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1.
2.
本文报道了Mn替代Fe对最佳掺杂的Sm-1111体系超导电性的影响.通过电输运及磁性质的测量发现Mn对Fe的替代迅速抑制了超导电性.随着Mn含量的增加,体系的电阻率ρ和磁化率M逐渐增大.对于低掺杂x<0.25%和未掺杂样品,M接近零,对于≤1%,M从室温到超导转变几乎不变,实验指出Fe2+失去其磁性.我们提出这是由于F...  相似文献   
3.
利用X-光衍射,电阻率和电势等实验手段,系统地研究了La1.85-xSr0.15+xCu1-xMxO4(M=Cr,Mn,Fe,Co,Ga and Al)体系的结构和输运性质。结果表明;所有的三阶离子掺杂都能在较低的掺杂浓度下抑制超导电性,并且引起金属到绝缘体的转变。磁性离子和非磁性离子掺杂引起显著不同的热电势变化,并用d-p杂化态的变化和局域自旋散射来进行分析讨论。  相似文献   
4.
自助熔法从富Bi2O3 的Bi1 .8 + xPb0 .2Sr1 .65La0 .35CuOy(x= 0 .1 ,0 .2,0 .3 ,0.4 ,0 .5) 熔体中生长出了高质量的Pb、La 掺杂的Bi2201 相大单晶,最大尺寸达8 ×4 ×0 .05mm3 .在生长单晶时不同程度过量的Bi2O3 用作助熔剂,最佳助熔剂含量以及最佳温度控制过程被确定.通过单晶的(00l) XRay 衍射和摇摆曲线以及电子衍射对一块尺寸为4 ×1 .6 ×0 .03mm3 的高质量单晶做了结构表征.由试验发现从富Bi2O3 的熔体中生长高质量Bi2201 相大单晶的关键是合适的助熔剂含量和温度控制过程  相似文献   
5.
采用化学气相输运的方法生长了一系列的MPS_3(M=Mn,Fe,Ni)单晶样品.X射线衍射和电子能谱测试结果表明生长出来的样品是纯相并且单晶质量较好.MPS_3单晶样品在低温下均为反铁磁性.当磁场平行于面内时,磁化率—温度曲线在奈尔点以上存在一个较宽的峰值,可能与准二维磁交换导致的短程序有关.这些现象表明MPS_3体系是一个很好的研究二维材料磁性的平台.此前理论与实验结果显示该体系具有宽带隙,电阻率也很大.因此,MPS_3体系在二维层状材料介电方面有很大的应用前景.  相似文献   
6.
Non-stoichiometry effect on the extreme magnetoresistance is systematically investigated for the Weyl semimetal WTe_2. Magnetoresistance and Hall resistivity are measured for the as-grown samples with a slight difference in Te vacancies and the annealed samples with increased Te vacancies. The fits to a two-band model show that the magnetoresistance is strongly dependent on the residual resistivity ratio(i.e., the degree of non-stoichiometry),which is eventually understood in terms of electron doping that not only breaks the balance between electron-type and hole-type carrier densities, but also reduces the average carrier mobility. Thus the compensation effect and ultrahigh mobility are probably the main driving force of the extreme magnetoresistance in WTe_2.  相似文献   
7.
The influence of Gd doping at La-site on the electrical transport properties and the colossal magnetoresistance of La0.7-xGdxSr0.3MnO3 (x = 0.00, 0.10, 0.15, 0.20, 0.30, 0.40, 0.50, 0.60, and 0.70) is studied. The experimental results indicate that the transport properties exhibit abnormal behavior under high doping condition. For x = 0.50, we find that a transition from metal to insulator occurs after the occurrence of insulator-metal transition near Tc, which seldom occurs in ABO3 structure. For samples x = 0.60 and 0.70, it exhibits insulator behavior far above Tc. These abnormal behaviors are attributed to different magnetic background, i.e. the system undergoes a transition from long range ferromagnetic order to the cluster-spin glass state and further to antiferromagnetic order.  相似文献   
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