小值,二相都被预极化的复合物小于仅陶瓷相被预极化的ε3值,PZT/VDF-TrFE复合物  相似文献   
8.
"在Pt/Ti/SiO2/Si基片上用溶胶-凝胶法生长制备了PZT(Pb(Zr1-xTix)O3)复合梯度铁电薄膜. 薄膜最终结构由6层组成,"向上"梯度薄膜在Pt底电极上的第一层从PbZrO3开始,顶层是PZT(50/50),即第一层是PbZrO3,第二层PZT90/10 (10%Ti),第三层是PZT80/20,第四层PZT70/30,第五层PZT60/40,第六层PZT50/50.每一层与此相反的是"向下"梯度PZT薄膜.用X射线衍射、俄歇电子能谱和阻抗分析来研究梯度薄膜的结构与介电特性.600  相似文献   
9.
" 在Pt/Ti/SiO2/Si基片上用溶胶-凝胶法与快速退火工艺制备了300 nm厚的锆钛酸铅Pb(Zr0:95Ti0:05)O3 (PZT95/5)反铁电薄膜.结果显示600~700 ℃晶化处理的钙钛矿PZT95/5薄膜具有高度(111)取向生长特性.薄膜的电性能测量采用金属-铁电-金属电容器结构.在20 V电压作用下,600~700 ℃晶化处理的PZT95/5薄膜显示出饱和电滞回线.在1 kHz下,600、650和700 ℃晶化的薄膜介电常数与损耗分别为519与0.028、677与0.029、987  相似文献   
10.
Multiferroic behavior in an isotropic Heisenberg spin glass with Gaussian random fields, incorporated by magneto-electric coupling derived from the Landau symmetry argument, are investigated. Electric dipole glass transitions at finite temperature, due to coupling, are demonstrated by Monte Carlo simulation. This electric dipole glass state is solely ascribed to the coupling term with chiral symmetry of the magnetization, while the term associated with the spatial derivative of the squared magnetization has no contribution.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号