Y_xBa_(3-x)Cu_2O_7高T_c超导体远红外光谱的类激子模型

本文用类激子模型把多相Y_xBa_(3-x)Cu_2O_7系列高T_c超导体的远红外区大多数吸收峰分为三个线系,模型和实验结果符合很好(△<4cm~-1),显示出这些吸收峰有着非声子起源——类激子的能级跃迁,它提示我们Y_xBa_(3-x)Cu_2O_7高Tc的机制是由声子和激子能级跃迁的共振耦合决定的。实验得到的远红外谱表明超导样品和不超导样品几个吸收峰上有明显差别,这可以由它们的费密能级的位置不同来解释。最后给出了一些实验的结果预测。     

ZnSe(100)极性表面电子结构研究

从实验和理论方面研究了闪锌矿结构ZnSe（100）表面电子结构，讨论了ZnSe（100）无再构无弛豫理想表面及其c（2×2）非二聚和二聚再构表面的结构稳定性，从中得到ZnSe（100）非二聚再构表面较理想表面和二聚再构表面稳定，支持了Farel等的实验结果，分析了ZnSe（100）理想表面与非二聚再构表面表面电子态差别，并与同步辐射光电子能谱作了对比，理论与实验符合较好 关键词：     

类金钢石非晶碳薄膜的光吸收和光致发光研究

我们用激光轰击石墨靶成功地制备出类金刚石无氢非晶碳薄膜.测量了光学吸收、光致发光及其随入射光强度的变化关系.结果表明,这种薄膜具有类金刚石的性质,光学带隙在1.67-2.25eV,发光在可见光区呈宽带结构.低激发强度下发光强度超线性变化,而在高激发强度下则为线性发光.我们用非成对载流子复合的模型对结果给出了合理的解释.用带尾态饱和的模型解释了发光峰值随激发光强增加而蓝移的现象.     

五磷酸镧钕激光晶体发光的温度效应

研究了低温下Nd0.9 La0.1 P5O14晶体中,Nd3+离子在0.9,1.05,以及1.35μm附近发光光谱的精细结构及相应的跃迁过程,并与Nd:YAG晶体中Nd3+离子发光光谱及相应的跃迁作了比较。在77K-500K的温度变化范围内,研究了Nd3+在两种晶体中最强的发光线的温度依赖关系,发现相反的变化规律,指出这是与两种晶体的结构及跃迁过程有关。     

非晶半导体光致发光的温度依赖关系

研究了a-Si:H,a-Si:H,F,a-Si:H,Cl以及a-Si:H,Cl,O等非晶硅薄膜光致发光的温度依赖关系。测量了各种样品的无辐射跃迁激活能ε,并试图寻求激活能ε与样品的制备条件和结构之间的关系;同时从发光强度的温度相关性确定了带尾态密度分布参数T0,以及T0与发光光谱形状之间的关系。并将实验结果与瞬态光电导的数据进行了比较。     

金属离子在多孔硅表面和吸附与电镀过程中金属在多孔硅表面的淀积

刚制备的多孔硅与金属盐溶液接触会产生金属离子在多孔硅表面和吸附现象。实验显示这一现象只发生在新鲜的多孔硅表面, 而存放一月以后的样品不具备此性质。文中把这一现象归因于新鲜的多孔硅表面电子的富集, 溶液中金属离子从多孔硅表面获得电子而附着。多孔硅表面电镀金属过程中, 一定电压下电镀电流密度在起始阶段逐渐下降, 可以用一个指数关系式较好地描述, 在本文中有一个唯象模型予以解释。     

应力和掺杂对Mg:GaN薄膜光致发光光谱影响的研究

对化学气相沉积(MOCVD)法在宝石衬底上生长的Mg掺杂GaN薄膜的表面及其GaN缓冲层的光致发光(PL)光谱进行了测量，用Raman光谱和x射线衍射(XRD)对GaN薄膜中的应力进行确定，通过PL光谱中的中性束缚激子跃迁能量的变化确定薄膜中应力的影响，从而研究Mg掺杂对p型GaN的DAP跃迁影响规律. 关键词： 光致发光 应力 Raman光谱     

(单晶硅/电解液)界面对多孔硅形成初期阶段的影响

测量了在多孔硅形成初期阶段的电流I-电压V曲线,计算了硅表面原子吸附不同元素时电荷的转移量.指出在(单晶硅/电解液)界面处存在一电偶层,它影响着多孔硅材料的形成和性质.讨论了制备中氢氟酸(HF)浓度、电流密度和光照等因素对材料形成的影响. 关键词：     

多孔硅的形成与发光

本文综述了有关多孔硅(Porous Silicon,简称PS)某些新近的研究成果,包括多孔硅的形成、光致发光和电致发光,着重介绍多孔硅的形成和发光过程的量子尺寸效应.     

一种模拟多孔硅结构的新方法

以界面电化学反应动力学和离子输运动力学为基础,构造了一种多孔硅形成与结构的动态计算机模拟模型,模型中采用了电势的指数形式来表示化学反应概率。文中给出了与多孔硅的横断面透射电子显微镜(TEM)图谱和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)照片十分接近的形貌图示。 关键词：