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研究了在不同温度区间氧气氛和氮气氛退火后处理对PtBa0.8Sr0.2TiO3Pt介电特性的影响.经过高温550℃氮气退火处理后,再放入350℃的氧气中退火,发现样品的介电特性出现了非常明显的低频弛豫现象,并且这种低频弛豫现象在350℃的氮气中退火后将会消失.通过在出现低频弛豫现象的样品的上下电极加一偏压,可以发现低频弛豫现象更加明显,并且在撤消偏压后这种增强将会逐渐减弱,直至最终恢复到偏压前的弛豫状态
关键词:
脉冲激光沉积
介电弛豫
动态随机存储器 相似文献
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Pyroelectricity and Spontaneous Polarization in [111] Oriented 0.955 Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.045PbTiO3 Single Crystals 下载免费PDF全文
We report that the measurements of the pyroelectric current of the pre-poled [111]-oriented 0.955 Pb(Zn1/3Nb2/3) O3-0.045 PbTiO3 (PZN-4.5%PT) single crystals can shed some light on the phase transition and spontaneous polarization characters of this material in a similar way to measures of remanent polarization and dielectric properties. The pyroelectric current is measured and the corresponding spontaneous polarization is calculated as a function of temperature with various poling fields added during cooling the sample from 200℃ to room temperature. Critical electric field of 0.061 k V/cm is found to be essential to induce the intermediate ferroelectric orthorhombic phase between the ferroelectric rhombohedral and tetragonal phases. Below the critical field, the polarization increases almost linearly with the increase of poling field. At the critical field, the polarization at 30OC increases abruptly from 14μC/cm^2 for a poling field of O.06kV/cm to 29.5μC/cm^2 for a poling field of 0.061 kV/cm, and afterwards, increases slowly and saturates to 31 μC/cm^2 for poling fields beyond 0.55 kV/cm. 相似文献
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基于TiO2/Ti电极在含Cu2+溶液中的循环伏安图,调节电沉积的沉积电压,我们在TiO2平整表面制备出Cu2O和/或Cu颗粒.通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)表征,发现Cu2O和Cu有不同的生长机制:Cu2O颗粒在TiO2表面分散结晶,而Cu颗粒是在已生长的颗粒上成核,从而形成堆积颗粒结构.这是由于在Cu2O/TiO2界面和Cu/TiO2界面形成不同的能带结构,使得电子的转移方式不同.与纯TiO2光阳极比较,可以观察到Cu2O/TiO2和Cu/TiO2异质结构的光电流均有显著增强.特别地,存在一个电压区间使得Cu2O和Cu同时生长在TiO2表面,此时对应的光电流比较稳定并且能达到最大.紫外-可见(UV-Vis)漫反射光谱、电化学阻抗谱(EIS)和光电流—电压特性曲线均显示,Cu2O和Cu明显有助于光的可见光吸收,同时Cu/TiO2在光电转换过程中显示更宽波段的可见光利用率.此外,开路电压的增加、有效的电荷分离和电极/电解质界面上载流子的快速迁移也增强了材料的光电化学性质. 相似文献
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研究并比较了两种不同(Ba0.5,Sr0.5)TiO3(BSTO)薄膜介电-温度特性.采用脉冲激光沉积技术在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备BSTO薄膜,发现制备条件的不同,可以得到介电性质完全不同的BSTO薄膜.在550℃和氮气氛下制备的BSTO薄膜在常温下具有很高的介电常数,在10kHz下,超过2500,并在200K温度以上介电常数基本不变.它的一些电学性质不同于在正常条件(650℃和氧气氛下)制得的BSTO薄膜,而类似于目前广泛报道的巨介电常数材料如CaCu3Ti4O12.两种薄膜介电性质测试结果表明: 氧气氛下制备的BSTO薄膜呈现铁电-顺电相变,符合居里-外斯定律;低温氮气氛下制备的BSTO薄膜,介电弛豫时间和温度的关系符合德拜模型,是热激发弛豫.文中给出了产生这种介电特性的初步解释. 相似文献
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采用溶胶-凝胶法,在保持薄膜结晶温度和有机物分解温度相同情况下,发现烘烤温度(即溶剂的挥发温度)对镧掺杂钛酸铋薄膜的晶体结构、表面形貌和铁电性质均产生重要影响.在较低烘烤温度下得到的薄膜(117)择优取向明显.但随着烘烤温度增加,薄膜的(117)择优取向逐渐减弱.薄膜的表面晶粒形貌则从棒状逐渐转变为盘状.还测量了薄膜的铁电性质,发现在250℃烘烤温度下得到的薄膜具有最大的剩余极化强度,2Pr为28.4μC/cm2.对实验现象进行了定性解释.
关键词:
溶胶-凝胶法
烘烤温度
铁电薄膜 相似文献
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利用脉冲激光淀积法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了28mol%La掺杂钛酸铅薄膜.采用不同的淀积氧气压,并分析了其对薄膜微观结构和介电性能的影响.结果表明,在2Pa左右的气压下淀积的薄膜具有好的结晶度和介电系数.在频率为10kHz时28mol%La掺杂钛酸铅薄膜的介电系数达852,并且保持了较低的损耗.同时制备了其他La掺杂浓度的PbTiO3薄膜,发现它们也有类似的特点.对此作了定性解释.
关键词:
脉冲激光淀积
PLT薄膜
气压
介电增强 相似文献
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