X射线衍射研究Bi2Sr2—yMyCuO6＋δ（M=La,Pr）晶体结构

作报道了用Ｘ射衍射法对Ｂｉ２Ｓｒ２－ｙＭｙＣｕＯ６＋δ（Ｍ＝ＬａＰｒ０．０＜ｙ＜１．０）系列单晶样品进行结构的研究，根据晶体结构的不同性质，我们将掺杂区分为三个区域，第一个区域的掺镧量在０．０＜ｙ＜０．１０之间，在此区域中晶体的平均结构为单斜结构，其调制波矢具有两个非公度分量ｑ＝βｂ＋γｃ，第二个掺杂区的掺镧量在０．１０＜ｙ＜０．６０之间，晶体的平均结构由单斜转变为正交结构，调制波矢具有单个非公     

用X射线旋进照相观察Bi_（2＋x）Sr_（2－x）CuO_y晶体的调制结构

本文中我们用Ｘ射线旋进照相观察了Ｂｉ２＋ｘＳｒ２－ｘＣｕＯｙ的晶体调制结构．实验结果表明ｘ＝０．２的单晶样品具有单斜对称性，其空间群为Ｂ２／ｂ（或Ｂｂ）．随着ｘ的增加，单斜畸变减小．我们测量了调制波矢随名义组成的变化规律，讨论了调制波矢在第一布里渊区的对称性质．对调制结构提出了几种可能的有公度模型．最后讨论了调制结构对超导电性的影响．     

Bi_2Sr_（1．8）La_（0．2）Cu_（1－x）MxOy（M＝Ni，Z

本文利用Ｘ射线衍射、电子衍射和拉曼散射对Ｂｉ２Ｓｒ１．８Ｌａ０．２ＣＵ１－ｘＭｘＯｙ（Ｍ＝Ｎｉ，Ｚｎ）体系的微结构进行了研究．实验表明，随着掺杂量的增加，掺Ｚｎ体系的结构畸变明显大于掺Ｎｉ体系的结构畸变．由此看来，非磁性杂质Ｚｎ之所以比磁性杂质Ｎｉ对Ｔｃ具有更大的抑制作用，应该归因于Ｚｎ掺杂造成材料中严重的结构畸变．     

La_（2－x）Sr_xCu_（1－y）Fe_yO_4正常态的反常磁性

研究了Ｌａ２－ｘＳｒｘＣｕ１－ｙＦｅｙＯ４（ｘ＝０．１３，０．１５，０．１７和ｙ＝０．０，０．００２，０．００４，０．００６）多晶样品在不同磁场下（Ｈ＝１，３和５Ｔ）正常态直流磁化率与温度的关系和超导转变温度与Ｆｅ掺杂含量的关系．结果表明，不掺杂样品的正常态直流磁化率呈宽峰行为．随着Ｆｅ掺杂量的增多，直流磁化率与温度的关系由宽峰行为变为Ｃｕｒｉｅ－Ｗｅｉｓｓ行为．与此同时，超导转变温度随Ｆｅ掺杂含量的变化而变化．这表明载流子浓度是影响超导的重要因素．对Ｆｅ掺杂样品，其正常态直流磁化率与温度的关系可以用Ｘ＝ａ＋ｂＴ＋ｃ／（Ｔ－Ｔ０）很好的表示．我们认为，其中ａ＋ｂＴ项是带Ｐａｕｌｉ顺磁的贡献．对同一掺Ｆｅ样品，增加外磁场时，居里常数ｃ增大而常数项ａ减小．这是由于在Ｆｅｒｍｉ面存在不满的窄带（ｄｘ２上Ｈｕｂｂａｒｄ带），它是导致居里顺磁的原因．增加磁场时它往高能方向移动，窄带的电子空得更多，这些电子移向较宽的杂化带，导致每个Ｃｕ离子的磁矩增大，而带的Ｆｅｒｍｉ面电子态度减小．我们的实验结果也表明，超导电性与能带结构密切相关．     

Bi2Sr1.8La0.2Cu1—xMxOy（M=Ni,Zn）体系的微结构研究

本利用Ｘ射线衍射、电子衍射和拉曼散射对Ｂｉ２Ｓｒ１．８Ｌａ０．２Ｃｕ１－ｘＭｘＯｙ（Ｍ＝Ｎｉ，Ｚｎ）体系的微结构进行了研究。实验表明，随着掺杂量的增加，掺Ｚｎ体系的结构畸变明显大于掺Ｎｉ体系的结构畸变。由此看来，非磁性杂质Ｚｎ之所以比磁性杂质Ｎｉ对Ｔｃ具有更大的抑制作用，应该归因于Ｚｎ掺杂造成材料严重的结构畸变。     

Bi－2201单晶调制结构的X射线衍射观测

本文用Ｘ射线的方法对Ｂｉ－２２０１大片超导单晶的调制结构进行了研究．在衍射谱中，除了００１的主衍射峰外，还出现了一系列卫星峰．由这些卫星峰的位置可以得到这种单晶的调制波矢ｑ＝０．２０８ｂ＋０．３６ｃ．这与用电子显微镜观测的结果基本一致．     

Bi—2201单晶调制结构的X射线衍射观测

本用Ｘ射线的方法对Ｂｉ－２２０１大片超导单晶的调制结构进行了研究，在衍射谱中，除了００１的主衍射峰外，还出现了一系列卫星峰。由这些卫星峰的位置可以得到这种单晶的调制波矢ｑ＝０．２０８ｂ＾＊＋０．３６ｃ＾＊。这与用电子显微镜观测的结果基本一致。     

Nd^3＋：La2Be2O5单晶的光谱特性

Ｎｄ（３＋）：Ｌａ２Ｂｅ２Ｏ５（Ｎｄ（３＋）：ＢＥＬ）是一种具有单斜结构的双轴晶体，发射线性偏振荧光谱，当Ｅ∥Ｘ时，荧光峰值波长为１．０７０μｍ，Ｅ∥ｙ（ｂ）时，＝１．０７９μｍ．本文测量了Ｎｄ（３＋）：ＢＥＬ单晶的吸收谱，偏振和非偏振荧光谱，低温荧光谱（７７Ｋ°）和荧光寿命，（τ＝１３５±５μｓ），并且分析了其光谱特性与Ｎｄ（３＋）：ＹＡＧ作了比较，认为Ｎｄ（３＋）：ＢＥＬ更适合激光二极管泵浦．     

电化学增氧La_2CuO_（4＋δ）（0＜δ＜0．12）的研究Ⅲ．氧掺杂效率与超导电性

本文研究了Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ体系中额外氧的掺杂效率和低温下的超导相图．当氧含量较低时（δ＜０．０３），每个额外氧向铜氧面提供两个空穴；而当δ＞０．０３时，每增加一个氧则平均只提供１．３个空穴．在Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ体系中首次发现了１５Ｋ反常现象，这种反常不是由晶体相变诱导的．     

掺Ba的2201相的结构与性能的关系

利用电子衍射方法发现Ｂａ的掺杂增强了Ｂｉ系２２０１相的非公度调制，即沿ｂ，ｃ方向的调制周期都明显下降。超导电性研究发现适量Ｂａ的掺杂（ｘ≤０．２）可提高２２０１相的T_c，但当ｘ≥０．３时，其T_c迅速下降，同时伴随超导相－绝缘相的转变。还利用Ｘ射线和紫外光电子能谱系统地分析了此体系的电子结构的特征，在此基础上综合地分析了该体系的非公度调制结构、电子结构与超导电性的相互关系，指出这种Ｂａ^２＋对Ｓｒ^２＋的同价元素的替代加剧了 关键词：     

Bi_（2．2）Sr_（1．8）Ca_（1．05）Cu（2．15－x）NaxO_

本文介绍了用熔融法制备Ｂｉ２．２Ｓｒ１．８Ｃａ１．０５Ｃｕ２．１５－ｘＮａｘＯ８＋ｙ（ｘ＝０，０．４～０．８）样品，发现诸样品零电阻温度都在９０Ｋ左右，其小ｘ＝０．７．Ｔｃ０达到９２，５Ｋ．在８１Ｋ较高温区，该类样品仍然表现出良好的超导电性，其临界电流密度还达到１０３Ａ／ｃｍ２量级．     

La_（1．85）Sr_（0．15）Cu_（1－x）Fe_xO_（4－y）的窄能带行为与超导电性关系的研究

用ＳＱＵＩＤ直流磁强计研究了Ｌａ（１．８５）Ｓｒ（０．１５）Ｃｕ（１－ｘ）ＦｅｘＯ（４－ｙ）（ｘ＝０．００２，０．００４和０．００６）多晶样品在不同磁场下（Ｈ＝０．０１，０．０３，０．０５Ｔ）正常态的直流磁化率与温度关系和超导转变温度与Ｆｅ掺杂含量的关系．实验结果表明，不掺Ｆｅ的样品其直流磁化率与温度的关系里宽峰行为，随着Ｆｅ掺杂的增多，直流磁化率与温度的关系由宽峰行为迅速转变为Ｃｕｒｉｅ－Ｗｅｉｓｓ行为．与此同时，超导转变温度也由不掺Ｆｅ的３１．０Ｋ增加到３３．６Ｋ（ｘ＝０．００２），然后再单调降低．这清楚地表明，载流子浓度才是影响超导的最重要的因素。对于掺Ｆｅ的样品，其正常态直流磁化率Ｘ与温度Ｔ的关系可以用Ｘ＝ａ＋ｂＴ＋ｃ／（Ｔ一Ｔ０）很好地表示．我们认为，式中ａ＋ｂＴ项是由于Ｃｕｄ带泡利硕磁的贡献．增加磁场时，对于同一个接Ｆｅ样品，居里常数Ｃ增大而常数项ａ减小．这是由于掺Ｆｅ的样品在Ｆｅｒｍｉ面存在不满的窄带（ｄｘ２上Ｈｕｂｂｒｄ带），它是产生居里硕磁的原因．增加磁场时，它往高能量方向移动，窄带的电子空得更多，这些电子移向较宽的Ｃｕ杂化带．这样一来，增加磁场时，每个Ｃｕ离子的磁矩增大．而Ｃｕｄ带的Ｆｅ     

Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1—xGdxCu2Oy单晶载流子浓度和各向异性电阻率？…

系统地研究了Ｇｄ掺杂对Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１－ｘＧｄｘＣｕ２Ｏｙ单晶超导电性及各向异性电阻率的影响。Ｔｃ满足Ｔｃ／Ｔｃ,ｍａｘ＝１－８２．６（ａｘ＋ｂ）＾２,并随Ｇｄ含量的增加而下降,这是由于Ｇｄ掺杂引起载流子浓度减小所导致。在ｘ≥０．１９时,ρａｂ（Ｔ）在Ｔｃ随近有类半导体行为,ｄρａｂ／ｄＴ随Ｇｄ含量的增大而增大。ρｃ（Ｔ）呈半导体行为,并可用唯象公式ρｃ（Ｔ）＝（ａ／Ｔ）ｅｘｐ（△／Ｔ）＋ｂＴ＋     

电化学增氧La2CuO4＋δ（0〈δ〈0.12）的研究：Ⅲ.氧掺杂效率与超…

本研究了Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ体系中额外氧的掺杂效率和低温下的超导相图。当氧一较低时，每个额外氧向铜氧面提供两个空穴；而当δ〉０．０３时，每增加一个氧则平均只提供１．３个空穴。在Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ体系中首次发现了１５Ｋ反常现象，这种反常不是由晶体相变诱导的。     

NbSr_2（LaCe）_2Cu_2O_（10－δ）28K的超导电性

电阻和交流磁化率测量表明，ＮｂＳｒ２Ｌａ１．３５Ｃｅ０．６５Ｃｕ２Ｏ１０－δ在２８Ｋ时具有超导电性，起始转变温度为２８Ｋ．Ｘ射线衍射表明它属于四方晶系，晶胞参数ａ＝３．８９６Ａ，Ｃ＝２８．３１９Ａ．该化合物结构与Ｔａ－１２２２结构相似．     

电化学增氧La2CuO4＋δ（0〈δ〈0.12）的研究：Ⅱ.化学相分离

在Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ的电化学增氧过程中，额外氧含量δ与电量Ｑ之间存在直线关系：δ＝Ｑ／２，在室温附近至少存在两个相共存区。它们的δ分布范围分别为０．００６－０．０４７和０．０７５－０．１７。其中在较高掺杂浓度范围内的第二个两相区是本研究首次发现的，其存在不能用Ｅｍｅｒｙ理论来解释。     

La2-xSrxMnRuO6系统的磁性和输运性质

通过对具有双层钙太矿结构的Ｌａ２ － ｘＳｒｘＭｎＲｕＯ６ 系统的结构,磁化率和电阻率的观测,结果发现：在ｘ＝ １ ．０ 附近,发生了从具有Ｍｎ 和Ｒｕ 无序分布的立方结构到有序分布的单斜岩盐结构的结构相变;样品在低温下呈现铁磁性,而在高温下呈现顺磁性,其电阻温度关系呈现２ Ｄ 变程跳迁（ＶＲＨ） 行为;Ｌａ２ － ｘＳｒｘＭｎＲｕＯ６（１ ．０ ≤ｘ ≤２ ．０） 样品在３００Ｋ 以下呈现亚铁磁性．它们的电阻温度关系既不能用ＶＲＨ 机制来描述,也不能用单能隙的热激活跃迁机制来描述．同时对该系统的交换相互作用进行了讨论     

新型（Pb,Cd）—1222相化合物的制备,结构和电学性质

本成功地合成了一系列新型Ｐｂ－１２２２相层状铜氧化物（Ｐｂ０．５Ｃｄ０．５）（Ｓｒ０．９Ｒ０．１）２（Ｒ‘０．７Ｃｅ０．３）２Ｃｕ２Ｏｚ，Ｒ＝Ｒ’＝Ｙ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ以有（Ｒ，Ｒ‘）＝（Ｌａ，Ｅｕ），Ｓｍ，Ｇｄ），（Ｓｍ，Ｅｕ），（Ｌａ，Ｇｄ），（Ｅｕ，Ｇｄ），（Ｎｄ，Ｄｙ），（Ｎｄ，Ｙ），（Ｎｄ，Ｅｒ）。     

YBa2Cu3O7—δ掺Co样品的中子衍射研究

对磁性金属钴掺杂的ＹＢａ２（Ｃｕ１－ｙＣｏｙ）３Ｏ７－δ超导体进行了中子衍射研究。研究表明：钴原子择优占据Ｃｕ（１）晶位；随着钴一的增加，单胞中平均氧含量增加；晶胞的晶格常数α增大，ｂ减小，至ｙ＝０．０３８时，ａ＝ｂ，而ｃ是先增大再减小。     

BaSn＿（1－x）Sb＿xO＿（3－δ）和Ba＿（1－y）La＿ySnO＿（3－δ）的导电机制

测量了ＢａＳｎ＿（１－ｘ）Ｓｂ＿ｘＯ＿（３－δ）和Ｂａ＿（１－ｙ）Ｌａ＿ｙＳｎＯ＿（３－δ）样品的低温电阻率和磁化率．实验结果表明，在较低温度区域，两类样品的导电机制均是传导电子的范围可变跳跃。而在较高温度区域，ＢａＳｎ＿（１－ｘ）Ｓｂ＿ｘＯ＿（３－δ）样品的电导主要是电子从定域态到扩展态的跃迁所贡献，Ｂａ＿（１－ｙ）Ｌａ＿ｙＳｎＯ＿（３－δ）样品的电导则可能来源于电子的最近邻跳跃。