岩石力学参数概率分布的随机—模糊估计方法

1 前言过去人们一直用频率法确定岩石力学参数的概率分布进而确定岩石力学参数的概率模型.然而,经典概率论中的频率法只适用于随机变量的大样本问题,而岩石力学参数是同时包含有随机不确定性和模糊不确定性的随机-模糊变量,岩石力学参数样本是典型     

关于具有二次相关性收获率的捕食与被捕食系统极限环的存在性分析

讨论了一类两种群具有二次相关性收获率的捕食与被捕食系统,利用常微分定性方法和分支理论,得到了系统平衡点处的性态和极限环的存在性条件,并用Matlab软件对其进行数值模拟,推广了相关文献中两种群捕食模型定性分析的相应结论.     

电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析

应用蒙特卡洛方法计算了质子在科学级电荷耦合器件(charge-coupled device, CCD) 结构中的能量沉积, 并结合该CCD的质子辐照试验及退火试验数据, 分析了器件的辐射损伤机理. 仿真计算体硅内沉积的位移损伤剂量和栅氧化层的电离损伤剂量, 辐照与退火试验过程中主要考察暗信号、电荷转移效率两个参数的变化规律. 研究结果显示, 暗信号和电荷转移效率的变化规律与位移、电离损伤剂量一致; 退火后暗信号大幅度降低, 辐照导致的表面暗信号增加占总暗信号增加的比例至少为80%; 退火后电荷转移效率恢复较小, 电荷转移效率降低的原因主要为体缺陷. 通过总结试验规律, 推导出了电荷转移效率退化程度的预估公式及其损伤因子k_damage.     

特征函数的性质

得到了特征函数、条件特征函数的一致可微性和条件特征函数的反演公式.     

电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究

对电荷耦合器件进行了不同剂量率的γ辐照实验,通过多种参数的测试探讨了剂量率与电荷耦合器件性能退化的关系,并对损伤的物理机理进行分析。辐照和退火结果表明:暗信号和暗信号非均匀性是γ辐照的敏感参数,电荷转移效率和饱和输出电压随剂量累积有缓慢下降的趋势;暗场像素灰度值整体抬升,像元之间的差异显著增加;电荷耦合器件的暗信号增量与剂量率呈负相关性,器件存在潜在的低剂量率损伤增强效应。分析认为,剂量率效应是由界面态和氧化物陷阱电荷竞争导致的。通过电子-空穴对复合模型、质子输运模型和界面态形成对机理进行了解释。     

中亚、东亚大陆地震活动特征

本文根据广泛分布在中亚、东亚大陆地区6级和6级以上的地震资料、浅源大地震断层面解结果,以及地质构造方面的资料,讨论了大陆地震活动的区域特征,大陆地震活动和板块构造的关系,以及地震区内大地震活动的发展演化过程。     

基于问题解决原型建构的高中化学实验教学初探

结合心理学和学科教学中问题解决教学的相关研究成果,根据原型运用在学生解决化学实验问题中的重要作用,设计了基于原型建构的化学实验教学价值分析模型,并运用此模型对高一相关化学实验进行价值开发,并体现在教学设计中。     

基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究

对基于4晶体管像素结构互补金属氧化物半导体图像传感器的电离总剂量效应进行了研究,着重分析了器件的满阱容量和暗电流随总剂量退化的物理机理.实验的总剂量为200 krad(Si),测试点分别为30 krad(Si),100 krad(Si),150 krad(Si)和200 krad(Si),剂量率为50 rad(Si)/s.实验结果发现随着辐照总剂量的增加,器件的满阱容量下降并且暗电流显著增加.其中辐照使得传输门沟道掺杂分布发生改变是满阱容量下降的主要原因,而暗电流退化则主要来自于浅槽隔离界面缺陷产生电流和传输门-光电二极管交叠区产生电流.实验还表明样品器件的转换增益在辐照前后未发生明显变化,并且与3晶体管像素结构不同,4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器没有显著的总剂量辐照偏置效应.     

CMOS图像传感器在质子辐照下热像素的产生和变化规律

应用于空间的图像传感器在辐射影响下产生的热像素严重影响空间光电探测性能，本文通过质子辐照试验研究了热像素的产生和变化规律。首先，使用3 MeV和10 MeV两种能量的质子对图像传感器进行辐照，分析不同能量、不同注量的质子辐照产生热像素的性质；其次，再对辐照后的器件进行退火试验，分析热像素的退火规律。对于相同注量辐照，3 MeV质子辐照下热像素产生率大约是10 MeV质子辐照下的2.3倍，但是10 MeV质子辐照产生热像素的灰度值高于3 MeV质子；辐照过程中热像素的数量都是随着注量的增加线性增加。退火过程中，热像素数量都不断减少，而3 MeV质子辐照产生的热像素相比于10 MeV质子，退火更为显著。结果表明，质子辐照下每个质子与器件之间的作用过程及产生缺陷的机制是相对独立的，不同质子的作用过程之间没有相关性。不同能量的质子辐照产生缺陷的类型不同，导致热像素具有不同特性。     

吡啶基咪唑[4,5-f]1,10-菲咯啉合成、表征及与瓜环作用的光谱学考察

设计合成了2个吡啶基菲咯啉衍生物2-(3-吡啶基)咪唑[4,5-f]1,10-菲咯啉(G1)和2-(4-吡啶基)咪唑[4,5-f]1,10-菲咯啉(G2),通过元素分析、质谱和核磁共振氢谱对其结构进行了表征。 利用紫外吸收光谱和荧光光谱法考察了所合成化合物与六元瓜环Q[6]、七元瓜环Q[7]的相互作用,以及体系pH值对主-客体相互作用的影响。 在酸性条件下,Q[6]、Q[7]与Gl以及Q[6]与G2均发生包合形成1∶1的包合物,并有荧光增敏作用;Q[7]与G2作用形成1∶2包合物,且对G2有荧光猝灭作用;Q[6]、Q[7]与G1的包合常数分别为3.00×104和1.86×104 L/mol;Q[6]、Q[7]与G2的包合常数分别为1.64×104和1.01×103 L/mol。 随着体系酸性减弱,瓜环与客体作用减弱,在中性条件下,瓜环未与客体发生包合作用。