| A1/GaAs界面微结构的慢正电子束研究 |
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| 引用本文： | 翁惠民,周先意,徐纪华,孙式军,朱警生,武淑兰,韩荣典.A1/GaAs界面微结构的慢正电子束研究[J].中国物理 C,1993,17(9):775-783. |
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| 作者姓名： | 翁惠民 周先意 徐纪华 孙式军 朱警生 武淑兰 韩荣典 |
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| 作者单位： | 1 中国科学技术大学近代物理系 合肥 230027;2 中国科学院国际材料物理中心 沈阳 110015;3 中国科学院中国科学技术大学结构研究开放实验室 合肥 230026;4 中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室 上海 200050;5 中国高等科学技术中心 北京 100080 |
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| 摘 要： | 基于正电子扩散方程,对于线形全吸收型等特殊的界面模型,求得了正电子湮没辐射多普勒展宽S参数与单能慢正电子入射能量E之间函数关系S(E)的解析表达式.测量不同膜厚、不同退火条件下A1/GaAs的S(E),用所得解析式拟合实验数据,发现A1/GaAs界面系统与线形全吸收型界面模型符合得很好.通过拟合,得出了界面S参数S1及其与膜厚和退火温度的关系,由此对界面微结构及其动力学特性作了讨论.
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| 关 键 词： | 铝／砷化镓 界面 显微结构 正电子束 |
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