金刚石薄膜电致发光研究

报道了金刚石薄膜电致发光现象.为进一步提高金刚石薄膜蓝区电致发光强度,分别采用了硼氮双掺杂法和稀土掺杂法制备出了金刚石薄膜电致发光器件,并采用低电容率的本征金刚石薄膜和氧化硅薄膜为绝缘层的夹层式器件结构.研究结果显示:采用稀土铈掺杂可以有效地提高金刚石薄膜蓝区电致发光强度,其蓝区最大电致发光强度可达3.5 cd/m2;采用低电容率绝缘膜的夹层式结构,能有效地提高电子进入发光层时的能量,并有助于提高器件发光的稳定性和发光寿命.     

Ce~(3+)注入掺杂金刚石薄膜蓝区电致发光研究

采用微波等离子体化学气相沉积设备在高掺杂硅衬底上沉积了一层金刚石薄膜,然后采用离子注入法在金刚石薄膜中注入不同剂量的Ce3+,从而制备出了Ce3+掺杂的金刚石薄膜.研究了其电致发光特性,得到了发光主峰位于蓝区(476 nm和435 nm处)的光发射.实验中发现随着Ce3+注入剂量的增加,电致发光强度也随之增加.     

一种特殊结构的金刚石薄膜电致发光器件

蓝色波段电致发光器件的研究是近年来光电子和材料科学研究领域最引入注目的研究课题之一。文章作者分别利用脉冲激光淀积设备和微波等离子体化学气相沉积设备制备了不同结构的高质量掺杂金刚石薄膜电致发光器件，并对其发光光谱特性，频率特性以及发光强度与杂质浓度及激发电压的依赖关系进行了研究，发现了金旬石薄膜紫外线的发光现象，取得了一系列有价值的结果。     

非晶金刚石薄膜的场致电子发射性能研究

利用真空磁过滤弧沉积技术制备出一种高sp³含量的非晶碳膜———非晶金刚石薄膜，并对这种非晶金刚石薄膜的场电子发射特性及其发射机理进行了研究．实验结果表明，在阈值电场低于20V/μm情况下，得到的场发射电流达20—40μA，薄膜的电子发射行为符合Fowler-Nordheim场发射理论．研究表明，这种非晶金刚石薄膜具有负的电子亲合势和较小的有效功函数以及相对较低的禁带宽度 关键词：     

无机材料的薄膜电致发光

平板显示技术是信息时代对终端显示的基本要求,薄膜电致发光显示器具有全固体化平板显示的特点,是一种全新的终端显示器件．文章扼要介绍了薄膜电致发光原理,综述了电致发光材料尤其是蓝色和白色发光材料的研究进展,指出了目前存在的问题和解决方案,最后简述了彩色薄膜电致发光显示器的最新研究结果     

有机及高分子薄膜电致发光

有机薄膜电致发光，因其具有低压直流驱动、高亮度、高效率、多色、能制成大面积等优点，有可能制产板显示，成为当前研究的特点，本文介绍了有机及高分子电致发光发展的历史、器件结构、发光原理和它的未来。     

有机及聚合物材料的电致发光

有机和聚合物材料电致发光是近几年来取得突破性进展而倍受关注的新兴研究领域。它们的电致发光薄膜器件激发电压低，易得到彩色显示，发光效率高，而且器件薄易实现大屏幕平板化，综述这类薄膜电致发光的发光原理、发光材料、器件的制备方法及在发光机理研究方面取得的最新进展。     

红色ZnS：Sm,Cl陶瓷厚膜电致发光器件

９４年国际电致发光讨论会上，报导了一种新型的显示器［１］，引起了研究者广泛的兴趣．这类显示器的创新表现在采用丝网印刷的几十个微米量级的高介电常数的陶瓷厚膜来替代无机薄膜电致发光器件中的薄膜绝缘层．因为陶瓷厚膜的制备方法比较简单，采用丝网印刷技术，具有...     

以金刚石薄膜为空穴传导层的有机薄膜电致发光

以在半透明金膜上生长的微晶金刚石薄膜作为空穴传导层，得到了以８－羟基喹啉铝（Ａｌｑ３）为发光材料的有机薄膜的电致发光，对器件的电流－电压特性，电压－亮度特性进行了测量，并计算了量子效率，结果表明，该器件具有较高的量子效率及较小的工作电流，从能带图出发，对结果进行了分析。     

高导热金刚石薄膜的研究

分析了影响金刚石膜热导率的主要因素，指出声子的散射是造成金刚石膜热导率降低的主要原因．采用光热偏转法实现了金刚石薄膜热导率的测试，测量误差小于5%，从减少杂质和晶界对导热声子的散射入手，研究了在不同的制备方法下碳源气体和金刚石膜内晶粒取向对其热导率的影响．结果表明在低碳源气体浓度下采用微波等离子体化学汽相沉积方法制备的具有较高程度（400）晶粒取向的金刚石薄膜具有高的热导率性质．优化的工艺条件制备出热导率为15.2W/（K·cm）左右的金刚石膜． 关键词：     

Electroluminescence of double-doped diamond thin films

A new electroluminescence device is fabricated by microwave plasma chemical vapour deposition system and electron beam vapour deposition system. It is comprised of highly doped silicon/diamond/boron/nitrogen-doped diamond/indium tin oxide thin films. Effects of process parameters on morphologies and structures of the thin films are detected and analysed by scanning electron microscopy, Raman spectrometer and x-ray photoelectron spectrometer. A direct-current (DC) power supply is used to drive the electroluminescence device. The blue light emission with a luminance of 1.2 cd·m 2 is observed from this double-doped diamond thin film electroluminescence device at an applied voltage of 105 V.     

有机薄膜材料的电致发光

有机薄膜材料的电致发光具有低压直流驱动、高亮度、高效率、多色、可制成大面积等优点 ,近几年来取得突破性的进展引起了越来越多的关注和兴趣。本文主要介绍了它的发展历程、器件的结构与材料、发光的基本原理等     

薄膜场致发光显示的研究进展

描述了薄膜场致发光显示的电学和光学性质,介绍了夹层结构,它等效齐纳二极管组成的线路。分析了影响亮度和效率的因素,主要是发光中心浓度,电子的能量和发光体的结晶状态,为了提高电子能量,提出了分层优化方案,它具有明显的优越性;为改善发光层的结晶状态,提出了厚膜扬致发光。对场致发光的机理进行了讨论,描述了多色和全色ＴＦＥＬ器件的材料和结构的研究进展。     

Electroluminescence from Multilayered Diamond/CeF3/SiO2 Films

We report a thin film electroluminescent device with a three-layer structure （diamond/CeF3/SiO2 films）, which has a luminance of 1.5 cd/m^2 at dc voltage 215 V. The electroluminescence spectrum at room temperature shows that the main peaks locate at 527 and 593nm, which are attributed to isolated emission centers of Ce^3＋ ions.     

MOCVD技术制备的ZnS:Mn电致发光薄膜结晶性及Mn2+分布

本文报导了用MOCVD技术制备的ZnS:Mn电致发光薄膜为立方晶相,结晶取向性好,颗粒大。从高倍率的扫描电镜拍摄的照片观察到薄膜的表面平滑。SIMS测量表明Mn2+在ZnS薄膜纵向分布均匀,但在两侧有起伏,可能的原因是在生长的初终阶段流量的突变使化合物的化学计量比偏离而产生位错,引起原子的局部堆积,并且由于初终阶段ZnS:Mn生长的衬底不同使原子堆积层厚度不同。     

Fabrication and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum well light emitting diodes with amorphous BaTiO₃ ferroelectric film

BaTiO3(BTO) ferroelectric thin films are prepared by the sol-gel method.The fabrication and the optical properties of an InGaN/GaN multiple quantum well light emitting diode(LED) with amorphous BTO ferroelectric thin film are studied.The photoluminescence(PL) of the BTO ferroelectric film is attributed to the structure.The ferroelectric film which annealed at 673 K for 8 h has the better PL property.The peak width is about 30 nm from 580 nm to 610 nm,towards the yellow region.The mixed electroluminescence(EL) spectrum of InGaN/GaN multiple quantum well LED with 150-nm thick amorphous BTO ferroelectric thin film displays the blue-white light.The Commission Internationale De L’Eclairage(CIE) coordinate of EL is(0.2139,0.1627).EL wavelength and intensity depends on the composition,microstructure and thickness of the ferroelectric thin film.The transmittance of amorphous BTO thin film is about 93% at a wavelength of 450 nm-470 nm.This means the amorphous ferroelectric thin films can output more blue-ray and emission lights.In addition,the amorphous ferroelectric thin films can be directly fabricated without a binder and used at higher temperatures(200℃-400℃).It is very favourable to simplify the preparation process and reduce the heat dissipation requirements of an LED.This provides a new way to study LEDs.     

高质量宽带隙立方氮化硼薄膜的研究进展

文章着重介绍了最近研制出的高质量宽带隙立方氮化硼薄膜的三种制备方法和结构特性 :(1)用射频溅射法在Si衬底上制备出立方相含量在 90 %以上 ,Eg>6 .0eV的c-BN薄膜 ;(2 )用离子束辅助的化学气相沉积法(CVD) ,在金刚石上外延生长出立方含量达 10 0 %的单晶c -BN薄膜 ;(3)用微波电子回旋共振CVD法 (MW -ECR-CVD)在金刚石上外延生长出高纯c-BN薄膜 .这些高纯c -BN薄膜 ,可应用于制作各种半导体 (主要是高温、高频大功率 )电子器件 .     

掺铒硫化锌薄膜电致发光的动态特性

报道了用分舟热蒸发研制的掺饵硫化锌薄膜器件电致发光的动态特性.运用多段式指数衰减公式与高斯函数的乘积来描述薄膜发光的瞬态过程,理论结果与实验数据十分接近,表明薄膜的陷阱能级对器件发光的弛豫效应产生了影响. 关键词：