硅溶胶-硅微粉对层状托贝莫来石物化性质的影响

以硅溶胶和硅微粉为混合硅源,采用动态水热合成法成功制备了层状托贝莫来石催化剂,借助XRD、BET和NH3/CO2-TPD等手段对托贝莫来石进行分析表征,研究了不同硅源比例对托贝莫来石晶相结构、比表面积、孔结构性质及表面酸碱性质的影响.结果 表明:随非晶态硅溶胶占比增大,托贝莫来石比表面积和孔容呈逐渐增大趋势,但结晶度和表面酸碱量及弱酸弱碱强度逐渐下降.硅溶胶占比增至20;,托贝莫来石结晶度由81.65;下降至73.66;,总酸量由0.18 mmol·g-1降至0.14 mmol·g-1,总碱量由0.47 mmol·g-1降至0.40 mmol·g-1,比表面积由65 m2·g-1增至174 m2·g-1,孔容由0.15cm3·g-1增至0.60 cm3·g-1,出现介孔-大孔特征;硅溶胶占比增至30;,制得托贝莫来石产物出现少量SiO2晶相.     

钒-铍试剂Ⅲ络合物的吸附波

钒的极谱催化波已有研究。本文提出,在pH=5.4的缓冲溶液中,钒(V)与铍试剂Ⅲ能产生一个灵敏的络合物吸附波,检测下限为0.03μg/ml。此波选择性好,绝大多数金属离子存在相当量时不干扰。钛(Ⅳ)在钒(Ⅴ)附近起波,量大时有正干扰,但当有一定量的F-存在时亦可允许较大量的钛(Ⅳ)存在。方法简便快速,具有较好的稳定性和准确度。测定了部份化探标样中的微量钒,结果良好。 (一)仪器和试剂 JP-1A型示波极谱仪,银电极为参比,三电极导数扫描。醋酸钠溶液:20％(W/V),     

增强金属-氧化物-金属隧道结的光发射

本文报道通过改进制作工艺将A1-A12O3-Au隧道结的耐压增加到5.3V,发光外量子效率增加到8.2×10-4,均高过迄今见到的关于该类结的最高耐压和最高效率的报道。我们观测到了该发光结上的Au膜厚度对发射光谱形状的影响,并对此作出了解释;还对该光谱中的截止频率和峰值的存在给出了理论解释。     

钍-铬天青S的极谱吸附波

在0.12moL/L乙酸铵-0.05%磺基水杨酸-0.15%乙醇,pH5.8～6.0的条件下,钍与铬天青S在-0.45W(vs SCE)有一良好的导数极谱波。钍浓度在0～0.4μg/mL范围内与波高呈直线关系。     

微量铬的示波极谱测定

利用铬(Ⅲ)与5-Br-PADAP的显色反应测定微量铬已有报道。本文发现,在一氯乙酸存在下,铬(Ⅲ)与5-Br-PADAP的配合物在pH3—5,5时,有一灵敏的极谱波峰。波形稳定、正常。使用JP-2型示波极谱仪二次导数测定,测定下限可达1×10~(-8)gCr/ml。测定了环境水中的总铬含量,结果良好。实验部份 (一)仪器与试剂 1.仪器:JP-2型示波极谱仪。甘汞电极为参比。阴极化二次导数扫描。     

166例生殖系统发育异常患儿的细胞遗传学分析

对166例生殖系统发育异常患儿进行了外周血染色体分析,试图分析生殖系统发育异常患儿染色体畸变特点.患儿均来自外科及儿科门诊,年龄在12 d～16岁,临床表现以外生殖器发育异常而就诊,患儿均经过常规查体、染色体核型分析、内分泌检测等检查.染色体检查结果,正常核型144例,其中46,XY 112例,占67.46%;46,XX 32例,占19.27%;异常核型者22例,占13.25%.提示对生殖系统发育异常患儿,应利用细胞遗传学和分子遗传学检测手段,及时诊断,合理治疗.     

Al2O3隧道结势垒参数与上电极金属的相关性

本文采用两种极端情况的梯形势垒模型对上电极分别为Au,Ag和Cu的三种Al-Al₂O₃-M隧道结势垒参数进行了研究,通过用上述模型对77K温度下结的伏安特性进行拟合计算表明:这两种模型都能很好地解释实验结果;所得到的势垒参数表现出与结上电极金属的原子半径、金属材料的脱出功以及Al₂O₃绝缘介质的电子亲合势有关。 关键词：     

高偏压金属─绝缘体─金属结的光发射

我们制作了一种可在6-11V偏压范围内均匀发射可见光的新型金属-绝缘体-金属结型发光器件,其内层结构是Al-Al₂O₃-MgF₂-An(Cu),其承受偏压、单位面积发光功率及相应的外量子效应高过迄今已知的M-O-M遂道结型发光器件.本文首次报导并论证了这一由Schottky热电子所激发的光发射及其物理图象:Schottky热电子在AO(Cu)-真空界面激发表面等离极化激元(SPP);Au(Cu)-真空界面的SPP通过表面粗糙度与外光子耦合.这一图象与该器件的电流-电压(I-V)、电流-温度(I-T)关系及其发射光谱的主要特征一致.     

高偏压金属─绝缘体─金属结的光发射

我们制作了一种可在６—１１Ｖ偏压范围内均匀发射可见光的新型金属—绝缘体—金属结型发光器件，其内层结构是Ａｌ－Ａｌ２Ｏ３－ＭｇＦ２－Ａｎ（Ｃｕ），其承受偏压、单位面积发光功率及相应的外量子效应高过迄今已知的Ｍ－Ｏ－Ｍ遂道结型发光器件．本文首次报导并论证了这一由Ｓｃｈｏｔｔｋｙ热电子所激发的光发射及其物理图象：Ｓｃｈｏｔｔｋｙ热电子在ＡＯ（Ｃｕ）－真空界面激发表面等离极化激元（ＳＰＰ）；Ａｕ（Ｃｕ）－真空界面的ＳＰＰ通过表面粗糙度与外光子耦合．这一图象与该器件的电流—电压（Ｉ—Ｖ）、电流—温度（Ｉ－Ｔ）关系及其发射光谱的主要特征一致．