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1.
2.
周航  崔江维  郑齐文  郭旗  任迪远  余学峰 《物理学报》2015,64(8):86101-086101
随着半导体技术的进步, 集成小尺寸绝缘体上硅器件的芯片开始应用到航空航天领域, 使得器件在使用中面临了深空辐射环境与自身常规可靠性的双重挑战. 进行小尺寸器件电离辐射环境下的可靠性试验有助于对器件综合可靠性进行评估. 参照国标GB2689.1-81恒定应力寿命试验与加速寿命试验方法总则进行电应力选取, 对部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管进行了电离辐射环境下的常规可靠性研究. 通过试验对比, 定性地分析了氧化物陷阱电荷和界面态对器件敏感参数的影响, 得出了氧化物陷阱电荷和界面态随着时间参数的变化, 在不同阶段对器件参数的影响. 结果表明, 总剂量效应与电应力的共同作用将加剧器件敏感参数的退化, 二者的共同作用远大于单一影响因子.  相似文献   
3.
曾骏哲  何承发  李豫东  郭旗  文林  汪波  玛丽娅  王海娇 《物理学报》2015,64(11):114214-114214
应用蒙特卡洛方法计算了质子在科学级电荷耦合器件(charge-coupled device, CCD) 结构中的能量沉积, 并结合该CCD的质子辐照试验及退火试验数据, 分析了器件的辐射损伤机理. 仿真计算体硅内沉积的位移损伤剂量和栅氧化层的电离损伤剂量, 辐照与退火试验过程中主要考察暗信号、电荷转移效率两个参数的变化规律. 研究结果显示, 暗信号和电荷转移效率的变化规律与位移、电离损伤剂量一致; 退火后暗信号大幅度降低, 辐照导致的表面暗信号增加占总暗信号增加的比例至少为80%; 退火后电荷转移效率恢复较小, 电荷转移效率降低的原因主要为体缺陷. 通过总结试验规律, 推导出了电荷转移效率退化程度的预估公式及其损伤因子kdamage.  相似文献   
4.
余亚东  梁果  任占梅  郭旗 《物理学报》2015,64(15):154202-154202
从(1+2)维非局域非线性薛定谔方程出发, 通过坐标变换得到了旋转坐标系下的非局域非线性薛定谔方程. 假设响应函数为高斯型, 用虚时间法数值求解了旋转坐标系下的非局域非线性薛定谔方程的静态孤子解, 迭代出了不同非局域程度条件下的静态椭圆孤子数值解. 最后采用分步傅里叶算法, 以迭代的孤子解作为初始输入波形, 模拟了在不同的非局域程度条件下, (1+2)维椭圆空间光孤子的旋转传输特性. 强非局域时, 椭圆光孤子的长轴方向和短轴方向波形都是高斯型, 其他的非局域程度下, 不是高斯型. 由此表明:(1+2)维椭圆光孤子对非局域程度依赖性很强. 旋转角速度和功率均与非局域程度以及孤子的椭圆度有关.  相似文献   
5.
对电荷耦合器件进行了不同剂量率的γ辐照实验,通过多种参数的测试探讨了剂量率与电荷耦合器件性能退化的关系,并对损伤的物理机理进行分析。辐照和退火结果表明:暗信号和暗信号非均匀性是γ辐照的敏感参数,电荷转移效率和饱和输出电压随剂量累积有缓慢下降的趋势;暗场像素灰度值整体抬升,像元之间的差异显著增加;电荷耦合器件的暗信号增量与剂量率呈负相关性,器件存在潜在的低剂量率损伤增强效应。分析认为,剂量率效应是由界面态和氧化物陷阱电荷竞争导致的。通过电子-空穴对复合模型、质子输运模型和界面态形成对机理进行了解释。  相似文献   
6.
The bias dependence of radiation-induced narrow-width channel effects(RINCEs) in 65-nm n-type metal-oxidesemiconductor field-effect transistors(NMOSFETs) is investigated. The threshold voltage of the narrow-width65 nm NMOSFET is negatively shifted by total ionizing dose irradiation, due to the RINCE. The experimental results show that the 65 nm narrow-channel NMOSFET has a larger threshold shift when the gate terminal is kept in the ground, which is contrary to the conclusion obtained in the old generation devices. Depending on the three-dimensional simulation, we conclude that electric field distribution alteration caused by shallow trench isolation scaling is responsible for the anomalous RINCE bias dependence in 65 nm technology.  相似文献   
7.
吴晓飞  邓冬梅  郭旗 《中国物理 B》2011,20(8):84201-084201
In this paper,we present a study on the propagation of the symmetrical optical vortices formed by two collinear Laguerre-Gauss solitons in strongly nonlocal nonlinear media.The optical vortices,which move along the beam axis as the light propagates,result in a rotation of the beam’s transverse profile.This physical reason of the rotation is the Gouy phase acquired by the component beams.  相似文献   
8.
研究得到了偏离束腰入射的复宗量Laguerre-Gauss光束在强非局域非线性介质中传输的解析表达式,并且得到了其二阶矩束宽的解析解.通过例子研究了偏离束腰入射的复宗量Laguerre-Gauss光束在强非局域非线性介质中传输性质.结果表明:非(0, m)模的复宗量Laguerre-Gauss光束的光束形状随着传输而发生改变,并以Δzzc为周期做周期性演化.而(0,m)模复宗量Laguerre-Gauss光束在演化过程中则形状保持不变,仅改变光束宽度;不论功率多大,在偏离束腰入射条件下总是表现为呼吸子;只有当其为束腰入射,并且入射功率等于临界功率时才能形成孤子.  相似文献   
9.
丁娜  郭旗 《中国物理 B》2009,18(10):4298-4302
We study the propagation of (1+1)-dimensional spatial soliton in a nonlocal Kerr-type medium with weak nonlocality. First, we show that an equation for describing the soliton propagation in weak nonlocality is a nonlinear Schro¨dinger equation with perturbation terms. Then, an approximate analytical solution of the equation is found by the perturbation method. We also find some interesting properties of the intensity profiles of the soliton.  相似文献   
10.
We theoretically and experimentally investigate the long-range interaction between nematicons. It is demonstrated that the interaction becomes strongest when the pretilt angle of liquid crystal molecules is nearly π/4 for a given single-beam input power P0, and that the interaction becomes stronger when the incident power Po increases at a given pretilt angle. In this way, the interaction is still observed when the initial separation is 43 times of the soliton width, much larger than that implemented in lead glasses [Nature Phys. 2 (2006) 769].  相似文献   
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