ANISOTROPY OF OPTICAL ABSORPTION INTENSITY IN Tm3+ DOPED YVO4 CRYSTALS

Seven absorption group-bands (¹D₂, ¹G₄, ³F₂, ³F₃, ³H₄, ³H₅, ³F₄) of Tm³⁺ in YVO₄ single crystals have been observed in the orientation absorption spectra recorded in the spectral range from 200 to 4000 nm at 300K. The integrated absorption cross section for each group-band was accurately evaluated. On the assumption that the anisotropy of this uni-axial crystal is small, the Judd-Ofelt theory was extended for the calculation of 4f-4f transition intensities of Tm³⁺ in YVO₄. Two sets of phenomenological intensity parameters were derived from a least-squares-fit procedure. For c-axis cut sample we have Ω₂=10.18 (10^-20cm²), Ω₄=1.96 (10^-20cm²), Ω₆=0.75 (10^-20cm²).For a-axis cut sample we have Ω₂=8.20 (10^-20cm²), Ω₄=2.47 (10^-20cm²), Ω₆=0.91 (10^-20cm²). The anisotropy of the optical absorption intensities of Tm³⁺:YVO₄ was theoretically analyzed in detail.     

掺铒硫化锌薄膜电致发光的动态特性

报道了用分舟热蒸发研制的掺饵硫化锌薄膜器件电致发光的动态特性.运用多段式指数衰减公式与高斯函数的乘积来描述薄膜发光的瞬态过程,理论结果与实验数据十分接近,表明薄膜的陷阱能级对器件发光的弛豫效应产生了影响. 关键词：     

光谱曲线拟合程序的开发与运行的技巧

针对固体中杂质发光光谱的特殊问题,以FORTRAN77语言编写了多套曲线拟合程序,可分别适用于光滑型,散粒噪音叠加型及混合型光谱曲线的分解,并介绍了正确使用程序的技巧,对如何获得正确,可靠的拟合结果进行了讨论。     

汞探针容压法测定磷化镓中浅施主杂质浓度

本文描述了制备Hg-n-GaP表面势垒结构的工艺方法.采取真空(2×10-4乇)烘烤(120℃)GaP晶体的方法,消除了样品表面吸附的水分子和其它沾污.研究了肖特基二极管负偏压的容压特性,从它求得扩散电势等于1.26±0.06伏特.势垒高度测定值(φb=1.3(±0.06电子伏特)基本上符合于按文献经验公式的计算值;因而,按本文的工艺方法可以准确测定GaP晶体中浅施主杂质浓度.为了简化实验数据的处理,建议在一定负偏压下测量恒定面积的肖特基二极管的电容值来测定浅施主杂质浓度.     

磷化镓中铋束缚激子的多声子辐射跃迁

在温度4.2K—110K范围内测量了GaP:Bi外延层的光致发光谱。发光谱中只出现Bi束缚激子辐射复合的谱线。由于Bi束缚激子的局域电子态与四周品格存在着相当强的耦合,晶格弛豫引起的多声子辐射复合非常明显,发射光谱呈现相当宽的橙色谱带,且声子伴线“丰富”并彼此重迭。实验结果表明:从4.2K—40K A类线与B类线并存,B类线强度随温度上升而减弱最终难于辨认,77K以上A类线支配着整个光谱。对复杂的发光光谱谱线进行了识别和分类,并借助于电子计算机用曲线拟合法对光谱进行精确分解,首次求出各系列的黄昆因子(Huang-Rhys factor)。较大数值的黄昆因子表明晶格弛豫是强的。     

用CH3CSNH2钝化GaP表面特性的研究

借助扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、Ｘ光电子能谱仪（ＸＰＳ）研究在不同处理条件下,ＧａＰ晶片表面硫化物钝化对其结构、形态以及表面形貌的影响。实验结果表明：经过ＣＨ３ＣＳＮＨ２溶液一定时间钝化处理后,ＧａＰ表面氧化物基本消失,形成薄的硫化物钝化层和较强的Ｇａ—Ｓ、Ｐ—Ｓ键,并引起Ｘ光电子能谱的Ｇａ、Ｐ芯能级化学位移,Ｇａ的硫化物有较好的稳定性。     

GaP:(Bi,N)晶体中束缚激子的辐射复合及能量转移

本文研究了在4.2K—147K温度范围内GaP:(Bi,N)晶体的光致发光光谱的精细结构,积分强度及其随温度的变化,并将它们与GaP:Bi,GaP:N光谱进行比较。首次发现在GaP:(Bi,N)晶体中激发能量从孤立N中心和NNi对(i≥3)中心到Bi中心的转移,增大了Bi束缚激子态的浓度,使Bi发射带增强。