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文章回顾了a—Si:H薄膜的发展历程,并介绍了其近10年的研究状况、为提高a—Si:H薄膜的沉积速度,还重点介绍了一种新的微波电子回旋共振等离子体CVD(MWECR—CVD)技术,该技术的特点是:不含电极,可避免电极溅射造成的污染;等离子区离子密度高,对硅烷能高度分解,从而可显著提高薄膜生长速率;改变磁场位形和结构,可改变等离子体分布及轰击基片离子的能量,文章还分析了其制备a—Si:H薄膜存在的问题,提出了今后的研究方向。 相似文献
4.
Semi-quantitative study on the Staebler-Wronski effect of hydrogenated amorphous silicon films prepared with HW-ECR-CVD system 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
The method of numerical simulation is used to fit the relationship between
the photoconductivity in films and the illumination time. The generation and
process rule of kinds of different charged defect states during illumination
are revealed. It is found surprisingly that the initial photoconductivity
determines directly the total account of photoconductivity degradation of
sample. 相似文献
5.
在200 keV重离子加速器上,用120—360 keV的H,N,Ar和Mo离子注入C60薄膜.对注入后薄膜的拉曼谱进行了分析.结果表明,不同离子注入C60薄膜后,C60的1469 cm-1特征峰随注入剂量的增加均呈指数式下降,同时在1300—1700 cm-1范围出现非晶碳峰,并逐渐增强,最终完全非晶化.而且1469 cm-1拉曼峰的强度及C60薄膜完全非晶化所对应的剂量与注入离子的种类和能量有关.进一步的分析表明,C60分子的损伤主要是由注入离子的核能量转移所造成,与电子能量转移无关.H离子注入C60薄膜后,1469 cm-1处特征拉曼峰向短波方向非对称展宽,这可能是注入的H离子通过电子能量转移使C60分子发生聚合的结果.
关键词: 相似文献
6.
介绍了非晶半导体薄膜的结构特点和在光电器件上的独特性能,给出了薄膜器件的发展水平和制膜技术、制膜设备的研究现状。 相似文献
7.
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低压下沉积c-BN薄膜是近年来凝聚态物理和材料科学研究的热门课题之一.我们应用热丝辅助射频等离子体化学气相沉积技术,在多种衬底上沉积了BN薄膜,并系统研究了热丝温度、衬底温度和射频电压等工艺参数对BN薄膜中立方相含量的影响. 相似文献
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