脉冲激光淀积Ba_（1－x）K_xBiO_3薄膜

我们用熔融法制备了Ｂａ１－ｘＫｘＢｉＯ３氧化物超导体，其超导转变温度２８．５Ｋ，零电阻温度２５．２Ｋ．以此为靶，用脉冲激光淀积技术，制备了Ｂａ１－ｘＫｘＢｉＯ３超导薄膜，Ｔｃ（ｏｎｓｅｔ）＝２４．５Ｋ，Ｔｃ（Ｒ＝０）＝２０．８Ｋ．     

高压下HgBa_2NcaCu_2NO_（6＋δ）超导体的制备及其超导电性

利用高温高压方法合成了ＨｇＢａ２ＣａＣｕ２Ｏ６＋δ超导体．Ｘ射线衍射结构分析显示该超导体具有四方结构，晶格常数ａ—０．３８６７ｕｒｎ，ｃ—１．２７４３ｕｒｎ．电阻和交流磁化率测量结果表明该超导体的超导起始转变温度为１２７Ｋ，本电阻温度为１２ｌＫ，抗磁转变温度为１１８Ｋ．对合成后的样品做了氧气氛中的退火处理．研究了２７ｋｂａｒ压力下，不同烧结温度对合成作品的超导电性的影响，结果表明该压力下ＨｇＢａＣａＣｕＯ６＋δ超导体的最佳合成温度为８２０～８３０℃．     

钡钾铋氧超导体的研究现状

Ｂａ１－ｘＫｘＢｉＯ３（ＢＫＢＯ）超导体之所以令人感兴趣，其原因除了ＢＫＢＯ不含铜和它是立方钙钛矿结构外，更是由于它具有相干长度长（约５－７ｎｍ），制备温度低，导电性和超导性各向同性等优点。最近的研究还表明ＢＫＢＯ对于环境介质（如水）的稳定性明显好于含铜超导体．这些优点对于ＢＫＢＯ超导体走向实用化是重要的．ＢＫＢＯ的超导性与钾含量有关。当钾含量ｘ在０．３７＜ｘ＜０．５范围时ＢＫＢＯ才超导，当ｘ＝０．４时，Ｔｃ为３０－３２Ｋ，晶格常数为４．２８３Ａ°．晶格常数随钾含量增加而减少，二者有线性关系．因…     

静高压下Cu－Si块状纳米合金的制备与表征

用压淬的方法，在６ＧＰａ静高压下，以２００Ｋ／ｓ的冷却速率冷却熔融状态的Ｃｕ＿（７０）Ｓｉ＿（３０）合金，制备出块状Ｃｕ－Ｓｉ纳米合金．Ｘ射线衍射和透射电子显微镜分析表明：该纳米合金由γ－Ｃｕ＿５Ｓｉ和一未知相组成，未知相为简单立方晶体，晶格常数α＝０．８５３５ｎｍ，其热力学状态为亚稳态。并对静高压下块状纳米合金的形成机理进行了探讨。     

（Ba_1－_xK_x）BiO_3电子结构与超导电性

用第一原理的ＬＤＦＬＭＴＯＡＳＡ超元胞法，模拟由Ｘ射线吸收谱精细结构测定的ＢａＢｉＯ３中，Ｂｉ有两种价态Ｂｉ３＋和Ｂｉ５＋及与之相应的两种不同键长的Ｂｉ—Ｏ八面体，以及Ｋ掺杂对晶体结构的影响．计算了Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２，（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ１２，Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６（简记为（４０４），（３１４），（１１２），（１３４），（０２２））五种“样本”的电子结构．结果表明，（４０４）和（３１４）分别为Ｅｇ＝１６ｅＶ及Ｅｇ＝１５ｅＶ的半导体，其它“样本”为金属．总能的分析表明（１３４）是不稳定的，故溶解极限为ｘ＝０５．以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率，进而计算了（Ｂａ１－ｘＫｘ）ＢｉＯ３电子结构随组分的变化．最后用逾渗模型说明了超导转变温度Ｔｃ在ｘ＝０．２５附近的突变     

高压下HgBa2CaCu2O6＋δ超导体的制备及其超导电性

利用高温高压方法合成了ＨｇＢａ２ＣａＣｕ２Ｏ６＋δ超导体。Ｘ射线衍射线结构分析显示该超导体具有四方结构，晶格常数ａ＝０．３８６７ｎｍ，ｃ＝１．２７４３ｎｍ．电阻和交流磁化率测量结果表明该超导体的超导起始转变温度为１２７Ｋ，零电阻温度为１２１Ｋ，抗磁转变温度为１１８Ｋ。对合成后的样品做了氧气氛中的退火处理，研究了２７ｋｂａｒ压力下，不同烧结温度对合成样品的超导电性的影响，结果表明该压力下ＨａＢａ２Ｃ     

Si_（1－x）Ge_x／Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究

采用固源Ｓｉ分子束外延，在较高的生长温度于Ｓｉ（１００）衬底上制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ量子阱发光材料．发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、Ｘ射线双晶衍射及光致发光评估．背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应；Ｘ射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的，结晶完整性好．低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合．并讨论了生长温度对量于阱发光的影响．     

高Tc超导体YBaCuO（F）：磁性和ESR测量

本研究高Ｔｃ大块超导体ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｂ（Ｆｘ）（其中ｘ＝０．０，０．５，０．７５，１．０，１．５，２．０，２．５）的磁性。Ｘ射线衍射实验表明相当多的Ｆ进入了ＹＢａＣｕＯ（１２３）晶格并被Ｏ空位俘获。用振动样品磁强计（ＶＳＷ）测试这些样品的质量比磁矩σ与温度Ｔ的关系，以及抗磁性磁滞回线。未掺氟样品的Ｔｃ为８９Ｋ，掺Ｆ（ｘ＝０．７５）的样品具有最高的Ｔｃ０＝９３Ｋ和最强的抗磁性。在１５０Ｋ样品     

Hg对Bi系高温超导体织构生长的影响

用熔融织构工艺尝试制备的Ｂｉ系超导织构化样品并探索ＨｇＯ的加入对Ｂｉ系样品织构成形成的影响；结果发现，虽然样品（Ｂｉ，Ｐｂ）ＳｒＣａＣｕ的名义配比为２２２２３或２２３４，Ｘ射线衍射分析表明，所得织构样品均不为２２２３或２２３４相，而是２２１２相，原始样品的Ｈdisplay status     

淬火和制备工艺对Bi（Pb）－2223相超导体超导电性、氧含量和微结构的影响

本文通过透射电子显微镜观察、超导电性测量、Ｘ射线衍射、氧含量测定等手段研究了淬火和制备工艺对Ｂｉ（Ｐｂ）－２２２３相超导体超导电性、氧含量和微结构的影响．结果表明，随着淬火温度的提高，Ｔｃ（０）呈现一个不连续的变化，在１００－４００℃范围内，Ｔｃ（０）基本不变，在５００－６００℃，Ｔｃ（０）略有升高，在７５０℃．Ｔｃ（０）呈现一个极小值．在５００—６００℃淬火处理可以增加样品中的氧含量，具有Ｔｃ（０）近１１０Ｋ的Ｂｉ１．７Ｐｂ０．３Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ１０＋６的最佳氧含量在δ＝０．１４—０．２９之间．在８００—８２０℃淬火处理可以改善样品晶粒间的弱连接状态，而样品的弱连接和微结构与阳离子和氧的组成及其制备工艺密切相关．     

RBa_2Cu_3O_（7－x）（R＝Y、Yb）形成过程的差异及单相YbBa_2

本文通过Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、差热分析（ＤＴＡ）和超导电性测量等手段对ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（Ｙ－１２３）和ＹｂＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（Ｙｂ－１２３）相的形成，单相Ｙｂ－１２３超导体的制备，单相Ｙ－１２３超导体的最低形成温度及Ｒ－１２３相的熔点与Ｒ离子半径的关系进行了研究．结果表明Ｙ－１２３和Ｙｂ－１２３相形成过程显著不同．Ｙ－１２３主要通过下一化学反应生成而Ｙｂ－１２３相的形成是形成单相Ｙ－１２３超导体的最低温度为７８０±５℃．找到了一种简单的制备单相Ｙｂ－１２３超导体的方法．     

Bi_（2．2）Sr_（1．8）Ca_（1．05）Cu（2．15－x）NaxO_

本文介绍了用熔融法制备Ｂｉ２．２Ｓｒ１．８Ｃａ１．０５Ｃｕ２．１５－ｘＮａｘＯ８＋ｙ（ｘ＝０，０．４～０．８）样品，发现诸样品零电阻温度都在９０Ｋ左右，其小ｘ＝０．７．Ｔｃ０达到９２，５Ｋ．在８１Ｋ较高温区，该类样品仍然表现出良好的超导电性，其临界电流密度还达到１０３Ａ／ｃｍ２量级．     

Bi2Sr2CaCu2Oy单晶的变温(77～300K)X射线衍射研究

我们进行了Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｙ（Ｂｉ２２１２）单晶变温Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）研究，定量给出温度从７７Ｋ变化至３００Ｋ时，ｃ轴晶格参数和００３８主峰的半高宽（ＦＷＨＭ）Δθ的变化。实验发现，从７７Ｋ至１４０Ｋ，晶格参数ｃ值变化是线性时，随温度较慢地单调增大；从１４０Ｋ附近至３００Ｋ，ｃ值的变化偏离了原来的线性，随交快地单调增大。另外，００３８主峰的半高宽Δθ随温度的变化在１４０Ｋ附近出现一个极大     

Bi_（1．6）Pb_（0．4）Sr_2Ca_（2－x）（Nd_（0．75）Ce

本文通过Ｘ射线衍射、差热分析和超导电性测量等手段对Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２－ｘ（Ｎｄ０．７５Ｃｅ０．２５）ｘＣｕ３Ｏｙ体系的相结构和超导电性进行了研究．该体系中，在８１０—８４０℃空气中烧结４０小时样品的Ｔｅ随着ｘ增加而降低．研究了在７５０－８２０℃烧结样品的超导电性与组成的关系．ｘ＝１．６—２．０，在７５０—８２０℃空气中烧结４０小时样品的超导转变温度为１９—２１Ｋ．这种超导电性可能是由于部分被稳定的Ｂｉ－２２２２相所致．     

发光体Mg_2Y_（8－x－y）（SiO_4）_6O_2：Eu_x~（3＋），B

采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ方法首次在比较低的温度下制备了具有氧磷灰石结构的发光体Ｍｇ２Ｙ８－ｘ－ｙ（ＳｉＯ４）６Ｏ２：Ｅｕ，Ｂｉ（ｘ，ｙ≥０），利用ＸＲＤ、ＩＲ、ＴＧ－ＤＴＡ三种手段研究了发光体的形成过程。室温（２９３Ｋ）和液氮温度（７７Ｋ）的荧光光谱表明Ｅｕ３＋和Ｂｉ３＋在这种基质中分别发射红光和蓝光，每ｍｏｌ基质中其最佳掺杂浓度分别为０．１４ｍｏｌ和０．０３ｍｏｌ，并且其发光都存在温度猝灭。Ｅｕ３＋的激光感生荧光光谱中存在两条５Ｄ０－７Ｆ０跃迁线，表明Ｅｕ３＋同时进入４ｆ格位和６ｈ格位。在Ｅｕ３＋、Ｂｉ３＋共掺杂的发光体中，观察到了Ｂｉ３＋→Ｅ３＋的部分能量传递。     

非晶(Fe_(0.99)Mo_(0.01))_(78)Si_9B_(13),Fe_(78)Si_9B_(13)合金激波晶化主相αFe变化研究

研究激波对非晶ＦｅＢＳｉ,ＦｅＭｏＢＳｉ 合金的影响,经Ｘ 射线衍射分析,测定主晶化相αＦｅ（ Ｍｏ ,Ｂ,Ｓｉ） 晶格常量．结果表明：晶格常量比正常值偏小,用双势模型计算晶格常量,理论值与实验符合得很好．从而肯定晶格常量变小是形成Ｂ 的替代式固溶体和缺位式固溶体所致．     

（Ba_（1－x）K_x）BiO_3芯态能级随组份的变化

本文用第一原理的ＬＤＦ－ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法，以超元胞Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ（１２），（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ（１２），（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ（１２），Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６五种“样本”计算由于Ｂｉ（＋３）和Ｂｉ（＋５）二种价态以及Ｋ掺杂引起各芯态能级化学位移的变化．“样本”的电子结构与实验相符，即Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ（１２）是Ｅｇ＝２．０ｅＶ的半导体，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２是Ｅｇ＝１．６ｅＶ其价带顶有少量空穴的半导体．其余“样本”是金属．芯态的ＬＤＦ本征值经原子模型△ＳＣＦ修正更接近实验值．用正态分布表达各芯态能级除化学位移外各种“环境因子”的影响，结合任意组份五种“样本”的伯努利分布，计算芯态电子能谱随ｘ的变化．结果表明，所有芯态的自旋一轨道分裂与实验完全相符，Ｂｉ（＋３）和Ｂｉ（＋５）二种价态引起各芯态化学位移的变化均小于０．２ｅＶ，Ｋ掺杂使各芯态结合能略有增加，其中Ｂｉ（４ｆ），Ｂａ（５ｄ）约１．３～１．５ｅＶ，其他芯态约０．４ｅＶ，以上计算结果与实验基本一致．     

（Ba1—xKx）BiO3芯态能级随组份的变化

本用第一原理的ＬＤＦ－ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法，以超元胞Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２，（Ｂａ３Ｋ）ＢｉＯ１２，（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ１２，Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６五种“样本”计算由于Ｂｉ＾＋３和Ｂｉ＾＋５二种价态以及Ｋ掺杂引起各芯态能级化学位移的变化，“样本”的电子结构与实验相符，即Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２是ｇ＝－２．０ｅＶ的半导体，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２ｊ Ｅｇ＝１．６ｅＶ其价带顶有不量空穴的半导体，     

(Ba_(1-x)K_x)BiO_3电子结构与超导电性

用第一原理的ＬＤＦ-ＬＭＴＯ-ＡＳＡ超元胞法，模拟由Ｘ射线吸收谱精细结构测定的ＢａＢｉＯ_３中，Ｂｉ有两种价态Ｂｉ^３＋和Ｂｉ^5＋及与之相应的两种不同键长的Ｂｉ—Ｏ八面体，以及Ｋ掺杂对晶体结构的影响．计算了Ｂａ₄Ｂｉ₄Ｏ₁₂，（Ｂａ_３Ｋ）Ｂｉ₄Ｏ₁₂，（ＢａＫ）Ｂｉ₂Ｏ₆，（ＢａＫ_３）Ｂｉ₄Ｏ₁₂，Ｋ₂Ｂｉ₂Ｏ₆（简记为（４０４），（３１４），（１１２），（１３４），（０２２））五种“样本”的电子结构．结果表明，（４０４）和（３１４）分别为Ｅ_g＝１.６ｅＶ及Ｅ_g＝１.５ｅＶ的半导体，其它“样本”为金属．总能的分析表明（１３４）是不稳定的，故溶解极限为ｘ＝０.５．以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率，进而计算了（Ｂａ_1-xＫ_x）ＢｉＯ_３电子结构随组分的变化．最后用逾渗模型说明了超导转变温度Ｔ_c在ｘ＝０．２５附近的突变 关键词：     

Bi1.6Pb0.4Sr2Ca2—x（Nd0.75Ce0.25）xCu3Oy体系的相结构及超导电性

本通过Ｘ射线衍射、差热分析和超导电性测量等手段对Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２－ｘ（Ｎｄ０．７５Ｃｅ０．２５）ｘＣｕ３Ｏｙ体系的相结构和超导电性进行了研究。该体系中，在８１０－８４０℃空气中烧结４０小时样品的Ｔｃ随着ｘ增加而降低。研究了在７５０－８２０℃空气中烧结４０小时样品的超导转变温度为１９－２１Ｋ。这种超导电性可能是由于部分被稳定的Ｂｉ－２２２２相所致。