电解有机溶液法制备CNx薄膜

在６０℃和常压下，电解甲醇和脲的混合溶液在硅基片上沉积ＣＮｘ薄膜．傅里叶红外和Ｒａｍａｎ测试表明，所得薄膜是非晶态的，碳和氮主要是以Ｃ—Ｎ，Ｃ—Ｃ，ＣＣ和ＣＮ的形式成键，有少量的碳和氮以ＣＮ的形式成键．Ｘ射线光电子能谱测试表明，氮是以ＳＰ２和ＳＰ３杂化形式与碳化学成键来成膜的．测试结果表明通过液相沉积法所得ＣＮｘ薄膜与汽相沉积法所得ＣＮｘ薄膜的结构比较接近     

缺Sr的Bi-2201相材料的微结构研究

对名义组份为Bi_2Sr_(2-x)□_xCuO_y(x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.6,0.7,其中□为空位)的系列样品的微结构进行了研究。电子衍射的研究表明,缺Sr的Bi-2201相的调制波长随着x值的增加而明显减小。Raman散射结果则显示随着调制波长缩短,晶体的结构畸变加剧,晶格无序度增加。利用调制的晶格失配模型讨论了这种由缺Sr所造成的结构畸变行为,并由此指出在Bi系氧化物中非公度调制与晶格的有序度很可能是相关的,调制波长缩短,晶格无序度增加;反之则减小。 关键词：     

A1/GaAs界面微结构的慢正电子束研究

基于正电子扩散方程,对于线形全吸收型等特殊的界面模型,求得了正电子湮没辐射多普勒展宽S参数与单能慢正电子入射能量E之间函数关系S(E)的解析表达式.测量不同膜厚、不同退火条件下A1/GaAs的S(E),用所得解析式拟合实验数据,发现A1/GaAs界面系统与线形全吸收型界面模型符合得很好.通过拟合,得出了界面S参数S₁及其与膜厚和退火温度的关系,由此对界面微结构及其动力学特性作了讨论.     

ELECTRONIC STRUCTURE OF THE T*-TYPE SUPERCONDUCTORS (Bi0.5Sr1.5)(Y,Ce)2Cu2Oy STUDIED BY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY

The electronic structure of T^*-type compounds (Bi_0.5Sr_1.5)(Y_2-xCe_x)Cu₂O_y has been studied by X-ray photoelectron spectroscopy. From analysis of the results, it was found that cation deficiency in Ce⁴⁺ introduced holes to conduction planes in the T^* phase as in the p-type infinite layer compounds. Some Cu ions in the sample without cation-deficiency contained two-oxygen coordination, which resulted in the incompleteness of the CuO₂ sheets. Bi ions in the T^* phase cuprates take exact valence of 3_{+, Pb ions cannot replace them due to the too large an ionic radius of Pb²⁺/Pb⁴⁺.}     

掺La的Bi－2201相材料的拉曼散射研究

本文利用激光拉曼光谱研究了Ｌａ替代Ｓｒ对Ｂｉ－２２０１相材料的微结构和氧含量的影响．实验表明，随着Ｌａ含量的增加，体系中额外氧增加，晶体的结构畸变加剧，晶格的无序程度增大．本大利用调制的晶格失配模型对这种由Ｌａ替代Ｓｒ所造成的结构畸变行为进行了讨论．     

La2/3Ca1/3MnOz薄膜的巨磁电阻效应及其温度关系的研究 *

在室温至液氦温区内,对良好(100)择优取向的La_2/3Ca_1/3MnO_z薄膜的磁电阻作了实验研究.发现零场下未退火样品的电阻约在T_p=72K处出现一峰值,当外加磁场后,其电阻降低,而峰值所对应的温度T_p要往高温方向移动,然而其磁电阻变化值MR=δR/R_H=(R₀-R_H)R_H的极大值却发生在25K附近,而且该值基本上不随外磁场的大小而改变.当样品在700℃t氧气中退火30min后,零场下电阻峰值往高温方向移动到230K附近,表明薄膜的Curie温度升高了.     

金属玻璃Pd79.5Ni4Si16.5结晶化过程的慢正电子束研究

首次用单能慢正电子束研究金属玻璃的晶化过程.测量了金属玻璃Pd_79.5Ni₄Si_16.5淬火态、结构弛豫和结晶化状态样品的正电子湮没辐射多普勒展宽能谱与正电子入射能量的函数关系,结果表明,淬态金属玻璃Pd_79.5Ni₄Si_16.5中存在大量的空位型缺陷,其结晶化过程最先开始于表面层.单能慢正电子束是研究金属玻璃晶化过程的有效手段.     

La2/3Ca1/3MnO3-δ薄膜中磁致电阻温度关系的一种经验描述

在不同磁场H下 ,在 300～ 77K范围内测量了外延L_{a2 /3} Ca_1/3 MnO_3-y薄膜的电阻率ρ(T) ,发现电阻率的温度依赖关系可以按如下的经验公式来描述:ρ(T) =1σ(T) =1/α(M/M_s)² + βexp(-E0/k_BT) ,其中拟合参数α ,β随磁场的变化略有变化,E₀为磁极化子热激活能 ,约等于1 160k_B,M_s 为饱和磁化强度 ,M/Ms采用平均场近似求得,据此对提高CMR效应的可能性作了讨论.     

(Bi,Cd)Sr_2(Ln,Ce)_nCu_2O_y超导体及界面反应的光电子能谱研究

用光电子能谱研究了(Bi.Cd)Sr_2(Ln,Ce)_(?)Cu_2O_y的电子结构,以及其与铝之间的反应.芯能级结果表明:(Bi,Cd)Sr_2(Ln,Ce)_(?)Cu_2O_y系列中n=1,2和3三种材料的结果基本一致,并且类似其它超导材料中相同元素的芯能级结果.在(Bi,Cd)Sr_2(Ln,Ce)_(?)Cu_2O_y与铝的界面处,铝与(Bi,Cd)Sr_2(Ln,Ce)_(?)Cu_2O_y中的元素发生强烈反应,Bi—O,Sr—O和Cu—O键受到破坏,铜的价态从+2变为+1,并且同时伴随着超 关键词：