沉积在α-Al２Ｏ3分形基底上Ag薄膜的特性

报道了采用磁控溅射法在α－Ａｌ_２Ｏ₃分形基底上沉积Ａｇ薄膜表面的形貌、结晶状态以及其Ｖ－Ｉ特性．结果表明：分形的Ａｌ_２Ｏ₃基底导致Ａｇ薄膜具有起伏不平的结构、较差的结晶状态并且存在大量的孔洞，它们同样受基底温度和薄膜厚度的影响．在一定的厚度范围内，Ａｇ薄膜呈现反常的非线性Ｉ（Ｖ）特性，其行为也受薄膜厚度、基底温度和测试环境的强烈影响． 关键词：     

钠米Al＿（2）O＿（3）块体材料在可见光范围的荧光现象

对不同温度退火未掺Ｃｒ的纳米结构Ａｌ＿２Ｏ＿３块体的荧光谱进行了系统的研究。结果表明，在纳米级勃母石，η－Ａｌ＿２Ｏ＿３和γ－Ａｌ＿２Ｏ＿３试样中均观察到两个宽的荧光带（ｐ＿１和ｐ＿２带），它们的波数范围分别为２００００—１４５００和１４５００—１１５００ｃｍ￣（－１）。ｐ＿１带可归结为纳米Ａｌ＿Ｏ＿３，本身所含的微量Ｃｒ￣（３＋）离子产生的荧光，这与前人报道的掺Ｃｒ的Ａｌ＿２Ｏ＿３结果一致，ｐ＿２带为未曾见报道的新的荧光带。本文重点对ｐ＿２带出现的条件及其机制进行了比较详细的讨论。     

ZnO－Bi＿（2）O＿（3）－Sb＿（2）O＿（3）－BaO系陶瓷的晶界相与抗退降性能

在通常的ＺｎＯ－Ｂｉ＿２Ｏ＿３－Ｓｂ＿２Ｏ＿３系电压敏陶瓷中，加入能构成压敏特性的钡添加剂，发现除已知的Ｂｉ＿２Ｏ＿３和Ｚｎ＿２．３３Ｓｂ＿０．６７Ｏ＿４晶界相以外，还出现新的晶界相，分析表明是固溶有微量其它成分的偏锑酸钡（ＢａＳｂ＿２Ｏ＿６）晶相。同时还发现，ＢａＳｂ＿２Ｏ＿６相是热稳定的，它对改善压敏陶瓷的退降性能起重要作用。通过控制各种添加剂的含量，使晶界相Ｂｉ＿２Ｏ＿３，Ｚｎ＿２．３３Ｓｂ＿０．６７Ｏ＿４和ＢａＳｂ＿２Ｏ＿６之间的数量有适当比例时，压敏陶瓷在长期电负荷作用下和脉冲大电流作用下的抗退降能力都有显著的提高，特别可贵的是反向Ｖ—Ｉ特性的退阵有很大的改善。     

［（μ－CF＿3CO＿2）＿2Ln（μ－CF＿3HCO＿2）Al（i－Bu）＿2·2THFl＿2（Ln＝Nd，Y）配合物的NMR和X－射线衍射研究

对［μ－ＣＦ＿３ＣＯ＿２）＿２Ｌｎ（μ－ＣＦ＿３ＨＣＯ＿２）Ａｌ（ｉ－Ｂｕ）＿２·ＴＨＦｌ＿２（Ｌｎ＝Ｎｄ，Ｙ）配合物单晶结构的Ｘ－射线分析指出，配合物具有中心对称性，配位中心由两个稀土和两个Ａｌ离子组成，稀土由两个ＴＨＦ和６个ＴＦＡ分子配位形成畸变的三盖三棱柱结构，Ａｌ由两个ＴＦＡＧ和两个ｉ－Ｂｕ配位形成四面体结构。桥连Ａｌ与两个稀土的ＴＦＡ分子的羧基发生歧化加氢，其碳原子由ＳＰ￣２型转变为ＳＰ￣３型．ＮＭＲ研究表明，在ＴＨＦ溶液中，该配合物保持了它在单晶中的配位结构，所不同的是两个ｉ－Ｂｕ在溶液中有两种异构形成，二者间为慢交换过程。     

Ag／YB12Cu3O7—x,Al／YBa2Cu3O7—x界面特性分析

利用电学测量方法结合二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术对金属Ａｇ与Ａｌ与ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（ＹＢＣＯ）超导薄膜接触界面电学性质和扩散特征进行了测试分析，分析结果显示由于Ａｇ和Ａｌ具有不同的化学性质，二与ＹＢＣＯ界面的互扩散特性有明显不同，这些不同影响到接触界面的电学性质和接触窗口下ＹＢＣＯ超导性能，在Ａｇ／ＹＢＣＯ样品中，在高于３５０℃以上的温度下氧气氛中退火将引起Ａｇ和Ｏ的界面互扩散，但对ＹＢＣ     

非晶态半导体／金属薄膜的分形晶化

本文综述非晶态半导体／金属薄膜退火过程中金属诱导非晶态半导体晶化的研究，综述对若干非晶态半导体与金属组成的薄膜（Ｇｅ－Ａｕ、Ｇｅ－Ａｇ、Ｇｅ－Ａｌ、Ｇｅ－Ｓｅ、Ｇｅ－ｐｄ、Ｓｉ－Ａｇ、Ｓｉ－Ａｌ、Ｓｉ－ｐｄ、Ｓｉ－Ｃｕ、ｓｉｃ－Ａｌ、Ｓｉ＿３Ｎ＿４－Ａ１）晶化后形成的图形进行的分形研究，内容包括分形形成的实验规律、根据微结构电镜观测结果提出的随机逐次成核模型、以及对分形晶化进行的计算机模拟。     

1MeVSi~＋衬底加温注入Al＿（0．3）Ga＿（0．7）As／GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究

用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ￣＋在衬底加温和室温下以不同剂量注入Ａｌ＿（０．３）Ｇ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ后的晶格损伤。在衬底加温下，观察到Ａｌ＿（０．３）Ｇａ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围，以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比ＧａＡｓ更难以损伤，并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于ＧａＡｓ中的相应临界剂量，用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用ＣＮＤＯ／２量子化学方法计算了ＧａＡｓ和Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ中化学键的相对强度，并根据计算结果解释了注入过程中Ａｌ＿（０．３）Ｇａ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ中晶格损伤程度的差别。     

非晶态半导体／金属薄膜的分形晶化

本文综述非晶态半导体／金属薄膜退火过程中金属诱导非晶态半导体晶化的研究,综述对若干非晶态半导体与金属组成的薄膜（Ｇｅ－Ａｕ、Ｇｅ－Ａｇ、Ｇｅ－Ａｌ、Ｇｅ－Ｓｅ、Ｇｅ－ｐｄ、Ｓｉ－Ａｇ、Ｓｉ－Ａｌ、Ｓｉ－ｐｄ、Ｓｉ－Ｃｕ、ｓｉｃ－Ａｌ、Ｓｉ＿３Ｎ＿４－Ａ１）晶化后形成的图形进行的分形研究,内容包括分形形成的实验规律、根据微结构电镜观测结果提出的随机逐次成核模型、以及对分形晶化进行的计算机模拟。     

Ag／YBa_2Cu_3O（7－x）、Al／YB_2Cu_3O（7－x）界面特性

利用电学测量方法结合二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术对金属Ａｇ和Ａｌ与ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ（７－ｘ）（ＹＢＣＯ）超导薄膜接触界面电学性质和互扩散特征进行了测试分析．分析结果显示由于Ａｇ和Ａｌ具有不同的化学性质，二者与ＹＢＣＯ界面的互扩散特性有明显不同．这些不同影响到接触界面的电学性质和接触窗口下ＹＢＣＯ的超导性能．在Ａｇ／ＹＢＣＯ样品中，在高于３５０℃以上的温度下氧气氛中退火将引起Ａｇ和Ｏ的界面互扩散，但对ＹＢＣＯ体内Ｏ的分布及ＹＢＣＯ的超导性能影响不大，且有利于在界面形成好的电学接触；在Ａｌ／ＹＢＣＯ样品中，在高于３５０℃以上的温度下氧气氛中退火后，界面则主要发生Ｏ向Ａｌ膜体内的扩散，并在Ａｌ和ＹＢＣＯ界面生成一不导电的氧化层，这些将影响到ＹＢＣＯ体内Ｏ的分布和接触窗口下的ＹＢＣＯ的超导性能．在合适的退火条件（约５００℃氧气氛中）下退火，Ａｇ与ＹＢＣＯ将形成小的接触电阻，利用剥离工艺制备的样品，其界面接触电阻率ρ（ρｃ＝Ｒ×Ａ）高于是１０（－６）Ωｃｍ２．     

高偏压金属─绝缘体─金属结的光发射

我们制作了一种可在６—１１Ｖ偏压范围内均匀发射可见光的新型金属—绝缘体—金属结型发光器件，其内层结构是Ａｌ－Ａｌ２Ｏ３－ＭｇＦ２－Ａｎ（Ｃｕ），其承受偏压、单位面积发光功率及相应的外量子效应高过迄今已知的Ｍ－Ｏ－Ｍ遂道结型发光器件．本文首次报导并论证了这一由Ｓｃｈｏｔｔｋｙ热电子所激发的光发射及其物理图象：Ｓｃｈｏｔｔｋｙ热电子在ＡＯ（Ｃｕ）－真空界面激发表面等离极化激元（ＳＰＰ）；Ａｕ（Ｃｕ）－真空界面的ＳＰＰ通过表面粗糙度与外光子耦合．这一图象与该器件的电流—电压（Ｉ—Ｖ）、电流—温度（Ｉ－Ｔ）关系及其发射光谱的主要特征一致．     

CCl＿4，CH＿2Cl＿2和CHCl＿3对磷脂酰胆碱紫外电子吸收光谱的影响

测量了ＣＣｌ＿４，ＣＨ＿２Ｃｌ＿２和ＣＨＣｌ＿３对生物膜中磷脂酰胆碱作用的紫外电子吸收光谱，实验结果表明，由于ＣＣｌ＿４，ＣＨ＿２Ｃｌ＿２和ＣＨＣｌ＿３分子结构的差异，三种溶剂的极性依次递增，磷脂酰胆碱π－π￣＊电子跃迁的吸收峰红移。磷脂酰胆碱在ＣＣｌ＿４中光谱呈单吸收峰，在ＣＨ＿２Ｃｌ＿２和ＣＨＣｌ＿３中光谱特征呈双蜂结构，存在聚集体的激子态跃迁，由此给出了脂质分子聚集状态的光谱依据。     

用￣1H NMR法研究［Co（Xacac）＿2（Me－en）］ClO＿4的重氢化

应用￣１ＨＮＭＲ技术推定了新合成的二（３－取代Ｘ基－２，４－戊二酮）．Ｎ－甲基乙二胺合钴（Ⅲ）配合物：［Ｃｏ（Ｘａｃａｃ）＿２（Ｍｅ－ｅｎ）］ＣｌＯ＿４（Ｘ＝ＣＨ＿３、Ｃｌ、ＮＯ＿２）的Δ（Ｒ）∧（Ｓ）和Δ（Ｓ）∧（Ｒ）异构体的空间构型，测定了各配合物异构体手性配位氮原子上的重氢化速率常数ｋ＿Ｄ值（３４．０℃）．结果表明，取代基Ｘ对ｋ＿Ｄ值有着显著影响。     

Y＿（0．9）Eu＿（0．1）Ba＿2Cu＿3O＿（7－δ）中的磁通蠕动研究

在较宽的温度（４．２－８０Ｋ）和磁场（０－８Ｔ）范围内测量了ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）和Ｙ＿（０．９）Ｅｕ＿（０．１）Ｂａ＿２·Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）样品的磁滞回线和磁弛豫，研究了其Ｍ（ｔ），Ｊ＿ｃ（Ｔ）和Ｕ＿（ｅｆ＿ｆ）（Ｊ）关系，并与现有的一些理论模型所预言的结果进行了比较。结果表明：（１）与ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）相比，Ｙ＿（０．９）Ｅｕ＿（０．１）·Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）样品的有效钉扎势和无磁通蠕动时的临界电流密度有明显提高，表明Ｅｕ的部分替代引入了新的、具有更大的钉扎势的钉扎中心；（２）与其它模型相比，集体钉扎——蠕动理论对我们的实验结果作了更好的描述，因而本文为这一理论提供了新的实验证据。     

巯基棉分离富集原子吸收光谱法测定铜精矿中金银

本文详细地研究了在ＨＣｌ介质中,巯基棉分离富集Ａｕ,Ａｇ,ＫＩＯ３－ＨＣｌ解脱Ａｕ,原子吸收分光光度法测定金、银的方法。本方法一次溶样连续测定Ａｕ,Ａｇ,简便快速,分析结果可靠,在Ａｕ３２μｇ,Ａｇ４００μｇ范围内,Ａｕ回收率９８．８％－１０１．２％,ＲＳＤ为３％,Ａｇ回收率９７．３％￣１０１．３％,ＲＳＤ为２％。     

电场对Au—Ag薄膜结构影响的AFM和VAXPS研究

利用原子力显微镜（ＡＦＭ）和变角Ｘ射线光电子谱（ＶＡＸＰＳ）技术研究了Ａｕ－Ａｇ／ＳｉＯ２体系在直流电场作用下，Ａｕ，Ａｇ电迁移的特点及所引起的薄膜结构的变化，观察到较低温度下Ａｕ，Ａｇ聚集状态的显著变化，发现电迁移过程中Ａｕ－Ａｇ薄膜与ＳｉＯ２基底之间存在界面化学反应，膜层中Ａｕ，Ａｇ，Ｓｉ等元素的化学状态发生了相应的变化，这些结构表明ＳｉＯ２表面上Ａｕ－Ａｇ复合薄膜电迁移不只是一个水平方向的扩     

焙烧温度对Mg(Al)O复合物结构和表面酸碱性质影响的研究

分别在６７３。８７３和１０７３Ｋ分解Ｍｇ／Ａｌ摩尔经继３的水滑石生成Ｍｇ（Ａｌ）Ｏ复合物，ＸＲＤ测定均ＭｇＯ物相，８７３Ｋ以上焙烧的样品同时存在ＭｇＡｌ２Ｏ４尖晶石物相，微量吸附量热测定其表面酸碱中心的强度和密度，发现碱中心强度和密度顺序为ＭＡＯ－２〈ＭＡＯ－３≈ＭＡＯ－１，而酸中心强度和密度顺序是：ＭＡＯ－１〉ＭＡＯ－３≈ＭＡＯ－２，红外光谱表明，Ｍｇ（Ａｌ）Ｏ复合物表面酸碱中心主要存在Ｌ酸，碱     

Gd＿（1－x）Ca＿xBa＿2Cu＿3O＿（7－y）高温超导体压力效应的研究

研究了Ｇｄ＿（１－ｘ）Ｃａ＿ｘＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－ｙ）（０．０≤Ｘ≤０．２０）高温超导体在常压和高压下的超导电性在１－３００Ｋ温度范围内，利用Ｂｒｉｄｇｍａｎ对顶砧获得压力达９．０ＧＰａ，测量了（Ｘ＝０．１０，０．１５，０．２０）样品的ｄＴ＿ｃ／ｄｐ分别为７．６８，７．８和４．４６Ｋ／ＧＰａ。发现Ｔ＿ｃ的压力导数随着ｃａ￣（２＋）含量的增加而下降，分析了氧含量对Ｔ＿ｃ和ｄＴ＿ｃ／ｄＰ的影响．利用常压下晶格参数精修值和阳离子与氧离子间距随压力的改变，说明ＣｕＯ＿２面在超导电性上的作用，用ＣｕＯ＿２面之间耦合解释Ｔ＿ｃ（Ｐ）曲线的非线性关系。     

ESR研究非晶Ag￣＋导体的晶化

用电子自旋共振（ＥＳＲ）方法对非晶Ａｇ￣＋离子导体０．８５ＡｇＩ～０．１５Ａｇ＿４Ｐ＿２Ｏ＿７的热处理晶化过程进行研究，在样品中掺入微量（约１×１０￣（－３）ｇ／ｇ）的Ｍｎ￣（２＋）或Ｖ￣（４＋）离子作为自旋探针离子，它们的ＥＳＲ谱强度随升温线性减弱，当样品完全晶化时ＥＳＲ谱消失。这样测定的样品完全晶化的温度分别为９８℃（掺Ｍｎ的）和１０８℃（掺Ｖ的）．本文还对Ｍｎ￣（２＋）和Ｖ￣（４＋）的ＥＳＲ谱进行了分析。     

AlL＿3－L′及AlL＿3－AlL＿3′（L＝噻吩甲酰三氟丙酮，L′＝乙酰丙酮）体系分子间配体交换的￣（19）FNMR研究

本文用￣（１９）ＦＮＭＲ研究了Ａｌ（Ｔｔｆａｃ）＿３－ａｅａｃ、Ａｌ（Ｔｔｆａｃ）＿３－Ａｌ（ａｅａｃ）＿３体系分子间配体交换反应，其中Ｔｔｆａｃ为非对称二齿配体噻吩甲酰三氟丙酮，ａｃａｃ为对称二齿配体乙酰丙酮（ＣＨ＿３－Ｃ－ＣＨ＿２－Ｃ－ＣＨ＿３）．实验结果证实了新物种的产生，求得了交换反应的平衡常数、自由能，发现这一非对称二齿配体金属络合物与对称二齿配体金属络合物体系的配体交换反应平衡时各物种的摩尔分数服从随机统计分布，并讨论了结构与能量及交换反应平衡程度的关系。     

BaSn＿（1－x）Sb＿xO＿（3－δ）和Ba＿（1－y）La＿ySnO＿（3－δ）的导电机制

测量了ＢａＳｎ＿（１－ｘ）Ｓｂ＿ｘＯ＿（３－δ）和Ｂａ＿（１－ｙ）Ｌａ＿ｙＳｎＯ＿（３－δ）样品的低温电阻率和磁化率．实验结果表明，在较低温度区域，两类样品的导电机制均是传导电子的范围可变跳跃。而在较高温度区域，ＢａＳｎ＿（１－ｘ）Ｓｂ＿ｘＯ＿（３－δ）样品的电导主要是电子从定域态到扩展态的跃迁所贡献，Ｂａ＿（１－ｙ）Ｌａ＿ｙＳｎＯ＿（３－δ）样品的电导则可能来源于电子的最近邻跳跃。