高Jc Tl系2223相银包套带材的磁通钉扎和耗散

测量了Ｔｌ系２２２３相银包套超导带（Ｊ_c＝１．５×１０^４Ａ·ｃｍ^-2，７７Ｋ，０Ｔ）在０－０．８Ｔ磁场下电阻转变展宽，实验结果引用热激活磁通蠕动模型加以解释。磁场平行于带面（Ｈ∥ａｂ面）和磁场垂直于带面（Ｈ⊥ａｂ面）两种情况下，激活能与磁场之间满足幂指数关系：Ｕ_0∥＝０．２１ H^-0.3(eV),Ｕ_0⊥＝０．１5 H^-0.4(eV)，其中Ｈ的单位为ｋＧ。 关键词：     

纳米脱溶相改善铋系2223银包套带材磁场下的输运性能

通过后期的氧气氛退火工艺,在Ｂｉ２２２３／Ａｇ 包套带材中引入纳米脱溶相,使得材料磁通钉扎能力显著提高,改善了输运性能．ＸＲＤ 和ＳＥＭ 分析表明退火过程中,从（Ｂｉ,Ｐｂ）２２２３ 基体晶粒内脱溶出的细小第二相粒子．钉扎力的标度表明这些细小的纳米脱溶相在材料中引入额外的钉扎中心,提高了材料的磁通钉扎能力     

纳米银掺杂对Bi(2223)超导体的影响

研究了不同含量纳米银掺杂的（Ｂｉ,Ｐｂ）２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ块材。ＤＴＡ分析表明纳米银掺杂使材料熔点降低,加速了高Ｔｃ相的形成。磁场下Ｒ－Ｔ展宽测试表明,纳米银掺杂大大提高了磁通蠕动激活能,其中最佳掺杂１５ｗｔ％Ａｇ时激活能提高５～６倍;掺杂样品的钉扎能Ｕ（Ｈ）随磁场降低比非掺杂样品要慢,改善了磁场下的传输性能。交流磁化率测量表明纳米银掺杂使晶间损耗峰向高温移动２０Ｋ,说明纳米银掺杂改善了晶界     

Bi系2223相银包套带材在15-77K温度范围的临界电流密度和磁通钉扎

实验测量了具有较高临界电流密度J_c(J_c=1.6×10~4A/cm~2.77K,OT)的Bi系2223相银包套带材在15-77K温度范围内的临界电流密度J_c与温度和磁场的关系,实验结果用热激活磁通蠕动模型予以解释,并求出钉扎势U_0随外磁场的依赖关系,发现在0-1T外磁场范围内,U_0与外磁场H的关系为U_0=0.069H~(-0.08)(eV),其中H的单位为千高斯。     

La2/3Ca1/3MnO3-δ薄膜中磁致电阻温度关系的一种经验描述

在不同磁场H下 ,在 300～ 77K范围内测量了外延L_{a2 /3} Ca_1/3 MnO_3-y薄膜的电阻率ρ(T) ,发现电阻率的温度依赖关系可以按如下的经验公式来描述:ρ(T) =1σ(T) =1/α(M/M_s)² + βexp(-E0/k_BT) ,其中拟合参数α ,β随磁场的变化略有变化,E₀为磁极化子热激活能 ,约等于1 160k_B,M_s 为饱和磁化强度 ,M/Ms采用平均场近似求得,据此对提高CMR效应的可能性作了讨论.     

内耗测量在钙钛矿结构Mn基氧化物研究中的应用

运用内耗测量技术系统地研究了空穴型和电子型掺杂锰氧化物的相分离行为.对于La0.67Ca0.33MnO3样品,在铁磁金属区,内耗温度曲线Q-1(T)上观察到与电子相分离有关的内耗峰.此外,我们在顺磁区观察到与磁团簇形成有关的内耗峰.磁测量的结果也证明了在顺磁区Griffiths相的存在.采用内耗、电阻和杨氏模量原位测量的方法研究了La5/8-yPryCa3/8MnO3 (y=0.35) 中电流对电荷有序相的影响.较大的电流破坏了电荷有序态,导致电阻率降低,同时杨氏模量也有相应的变化.通过分析表明,在La5/8-yPryCa3/8MnO3 (y=0.35) 中存在相分离行为,即电荷有序相和铁磁金属相共存.对于电子型掺杂的Sr0.8Ce0.2MnO3和Bi0.4Ca0.6MnO3样品,通过内耗实验同样给出了相分离的证据.在外加磁场下的内耗实验表明,Sr0.8Ce0.2MnO3顺磁区的内耗峰起源于非关联的磁团簇的形成.对于电荷有序体系Bi0.4Ca0.6MnO3,由于电荷有序和电荷无序畴壁运动而导致的内耗峰被观测到.研究表明,对于空穴型和电子型掺杂锰氧化物,实验中观察到的相分离行为可能是由于MnO6八面体的Jahn-Teller畸变所导致.实验结果显示了内耗测量技术对研究强关联电子体系Mn基氧化物相分离行为是十分有效的工具.     

高温超导体相对定量的磁通钉扎力分析

为了更准确地分析高温超导体在高温如液氮温区的磁通钉扎机制，基于Dew—Hughes模型，对传统的钉扎力标度方法进行了改进，发展了钉扎力密度的多源分析方法．在高温超导体中芯钉扎机制处于主导地位，由正常相和Ginzburg参量(△k)变化引起的点、面和体缺陷在改进分析方法中均将考虑．论中通过几个Bi-2223／Ag带材的钉扎力分析实例对传统的单函数方法和改进多源分析方法进行了比较．结果表明，采用多源分析方法可以更准确地给出样品中起作用的钉扎机制的信息，例如，样品中对磁通钉扎有贡献钉扎中心类型及其相对强度等．     

高JcBi-2223银包套带材的电阻转变展宽与磁通钉扎

系统地研究了高J_cBi-2223相银包套带材在0—1T磁场下的电阻转变展宽.实验结果表明,Bi-2223带材的电阻转变具有热激活的性质.研究了磁通钉扎势与温度的关系,得到电阻转变曲线的温度关系为R(T)=R₀exp{-u₀(1-T/T_c)ⁿ/kT},其中磁场平行于ab面时,n=4.5;磁场垂直于ab面时,n=3.在磁场平行于ab面时,耗散与Lorentz力无关,只与平行于ab面的磁场大小有关,这可 关键词：     

低场下高度c轴取向的Bi2233银包套带材的反常霍尔效应研究

低场下高度ｃ轴取向的Ｂｉ２２３３银包套带材的反常霍尔效应研究姜柳笛，孙玉平，许国阳，杜家驹中国科学院固体物理研究所，合肥２３００３１中国科学技术大学结构分析开放实验室，合肥２３００２６１９９６年１０月３０日收到在低场（Ｈ＜１Ｔ）且磁场平行于ｃ轴（Ｈ／...     

烧结Bi(Pb)SrCaCuO大块超导体的磁通蠕动

实验研究了 Bi(Pb)SrCaCuO 大块超导体在77.3K 下,50—2000Oe 磁场范围的磁通蠕动速率以及在150Oe、300Oe 磁场下磁通蠕动速率与温度的关系.并估算了它的磁通钉扎势,在77.3K 下,磁通钉扎势符合 U_o∝H~(-α)关系,且在50—800Oe 磁场范围α=0.87;在800—2000Oe 磁场范围α=0.28;在一定磁场下,液氮温度以上磁通钉扎势 U_o 随温度的升高而减小.