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1.
掺杂聚合物蓝光发光二极管 总被引:3,自引:0,他引:3
报道了用有机染料TPB(1,l,4,4-四苯基丁二烯)分散到PVK(聚乙烯基咔唑)中的掺杂聚合物作有源层制作的蓝光发光二极管及其发光特性。聚合物发光层用旋转涂敷的方法制备,用透明导电材料ITO(铟锡氧化物)、金属Al作为正负电极。器件正向偏压为13V时,可以看到蓝光发射,峰值波长为455nm,注入电流为50mA/cm2时,亮度为44cd/m2。 相似文献
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我们制作了一种可在6-11V偏压范围内均匀发射可见光的新型金属-绝缘体-金属结型发光器件,其内层结构是Al-Al2O3-MgF2-An(Cu),其承受偏压、单位面积发光功率及相应的外量子效应高过迄今已知的M-O-M遂道结型发光器件.本文首次报导并论证了这一由Schottky热电子所激发的光发射及其物理图象:Schottky热电子在AO(Cu)-真空界面激发表面等离极化激元(SPP);Au(Cu)-真空界面的SPP通过表面粗糙度与外光子耦合.这一图象与该器件的电流-电压(I-V)、电流-温度(I-T)关系及其发射光谱的主要特征一致. 相似文献
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一种压控波长可调谐异质结有机薄膜发光二极管 总被引:2,自引:0,他引:2
利用空穴型聚合物材料ROPPV-12[聚(十二烷氧基-对苯乙炔)]与电子型有机小分子材料Alq3(八羟基喹啉铝)配合制备了有机薄膜异质结发光二极管。发现该异质结器件在ROPPV-12的厚度保持为70nm、Alq3的厚度为20nm时,器件的性能最优,且电致发光完全来自ROPPV-12;而当Alq3的厚度为32nm时,发光区域则跨越了ROPPV-12与Alq3,器件在较低驱动电压下来自ROPPV-12的光发射占主导地位,随着电压的升高,Alq3的光发射逐渐占据了主导地位。在相同电压下,前一器件的亮度、电流、发光效率都要远高于后一器件。分析了其发光机理。 相似文献
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制成了用三价Tb配合物作为发射层的有机电致发光二极管,并获得纯Tb3+的发光光谱。二层结构为玻璃衬底/In-SnO(ITO)/poly(N-vinylcarbazole)(PVK)/Tb配合物/Al,在正向直流偏压下发出明亮的绿光。器件的电致发光(EL)光谱与Tb配合物薄膜的光致发光(PL)光谱完全一致,含有一个尖锐的发射带,系典型的Tb配合物的发光谱。在驱动电压为5V下,发光清晰可见,当驱动电压达到15.4V时,获得210cd/m2的发光,据知这是用Tb配合物做发射层的电致发光元件的最亮的发光。同时,通过对器件光谱及电学特性的测量、比较和分析,探讨了有关稀土电致发光机理等问题 相似文献
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利用电学测量方法结合二次离子质谱(SIMS)技术对金属Ag与Al与YBa2Cu3O7-x(YBCO)超导薄膜接触界面电学性质和扩散特征进行了测试分析,分析结果显示由于Ag和Al具有不同的化学性质,二与YBCO界面的互扩散特性有明显不同,这些不同影响到接触界面的电学性质和接触窗口下YBCO超导性能,在Ag/YBCO样品中,在高于350℃以上的温度下氧气氛中退火将引起Ag和O的界面互扩散,但对YBC 相似文献
7.
利用电学测量方法结合二次离子质谱(SIMS)技术对金属Ag和Al与YBa2Cu3O(7-x)(YBCO)超导薄膜接触界面电学性质和互扩散特征进行了测试分析.分析结果显示由于Ag和Al具有不同的化学性质,二者与YBCO界面的互扩散特性有明显不同.这些不同影响到接触界面的电学性质和接触窗口下YBCO的超导性能.在Ag/YBCO样品中,在高于350℃以上的温度下氧气氛中退火将引起Ag和O的界面互扩散,但对YBCO体内O的分布及YBCO的超导性能影响不大,且有利于在界面形成好的电学接触;在Al/YBCO样品中,在高于350℃以上的温度下氧气氛中退火后,界面则主要发生O向Al膜体内的扩散,并在Al和YBCO界面生成一不导电的氧化层,这些将影响到YBCO体内O的分布和接触窗口下的YBCO的超导性能.在合适的退火条件(约500℃氧气氛中)下退火,Ag与YBCO将形成小的接触电阻,利用剥离工艺制备的样品,其界面接触电阻率ρ(ρc=R×A)高于是10(-6)Ωcm2. 相似文献
8.
Pang Xiaofeng International Centre for Material Physics Academia Sinica Dept. of Physics Southwest Institute for Nationalities The Institue of Atomic Molecular Physics Sichuan Union UniversityShenyang Chengdu Chengdu 《原子与分子物理学报》1997,(1)
ASTATISTICALTHEORYFORTHEBIO-PHOTONEMISSIONOFTHELIVINGSYSTEMSPangXiaofengInternationalCentreforMaterialPhysics,AcademiaSinicaD... 相似文献
9.
《Chinese Journal of Lasers》1996,(6)
AuthorsIndextoVolumeB5ANHonglin--(6),501BAOGuojUn--(l),8BAOJiashan--(l),43CAIBangwei--(4),363CAOacing--(1),94CAOQing--(5),439... 相似文献
10.
Li Taihua An Zhu Luo Zhengming Center for Radiation Physics Institute of Nuclear Science Technology Sichuan Union University Chengdu 《原子与分子物理学报》1997,(1)
MEASUREMENTSOFFeANDCuK-ShelIONIZATIONCROSSSECTIONSBYSLOWELECTRONIMPACTLiTaihuaAnZhuLuoZhengmingCenterforRadiationPhysics,Ins... 相似文献
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首次报告在A3M2Ge3O12∶Cr(A=Cd2+,Ca2+;M=Al3+,Ga3+,Sc3+)锗酸盐石榴石体系中,Cr3+离子室温下的红—近红外(R—NIR)宽发射带光谱性质。随位于八面体格位上的Al3+→Ga3+→Sc3+和十二面体格位上的Cd2+→Ca2+组成顺序变化,室温下,Cr3+离子的4T2→4A2能级跃迁的R-NIR宽发射带,发射峰及光谱的长波和短波边逐渐向低能长波边移动。这是由于晶场强度减弱,阳离子的离子半径增大的结果。在镉(钙)铝和镉(钙)镓锗酸盐体系中,少量Sc3+取代八面体上的Al3+和Ga3+时,可使Cr3+的R-NIR荧光发射强度增强。 相似文献
13.
低压驱动薄膜电致发光特性及其机理的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
采用低电阻率为Ta2O5/SiO2,Ta2O5/Al2O3复合层制备了出低压驱动Zns:Mn薄膜电致发光器件,它的阈值电压在40V以下,当驱动电压为60V,频率为50Hz,发光亮度在200cd/m^2以上,这种器件具有其独特的亮度-电压特性和电荷存储量-电压特性,利用空间电荷限制电流模型分析了发光层中空间电荷,电场强度在这种低压驱动电致发光器件发光层中的分布特性,并对低压驱动薄膜电致发光机理,亮度 相似文献
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本文系统地分析了在Y1-xAlxBa2Cu3Oy(x=0~0.7)中用Al替代Y的替代效应.我们发现当x<0.4时,Al主要替代在Y位,引起结构畸变,从而导致氧含量的减少和O-T相变,转变温度随Al含量增加而下降.当掺杂量大于0.4,Al开始占据Cu(1)和Cu(2)位,样品变为四方结构,Tc迅速下降.XPS分析表明,Al的位置依赖于掺杂量,随掺杂浓度的增加Al依次替代Y,Cu(1),Cu(2).同时我们观察到Tc和CuO2平面间相互作用的正比关系. 相似文献
15.
本文介绍全色等离子体平板显示器目前水平,对真空紫外辐射激发荧光粉的要求,迄今使用的两种红色荧光粉BO:Eu和Y2O3:Eu,两种绿色荧光粉Zn2SiO4:Mn和BaAl12O19:Mn,及蓝色荧光粉BaMgAl14O23:Eu^2-的晶体结构和发光特性。 相似文献
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本工作采用直流传输电流和直流磁化行为的测量研究了经恰当热-机制处理后的BPSCCO/Ag复合带的临界电流特性,表明:由于BPSCCO晶粒的强c轴择优取向,传输和磁化临界电流密度呈现大的各向异性,磁场在c轴的分量起有主要作用,因传输和磁人监蚧电流密度相应于各向异性临界电流密度的不同主分量,故它们随角度变化的行为不同,传输电流的I-V曲线入磁驰豫M-t曲线都呈现幂指数关系,即分别为V∝AI和M∝Bt, 相似文献
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含R2dtc配体和V=O基的金属簇红外光谱研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报道两类含R2dtc配体的金属簇的红外光谱特点及某些规律,含R2dtc的立方簇合物在400-500cm^-1有较宽而弱的吸收,可归结于M-μ3S振动。M-Sdtc在330-380cm^-1,C-N振动在1470-1510cm^-1。二甲基dtc配体立方的v(C-N)与v(C=S)比值他二烷基dtc立方烷的相应振动分别蓝移和红移,可归结于甲基超共轭效应所致。「V2Cu2S4(R2dtc)2(PhS)2」^2-和「VCu4S4(R2dtc)n(PhS)4-n」^3-(n=0,1,2)的M-μ3S振动分别出现在480和465cm^-1,可作为区别两类化合物的一个指标。另一类含(R2dtc)2V2O2(μ-S)2单元的金属簇中,V-O伸缩频率在844-970cm^-1范围内,(Et4N)「V2S2O3(Et2dtc 相似文献
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PdO引入对CuO/γ—Al2O3催化剂结构与性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
运用PTR,SEM,XRD阶梯扫描及CO和CH4氧化活性测定表征技术研究了CuO/γ-Al2O3催化剂及负载PdO对催化剂性能的影响。结果表明,CuO/γ-Al2O3催化剂上引入不同含量的PdO,使TPR还原峰温欠下降。对载体上CuO平均晶粒大小的测定表明随PdO含量的增加,CuO平均晶粒逐渐减小;SEM对PdO-CuO/γ-Al2O3催化剂上Cu元素分布的面扫描测定亦证实了随PdO含量的增加,催 相似文献
19.
Su Kehe Department of Chemical Engineering Northwestern Polytechnical Univ. Xi′an Shaanxi P. R. China Carol A. Deakyne Department of Chemistry Eastern Illinois University Charleston IL U. S. A. Joel F. Liebman Department o 《原子与分子物理学报》1997,(1)
G2PREDICTIONOFTHEENTHALPIESOFFORMATIONFORSOMEDIATOMICCATIONSANDNEUTRALSSuKeheDepartmentofChemicalEnginering,NorthwesternPoly... 相似文献