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在对系列La 掺杂的Bi2Sr2 - xLaxCuO6 + δ单晶的研究中,我们发现在极度La 掺杂( 空穴极度欠掺杂) 的样品中有高达36K 的超导相出现.X 射线衍射图(XRD) 和电镜照片都表明这种极度空穴欠掺的样品有很好的单相性,从而排除了样品化学不纯的可能.另外,对这种样品进行脱氧处理后,此超导电性相应消失,说明了这种高Tc 的超导电性是由活动性空穴掺杂引起的.虽然对相应样品在正常态的磁测量没有测出反铁磁峰(Neel 峰) ,但对系列样品的拉曼散射研究发现样品随着La 含量的增多,其反铁磁交换作用明显加强.所以,我们认为这种高Tc 超导电性的出现是在Bi2201 体系中存在宏观相分离的明显迹象 相似文献
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测量了从欠掺杂区域到过掺杂区域变化的一系列Bi2212单晶样品ab平面内和c方向电阻率ρab.ρc随温度T的变化关系.按照几种不同模型分析了测量数据.比较两块处于过掺杂区域的Bi2Sr2CaCu2O8+δ(单晶和Bi2-xPbxSr2CaCu2O8+δ(单晶,发现尽管平面内电阻率ρab与温度T依赖行为类似,且Tc值基本相同,但c方向电阻率ρc与温度T的行为差别很大.这种氧空缺和离子取代的无序效应所造成c方向电阻率ρc不同温度行为表明:无序的阻挡层(blockinglayer)对于c方向电阻率ρc有重要影响 相似文献
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本文对名义组份为Bi1 .8Pb0 .2Sr2 - xLaxCuOy 系列样品的电阻率和热电势特性进行了实验研究.测量表明,Pb 掺杂可以进一步提高超导转变温度Tc ;随着La 含量的增加,Tc 按照典型的抛物线型规律变化;La 掺杂极大地影响超导体正常态的输运特性.我们的分析指出,热电势在正常态所表现出的规律与高温超导机制密切相关,而且电阻率正常态输运特性的变化可用La 掺杂造成CuO6 八面体顶点氧发生位移来解释. 相似文献
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用X-射线粉末衍射、交流磁化率和差分比热研究了Bi1.7Pb0.3Sr2Ca2Cu3Oy的氟掺杂效应。在Bi2223样品中氟替代后产生的是体超导而不是丝状超导。由于氟掺杂,样品的超导转变温度升高而晶格参量c减小。比热反常的幅度没有因氟掺杂而减小,说明氟没有占据Cu-O2面中氧的位置。它们可能占据Cu-O2面之间的其它原子层的位置,这样,会改善Cu-O2面间的藕合进而提高Tc和保持比热反常幅度。 相似文献
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实验上研究了(La1-xSrx)2CuO4)高Tc单晶样品的c-轴正常态电阻同温度的关系以及Tc附近c-轴电阻作为磁场和磁场取向的函数,结果表明,(1)随着Sr含量的增加,c-轴正常态电阻从半导体行为变为金属行为,和(2)固有的各向异性随Sr含量的增加而逐渐变弱,这些意味着Sr掺杂在La基系统中有利于Cu-O面间耦合的改善。 相似文献
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THERMALINSTABILITYOFD-TBURNINGPLASMAS¥B.R.SHIY.X.LONGH.G.ZHAO(SouthwesterninstituteofPhysics,P.O.Box432,Chengdu610041,Sichuan... 相似文献
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作者报道了用X射线衍射法对Bi2Sr2-yMyCuO6+δ(M=La,Pr,0.0≤y≤1.0)系列单晶样品进行结构研究的结果.根据晶体结构的不同性质,我们将掺杂区分为三个区域.第一个区域的掺闭量在0.0≤y≤0.10之间,在此区域中晶体的平均结构为单斜结构,其调制波矢具有两个非公度分量q1=β1b+γ1c.第二个掺杂区的掺镧量在0.10<y≤0.60之间,晶体的平均结构由单斜转变为正交结构,调制波矢具有单个非公度分量q1=β1b+c.第三掺杂区的掺镧量在0.60<y≤1.0之间,晶体的平均结构转变为另一单斜结构,在这一区域有两类调制结构共存.第一类调制结构与第一、第二掺杂区的调制结构类似;第二类调制结构的调制调幅沿α轴方向极化,调制波矢β分量约为第一类调制结构的二分之一.对于Bi2(Sr1.2La0.8)CuO6+δ单晶,其第二类调制波矢为q2=0.122b+0.43c. 相似文献
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本利用X射线衍射、电子衍射和拉曼散射对Bi2Sr1.8La0.2Cu1-xMxOy(M=Ni,Zn)体系的微结构进行了研究。实验表明,随着掺杂量的增加,掺Zn体系的结构畸变明显大于掺Ni体系的结构畸变。由此看来,非磁性杂质Zn之所以比磁性杂质Ni对Tc具有更大的抑制作用,应该归因于Zn掺杂造成材料严重的结构畸变。 相似文献
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自助熔法从富Bi2O3 的Bi1 .8 + xPb0 .2Sr1 .65La0 .35CuOy(x= 0 .1 ,0 .2,0 .3 ,0.4 ,0 .5) 熔体中生长出了高质量的Pb、La 掺杂的Bi2201 相大单晶,最大尺寸达8 ×4 ×0 .05mm3 .在生长单晶时不同程度过量的Bi2O3 用作助熔剂,最佳助熔剂含量以及最佳温度控制过程被确定.通过单晶的(00l) XRay 衍射和摇摆曲线以及电子衍射对一块尺寸为4 ×1 .6 ×0 .03mm3 的高质量单晶做了结构表征.由试验发现从富Bi2O3 的熔体中生长高质量Bi2201 相大单晶的关键是合适的助熔剂含量和温度控制过程 相似文献
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本工作用正电子湮没谱术(PAS),X射线衍射谱(XRD),示差热分析(DTA),扫描电镜显微术(SEM)和交流磁化率(Xac)研究了Bi-Pb-Sb-Ca-Cu-O非晶态和后续热处理的影响。结果表明:所研究的非晶态晶化温度Tc-450-470℃,当热处理温度Ta<Tc,非晶太经低温结构弛豫和高温弛豫。当Ta>Tc,在晶态多相体系中随温度升高发生低n相向高n相的转变,850℃退火可使超导转变温度... 相似文献
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本报导我们成功地合成了高Tc超导铜氧化物HgBaC2Ca2Cu3O8+δ,并用XRD、TEM、交流磁化率及电阻测量对这些样品作了研究,特别是,为了更进一步提高Tc,我们对这些样品在各种气氛条件下进行了事后退火处理研究,发现:样品的超导转变温Tc,在流动氧气中或高压氧气中退火后,获得增高;而在流动氩气中退火后其值变小,因此,由退火实验结果可知:未经退火处理的Hg-1223相样品处于微弱的“unde 相似文献
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采用Sol-Gel方法首次在比较低的温度下制备了具有氧磷灰石结构的发光体Mg2Y8-x-y(SiO4)6O2:Eu,Bi(x,y≥0),利用XRD、IR、TG-DTA三种手段研究了发光体的形成过程。室温(293K)和液氮温度(77K)的荧光光谱表明Eu3+和Bi3+在这种基质中分别发射红光和蓝光,每mol基质中其最佳掺杂浓度分别为0.14mol和0.03mol,并且其发光都存在温度猝灭。Eu3+的激光感生荧光光谱中存在两条5D0-7F0跃迁线,表明Eu3+同时进入4f格位和6h格位。在Eu3+、Bi3+共掺杂的发光体中,观察到了Bi3+→E3+的部分能量传递。 相似文献
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KrFLaser-inducedDamagetoZrO_2/SiO_2Coatings¥WANGNaiyan;GAOHuailin(ChinaInstituteofAtomicEnergy,P.O.Box275-7,Bejijng102413,Chin... 相似文献