12MeV直线感应电子加速器

 12MeV直线感应电子加速器(LIA)是经12MeV LIA能量升级和系统改进而来,该机通过在10MeV　LIA加速末端续接四个加速组元并调整脉冲功率系统, 将输出的电子束的能量升级至12MeV；同时,重新设计的输运磁场分布及聚焦系统更趋于合理,使经10MeV　LIA升级和改进后的12MeV　LIA，打靶电子束能量达到12MeV,束流约2.6kA，脉冲半高宽约89ns，焦斑约4 mm。     

不同粒子辐射条件下CC4013器件辐射损伤研究

本文采用60 MeV Br离子、5 MeV质子和1 MeV电子等三种辐射源, 针对CC4013型互补金属氧化物半导体器件(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)进行辐射损伤研究. 通过Geant4程序计算了该器件电离辐射吸收剂量与芯片厚度的关系, 经过计算, 在相同注量下, 60 MeV Br离子的电离吸收剂量最大, 1 MeV电子产生的电离吸收剂量最小. 应用Keithley4200-SCS半导体特性分析仪在原位条件下研究了CC4013器件电性能参数随辐射吸收剂量的变化关系. 测试结果表明, 相同电离辐射吸收剂量下, 1 MeV电子对CC4013器件的阈值电压参数影响最大, 5 MeV质子其次, 60 MeV Br离子的影响最弱. 关键词： CMOS器件 高能带电粒子 电离辐射 辐射损伤     

K■和KK共振态

比较肯定的K共振态有TJ~p=00~+的1000—1040MeV共振,和TJ~p=01~-的1020MeV共振。最近实验指出,似乎尚存在T=1的1060MeV的K共振,和T=1的1275MeV的KK共振。在这一短文中,我们试图从动力学观点,对这些共振态进行统一的考虑;并进一步分析有关1060MeV和1275MeV共振态的空间量子数。     

56MeV—70MeV~(12)C+~(28)Si弹性散射研究

用大面积位置灵敏电离室测量了69.5MeV,66MeV,59MeV和56MeV轰击能量下~(12)C+~(28)Si弹性散射角分布。用光学模型对实验数据进行了拟合,并讨论了弹散角分布振荡及增强的可能原因。     

16O+28Si全熔合激发函数

在50—90MeV的能量范围内,以1.0MeV为能量步长,测量了¹⁶O+²⁸Si的全熔合激发函数.用熔合模型分析了激发涵灵敏,提取了模型参数在质心系能量小于46MeV时,激发函数存在粗结构,其峰位分别在34.5、38.5和43MeV.能量在46MeV以上时,结构逐渐消失.     

程函波函数对准自由散射6Li（p,pd）α的应用

近似地用程函波函数作为粒子在原子核作用下的扭曲波函数,分析了入射能量为156MeV、590MeV与670MeV的质子对原子核⁶Li引起的准自由散射⁶Li（p,pd）α。从156MeV的情况可看到,用程函波函数来研究准自由散射所得的结果和用分波法得到的结果同样使人满意。对590MeV与670MeV的情况,所得结果与平面波冲量近似相比有所改进。     

Nuclear -K Bound States in 4He and 3He

We construct a phenomenologica/KN interaction which reproduces the two resonances： the energy of the first resonance is 1420MeV and the other is 1392MeV. The A（1405） is found by a superposition of the two reso- nances with appropriate weights. Within the framework of the Brueckner-Hartree-Fock theory, we have studied K- - 3He（T = 0） and K- - 4He（T = 1/2）. The binding energy BK- is 93MeV（72MeV） and the width F is 13 MeV（25 MeV） for K- - 3He（T =0） （ K- - 4He（T = 1/2））.     

E≤50MeV能区核反应机制的研究

本文以5－50MeV中子对⁵⁶Fe的反应为例,分析了E≤50MeV能区的核反应机制.计算结果表明:非弹性散射能谱的高能段分立能级部份主要是由直接反应贡献的,当能量大于30MeV时,整个非弹性散射截面也变成主要是由直接反应贡献的;对于由统计理论计算的单粒子发射截面,当入射粒子能量小于10MeV时主要由平衡发射贡献,但是当入射粒子能量等于20MeV时,则变成90%以上来自预平衡发射,当入射粒子能量小于20MeV时,第二个粒子的预平衡发射可以忽略,当入射粒子能量小于50MeV时,第三个粒子的预平衡发射可以忽略.     

MeV微集团束与物质的相互作用

简述了有关MeV微集团离子束与物质表面相互作用研究的概况．介绍了在北京大学技术物理系和重离子物理所１．７ＭＶ串列加速器上开展的有关实验研究及取得的初步结果． The recent development on investigation of MeV microcluster beam interaction with matter is outlined. And based on 5SDH 2 Pelletron of Peking University, some relative experimental results, such as identification and Rutherford backscattering measurement of MeV carbon cluster ions, stopping power of MeV silicon microcluster ions in Al film, damage producted in silicon by MeV silicon microcluster irradiation, etc. are briefly introduecd.     

辐射俘获反应中门态过程的干涉现象

主要计算中子能量为5—25MeV ¹²C(n,γ)反应截面,计算结果表明,在Ex=13MeV处有矮共振存在,同时,也计算了质子能量为8—35MeV ¹²C(p,γ)反应截面.计算表明对应13N激发能量为11.74MeV和14.06MeV处反应截面有谷点存在.这是因为半直接俘获与门态过程中的共振俘获之间有相消干涉效应,计算结果与实验值符合较好.     

CMOS器件60Coγ射线、电子和质子电离辐射损伤比较

利用TRIM95蒙特卡罗软件计算了质子在二氧化硅中的质量阻止本领和能量沉积,比较了质子在二氧化硅中的电离阻止本领与核阻止本领,分析了质子在材料的表面吸收剂量与灵敏区实际吸收剂量的关系.利用60Coγ射线、1MeV电子和2-9 MeV质子对CC4007RH和CC4011器件进行辐照实验,比较60Coγ射线和带电粒子的电离辐射损伤情况.实验结果表明,60Coγ射线、1MeV电子和2-7MeV质子辐照损伤效应中,在0V栅压下可以相互等效;在5V栅压下,以60Coγ射线损伤最为严重,1MeV电子的辐射损伤与60Coγ射线差别不大,9MeV以下质子辐射损伤总是小于60Coγ射线,能量越低,损伤越小.     

CMOS图像传感器在质子辐照下热像素的产生和变化规律

应用于空间的图像传感器在辐射影响下产生的热像素严重影响空间光电探测性能,本文通过质子辐照试验研究了热像素的产生和变化规律。首先,使用3 MeV和10 MeV两种能量的质子对图像传感器进行辐照,分析不同能量、不同注量的质子辐照产生热像素的性质;其次,再对辐照后的器件进行退火试验,分析热像素的退火规律。对于相同注量辐照,3 MeV质子辐照下热像素产生率大约是10 MeV质子辐照下的2.3倍,但是10 MeV质子辐照产生热像素的灰度值高于3 MeV质子;辐照过程中热像素的数量都是随着注量的增加线性增加。退火过程中,热像素数量都不断减少,而3 MeV质子辐照产生的热像素相比于10 MeV质子,退火更为显著。结果表明,质子辐照下每个质子与器件之间的作用过程及产生缺陷的机制是相对独立的,不同质子的作用过程之间没有相关性。不同能量的质子辐照产生缺陷的类型不同,导致热像素具有不同特性。     

一种用于RIBLL2的纵向场多次取样型电离室

为兰州第二条放射性束流线（RIBLL2）研制了一台用于ΔE测量的纵向场多次取样型电离室。 利用3组分α源（239Pu为3.435 MeV, 241Am为3.913 MeV, 244Cm为4.356 MeV）对取样单元进行了测试, 确定了电离室的最佳工作电压为－500 V, 沉积能量为3.435 MeV时, 取样单元的能量分辨为271.4 keV(FWHM)。 利用Geant4对此电离室的整体性能进行了模拟, 表明可以对Z≥4的离子实现较好的粒子鉴别。 A longitudinal field MUltiple Sampling Ionization Chamber (MUSIC), which makes multiple measurements of energy loss for very high energy heavy ions at RIBLL2, has been constructed and tested with 3 constituent α source （239Pu: 3.435 MeV, 241Am: 3.913 MeV, 244Cm: 4.356 MeV）. The voltage plateau curve has been plotted and －500 V is determined as a proper work voltage. The energy resolution is 271.4 keV FWHM for the sampling unit when 3.435 MeV energy deposited. A Geant4 Monte Carlo simulation is made and it indicates the detector can provide unique particle identification for ions Z≥4.     

56MeV—70MeV12C+28Si弹性散射研究

用大面积位置灵敏电离室测量了69.5MeV, 66MeV, 59MeV和56MeV轰击能量下¹²C+²⁸Si弹性散射角分布. 用光学模型对实验数据进行了拟合, 并讨论了弹性散角分布振荡及增强的可能原因.     

快重离子引起的辐照效应

用PAT、CEMS、SEM和TEM分析观测了HIRFL提供的能量为几十MeV到几百MeV的碳离子在Ni、马氏体时效不锈钢、HT—9铁素体钢和316L不锈钢中引起的辐照效应,包括辐照引起的偏析、脱溶、相变和肿胀,以及辐照肿胀随辐照温度的变化关系,研究了510MeV的碳离子在高纯Ni中的损伤分布,并给出了95MeV的Ar离子模拟宇宙射线在宇宙飞行器中引起数字半导体器件“软故障”的最近结果。 The radiation effects were studied by means of PAT, CEMS, SEM and TEM in nickel,martensitic ageing stainless steel, ferrite steel HT-9 and stainless steel 316L induced by carbon ionswith energy of tens of MeV to hundreds of MeV delivered by HIRFL. It includes segregate,preciptale, phase change and void swelling, as well as temperature-relativity of the irradiationswelling. The damage distribution was also studied in nickel irradiated by 510MeV C~(6+). And the recentresults of Ar ions ...     

质子辐照对国产“一”字型保偏光纤损伤效应研究

航天器在空间环境中运行时,会受到质子的辐照,光纤环作为航天器上光纤陀螺的重要组成部件受辐照影响 最为严重.为了研究国产“一”字型保偏光纤因质子辐照导致辐照诱导损耗的变化规律及其辐照损伤机理, 选择质子能量为5 MeV和10 MeV,光源波长为1310 nm,原位测量了光纤传输功率变化情况,计算出辐照诱导损耗. 利用SRIM软件,模拟能量分别为5 MeV和10 MeV质子辐照在光纤中的电离和位移损伤分布.借助X 射线光电子能谱仪分析辐照前后O 1s和Si 2p解析谱,借助傅里叶变换红外光谱仪观察光纤辐照前后光谱变化情况研究发现,在波长为1310 nm处, 光纤的辐照诱导损耗随着质子注量的增加而增长,主要原因是由于光纤纤芯中Si-OH的浓度增加所导致. 而且能量为5 MeV质子辐照造成光纤的辐照诱导损耗比10 MeV严重,这是因为5 MeV质子在光纤纤芯处造成的 位移和电离损伤均比10 MeV严重,即产生的Si-OH数量多.     

Strange K^- nuclear systems （S=-1）

Λ（1405） is considered as a superposition of two resonances instead of a simple bound state of the kaon and proton. Within the framework of the Brueckner-Hartree-Fock（BHF） theory, we have investigated the K^- nuclear systems （S = -1）, especially K^-pp and K^-pnn（T = 1）. The binding energy BK- is 23 MeV （3 MeV） and the width Γ is 62 MeV （56 MeV） for K^-pp（K^-pnn（T =1））.     

A comparison of ionizing radiation damage in CMOS devices from ^60Co gamma rays,electrons and protons

Radiation hardened CC4007RH and non-radiation hardened CC4011 devices were irradiated using ^60Co gamma rays, 1 MeV electrons and 1-9 MeV protons to compare the ionizing radiation damage of the gamma rays with the charged particles. For all devices examined, with experimental uncertainty, the radiation induced threshold voltage shifts （△Vth） generated by ^60Co gamma rays are equal to that of 1 MeV electron and 1-7 MeV proton radiation under 0 gate bias condition. Under 5 V gate bias condition, the distinction of threshold voltage shifts （△Vth） generated by ^60Co gamma rays and 1 MeV electrons irradiation are not large, and the radiation damage for protons energy the proton has, the less serious below 9 MeV is always less than the radiation damage becomes. that of ^60Co gamma rays. The lower     

Double-heavy tetraquark states with heavy diquark-antiquark symmetry

We calculate the masses of the QQqq(Q=c,b:q=u,d,s)tetraquark states with the aid of heavy diquark-antiquark symmetry(HDAS)and the chromomagnetic interaction(CMI)model.The masses of the highestspin(J=2)tetraquarks that have only the(QQ)(3):(qq)₃.color structure are related with those of conventional hadrons using HDAS.Thereafter,the masses of their partner states are determined with the mass splittings in the CMI model.Our numerical results reveal that(i)the lightest ccnn(n=u,d)is an I(J^P)=0(1⁺)state around 3929 MeV(53 MeV above the DD^* threshold),and none of the double-charm tetraquarks are stable;(ii)the stable double-bottom tetraquarks are the lowest 0(1⁺)bbin around 10488 MeV(≈116 MeV below the BB^*threshold)and the lowest 1/2(1⁺)bbns around 10671 MeV(≈20 MeV below the BB_s^*/B_sB^*threshold);and(iii)the two lowest bcnn tetraquarks,namely the lowest 0(0⁺)around 7167 MeV and the lowest 0(1)around 7223 MeV,are in the nearthreshold states.Moreover,we discuss the constraints on the masses of double-heavy hadrons.Specifically,for the lowest nonstrange tetraquarks,we obtain T_cc<3965 MeV,T_bb<10627 MeV,and T_bc<7199 MeV.     

(BEPC)1.1/1.4GeV电子直线加速器的250MeV段

在北京正负电子对撞机(BEPC)1.1/1.4GeV电子直线加速器的安装阶段,对起始的250MeV段共安排了四次调束试验,1987年5月达到电子束脉冲流强760mA,能量为250MeV;以150MeV、785mA电子束打转换靶,获得能量99MeV、脉冲流强2.5mA的正电子.检验各项技术指标,都符合设计要求,达到国外同类加速器的水平.