| CMOS器件60Coγ射线、电子和质子电离辐射损伤比较 |
| |
| 引用本文： | 何宝平,陈伟,王桂珍.CMOS器件60Coγ射线、电子和质子电离辐射损伤比较[J].物理学报,2006,55(7). |
| |
| 作者姓名： | 何宝平 陈伟 王桂珍 |
| |
| 摘 要： | 利用TRIM95蒙特卡罗软件计算了质子在二氧化硅中的质量阻止本领和能量沉积,比较了质子在二氧化硅中的电离阻止本领与核阻止本领,分析了质子在材料的表面吸收剂量与灵敏区实际吸收剂量的关系.利用60Coγ射线、1MeV电子和2-9 MeV质子对CC4007RH和CC4011器件进行辐照实验,比较60Coγ射线和带电粒子的电离辐射损伤情况.实验结果表明,60Coγ射线、1MeV电子和2-7MeV质子辐照损伤效应中,在0V栅压下可以相互等效;在5V栅压下,以60Coγ射线损伤最为严重,1MeV电子的辐射损伤与60Coγ射线差别不大,9MeV以下质子辐射损伤总是小于60Coγ射线,能量越低,损伤越小.
|
| 关 键 词： | γ射线 电子 质子 辐射损伤 |
A comparison of ionizing radiation damage in CMOS devices from 60Co Gamma rays, electrons and protons |
| |
| He Bao-Ping,Chen Wei,Wang Gui-Zhen.A comparison of ionizing radiation damage in CMOS devices from 60Co Gamma rays, electrons and protons[J].Acta Physica Sinica,2006,55(7). |
| |
| Authors: | He Bao-Ping Chen Wei Wang Gui-Zhen |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
|
