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在前文价键力场频率计算的基础上,本文利用MNDO量子化学方法对含氢硅单晶中2210cm-1吸收峰对应缺陷复合体的两个模型(空位+4H,间隙硅烷),在氢氘混合气氛下各自产生的5种组态,12个红外活性的振动模式进行了振子强度计算.计算结果表明,空位+4H模型是可取的.根据用MNDO对Si16H1,Si16H3,Si16H4,SiH4,Si11H4原子集团A振动模式势函数的计算结果,讨论了建立在价键力场频率计算基础上的振子强度计算的合理性以及影响硅单晶中Si—H伸缩振动吸收峰频率的因素.此外还介绍了证实理论预言的实验结果. 相似文献
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本文应用MNDO量子化学方法计算了硅品格中的氢的位能。在此基础上提出了硅中氢的三种状态(原子态、分子态和硅—氢键合态)及重新考虑了一系列实验结果,包括氢在硅晶格中的固溶、扩散、红外谱、沟道效应以及沉淀过程等,统一地描述了氢在晶体硅中的状态和行为,同时也讨论了它与非晶硅中氢的联系。 相似文献
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本文报道了用MBE方法在Si(100)上生成GaAs和用MOCVD方法在GaAs(100)上生成CdTe的异质外延层中的某些缺陷。用JEM-4000EX和JEM-200CX电镜观察,电子束沿晶体的[011]方向入射,观察到的晶体缺陷运用高分辨像和选区衍射技术进行研究和分析。结果表明CdTe/GaAs中主要缺陷是失配位错及微孪晶,而在GaAs/Si中还含有反相无序。 相似文献
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本文通过电阻测量研究了淬火和退火温度对AuCu合金有序化过程的影响,结果表明:1.AuCu合金的有序化过程可分为两个阶段:1)局部有序或有序相成核阶段,电阻上升;2)有序相(或畴)长大阶段,电阻下降。2.淬火后低温退火时,AuCu有序化主要是通过过饱和的淬入空位在金属中的移动而实现的。有序化的速度正比于淬入空位的浓度和移动率。3.通过有序化速度随淬火温度和退火温度的变化,测得AuCu中空位的形成能Ef和移动激活能Em相应为0.95eV和0.81eV。4.在等温退 相似文献
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本文从赝势或Slater原子轨函抽提化学键参数集,张成多维键参数空间,用计算机模式识别方法,对金属间化合物、复氧化物、离子熔体等物系,按结构和性质进行聚类分析,总结出若干规律性。并据此编写了对未知物系的结构和性质进行计算机预报的程序,若干预报结果与实验结果是相符合的。 相似文献