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本文报导了在透明的CaF2衬底上采用气相外延(VPE)方法生长的高质量CdS薄膜。通过对其发射和吸收光谱以及光双稳特性的研究,表明这种外延膜的性质与体单晶相似。 相似文献
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本文报导了用MOCVD技术制备的ZnS:Mn电致发光薄膜为立方晶相,结晶取向性好,颗粒大。从高倍率的扫描电镜拍摄的照片观察到薄膜的表面平滑。SIMS测量表明Mn2+在ZnS薄膜纵向分布均匀,但在两侧有起伏,可能的原因是在生长的初终阶段流量的突变使化合物的化学计量比偏离而产生位错,引起原子的局部堆积,并且由于初终阶段ZnS:Mn生长的衬底不同使原子堆积层厚度不同。 相似文献
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用常压MOCVD法在GaAs衬底上生长了Zn1-xCdxSe-ZnSe多层结构.通过X-射线衍射谱和光致发光等方法判断,表明该材料为多量子阱结构.从室温下的透射光谱上可以观察到这种多量子阱中的n=1的激子吸收峰,并观测到起因子激子的ns量级的光学双稳态. 相似文献
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利用Cd(OH)_2选择性包覆与光分解腐蚀缩小CdS纳米微粒的尺寸分布的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
提出结合Cd(OH)2 选择性包覆与光分解腐蚀法缩小CdS纳米微粒的尺寸分布, 并通过对CdS纳米微粒发射光谱的研究证实了这一设计思想. 以多聚磷酸钠(HMP)为稳定剂合成CdS纳米微粒, 再通过Cd2+ 与OH- 的选择性包覆在大粒径的CdS纳米微粒表面形成一层Cd(OH)2, 然后溶液置于日光下辐照处理, 数天后, 未经包覆的小粒径CdS纳米微粒被日光腐蚀分解, 溶液中只剩下被Cd(OH)2 包覆的大粒径CdS纳米微粒, 这样即可达到缩小CdS纳米微粒尺寸分布的目的. 相似文献
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用LP-MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱(ADQW)结构。通过ps时间分辨光谱、吸收光谱、发射光谱等的研究得到了如下的结果:在弱激发下,观测到ADQW结构中的激子隧穿现象;在强激发下,在ADQW结构中发现了一个内建电场,它将影响激子隧穿;首次观测到由激子隧穿引起的在一定温度范围内宽阱的发光强度随温度上升而增加的现象;首次观测到该ADQW结构中来自宽阱的光泵受激发射。 相似文献
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