In-situ SiN combined with etch-stop barrier structure for high-frequency AlGaN/GaN HEMT

The etch-stop structure including the in-situ SiN and AlGaN/GaN barrier is proposed for high frequency applications.The etch-stop process is realized by placing an in-situ SiN layer on the top of the thin AlGaN barrier.F-based etching can be self-terminated after removing SiN,leaving the AlGaN barrier in the gate region.With this in-situ SiN and thin barrier etch-stop structure,the short channel effect can be suppressed,meanwhile achieving highly precisely controlled and low damage etching process.The device shows a maximum drain current of 1022 mA/mm,a peak transconductance of 459 mS/mm,and a maximum oscillation frequency(fmax)of 248 GHz.     

运用三维离散元技术模拟落锤撞击下奥克托今颗粒的点火燃烧过程

炸药颗粒的点火燃烧过程一直是人们关注的热点问题。近年来，三维离散元技术在中尺度观测颗粒材料的动力学过程中拥有显著优势。炸药燃烧属于颗粒材料的反应动力学，运用三维离散元技术(DM3)可以有效地观测炸药燃烧传播的过程。以奥克托今(HMX)颗粒为例，本文成功模拟并观测到了HMX颗粒的燃烧反应程度，确定了颗粒开始燃烧反应的时间，以及燃烧反应传播的时间。同时，结合落锤冲击颗粒的三维图像以及其表观压强和放热功率，得到了HMX颗粒燃烧反应、燃烧传播的整个反应动力学过程，包括颗粒在冲击加载下碎化塑性变形的过程，颗粒燃烧反应放热的过程，落锤回弹颗粒喷射的过程等。同时，进一步说明了尖顶颗粒更利于颗粒点火，平顶颗粒有抑制颗粒点火的能力。     

High-frequency enhancement-mode millimeterwave AlGaN/GaN HEMT with an fT/fmax over 100 GHz/200 GHz

Ultra-thin barrier (UTB) 4-nm-AlGaN/GaN normally-off high electron mobility transistors (HEMTs) having a high current gain cut-off frequency (f_T) are demonstrated by the stress-engineered compressive SiN trench technology. The compressive in-situ SiN guarantees the UTB-AlGaN/GaN heterostructure can operate a high electron density of 1.27×10¹³cm^-2, a high uniform sheet resistance of 312.8 Ω /□, but a negative threshold for the short-gate devices fabricated on it. With the lateral stress-engineering by full removing in-situ SiN in the 600-nm SiN trench, the short-gated (70 nm) devices obtain a threshold of 0.2 V, achieving the devices operating at enhancement-mode (E-mode). Meanwhile, the novel device also can operate a large current of 610 mA/mm and a high transconductance of 394 mS/mm for the E-mode devices. Most of all, a high f_T/f_max of 128 GHz/255 GHz is obtained, which is the highest value among the reported E-mode AlGaN/GaN HEMTs. Besides, being together with the 211 GHz/346 GHz of f_T/f_max for the D-mode HEMTs fabricated on the same materials, this design of E/D-mode with the realization of f_max over 200 GHz in this work is the first one that can be used in Q-band mixed-signal application with further optimization. And the minimized processing difference between the E- and D-mode designs the addition of the SiN trench, will promise an enormous competitive advantage in the fabricating costs.     

史丰收案件在中国科技史上的警示意义

中国珠算界人士于1973年发明、1974年归纳总结载入杭州小学课本的“29句口诀”和“本个加后进”的“乘法进位规律”,为传统珠算向珠心算新阶段的发展提供了“核心技术”之一。自中国珠算协会成立后的80年代初起。经珠算界不断的发展完善,珠心算从最初的用于珠算选手培养训练,继而用于幼少儿的启智教育。于今,珠心算已走向世界,为人类的启智造福。这是中国珠算界的贡献,也是全民族的骄傲。但是．上世纪末却有一位“速算名人”剽窃了珠算界的这一科研成果,之后竞反诬珠界人士“偷桃窃果”,随之提起诉讼。运作媒体,引发了一场惊动京城的舆论大哗。对于其人这种“偷桃毁树”的行径,中国珠算协会理所当然地派出专家组出庭维权．后来那位“速算名人”虽承认诬告失实,却一直回避核心技术的发明归属问题,一次次制造干扰。使应对真正“偷桃”行径的追究不了了之。之后,这位“速算名人”又一次次把水搅浑,混淆视听。制造了一场类似前苏联的“李森科现象”。为维护珠算界发明权,还正义于真面貌,本刊发表当年曾出庭维权的“珠界四老”的文章《史丰收案件在中国科技史上的警示意义》立此存照,以杜欺世盗名行为之继续。     

考虑交通出行惯例的双向行人流模型研究

推广了Baek等人最近提出的一个双向行人流模型,提出了两种改进策略,并从行人平均速度-密度关系、行人空间分布密度和位置分布等方面进行了数值分析. 研究发现,引入的两个新策略不仅可以提高行人流的平均速度,而且可以提高道路系统(尤其是道路中央区域)利用率,减轻拥堵状况,有效避免严重堵塞的发生. 改进的策略对行人的心理特点和行为特性等方面考虑更加全面,而且可以较好地模拟高密度的双向行人流. 关键词： 元胞自动机模型 双向行人流 交通惯例     

GaMnAs薄膜洛伦兹振子模型参数提取以及材料缺陷分析

利用改进的遗传算法从GaMnAs外延薄膜的远红外反射光谱中提取了GaMnAs薄膜的洛伦兹振子模型参数,发现GaAs掺入Mn后,ωTO向低频方向移动,ωLO基本保持不变,ε∞和εs均减小,γ有很大变化.并通过XRD以及近红外谱发现Mn的掺入会引入缺陷,这种缺陷会影响晶格质量,导致γ发生很大变化.     

三嗪基高分子催化分子氧氧化环己烯

在碱性条件下,将三聚氰氯和乙二胺缩聚,制备了一种三嗪基功能高分子。由于含有大量氮原子,该高分子能与过渡金属形成配位。通过透射电镜、红外光谱、X射线粉末衍射和光电子能谱对高分子及其Fe配合物进行了表征。该高分子可催化分子氧氧化环己烯,而配位金属后,其催化性能进一步提高。此外,考察了不同过渡金属、反应温度和反应时间对环己烯氧化的影响。     

N和F共掺杂C3N4的制备及其可见光催化性能

针对氮化碳（C₃N₄）光生电荷易复合、光催化性能有限的不足,我们制备N和F共掺杂C₃N₄（NF-C₃N₄）,以提升其光催化性能。利用NH₄F在高温下原位分解产生的HF和NH₃,对C₃N₄刻蚀的同时实现N和F双元素共掺杂。以氯化铵（NH₄Cl）为对照,制备N掺杂C₃N₄（N-C₃N₄）。利用扫描电子显微镜（SEM）、能谱仪（EDS）、X射线光电子能谱（XPS）、X射线衍射（XRD）、比表面积测试和电化学表征手段研究N、F共掺杂对C₃N₄形貌、成分、结构和物化性质等的影响规律。相比于C₃N₄和N-C₃N₄,NF-C₃N₄呈多孔状,比表面积增大,光生电荷的生成、分离和转移均被促进,NF-C₃N₄光催化还原Cr （Ⅵ）的速率是C₃N₄的2.6倍、N-C₃N₄的1.7倍。进一步考察了不同前驱体（尿素、双氰胺和三聚氰胺）对制备C₃N₄的影响,发现以尿素为前驱体的C₃N₄与NH₄F的质量比为3∶2时,NF-C₃N₄呈现最佳的光催化性能。催化剂用量、光照强度、空穴捕获剂浓度的增加和pH的降低均能提高Cr （Ⅵ）还原速率。在NF-C₃N₄浓度为0.1 g·L^-1、pH=3、c_EDTA-2Na=2 mmol·L^-1、40 min可见光照射后,Cr （Ⅵ）去除率达到90%。5次循环实验表明,优化制备的NF-C₃N₄光催化还原Cr （Ⅵ）的性能保持良好,具有较高的稳定性。     

大豆分离蛋白/聚乙烯醇的电纺研究

对大豆分离蛋白(SPI)/聚乙烯醇(PVA)的电纺进行了研究, 讨论了溶液性质和甘油的加入对SPI/PVA电纺纤维形貌的影响, 并对SPI/PVA电纺膜进行了成分分析和力学性能表征. 结果表明, 加入甘油可以提高SPI/PVA的可电纺性, 同时使SPI/PVA电纺膜的拉伸强度从不含甘油的(5.17±0.62) MPa下降到含有甘油的(1.67±0.21) MPa, 而伸长率呈增加趋势.     

Low power fluorine plasma effects on electrical reliability of AlGaN/GaN high electron mobility transistor

The new electrical degradation phenomenon of the AlGaN/GaN high electron mobility transistor(HEMT) treated by low power fluorine plasma is discovered. The saturated current, on-resistance, threshold voltage, gate leakage and breakdown voltage show that each experiences a significant change in a short time stress, and then keeps unchangeable. The migration phenomenon of fluorine ions is further validated by the electron redistribution and breakdown voltage enhancement after off-state stress. These results suggest that the low power fluorine implant ion stays in an unstable state. It causes the electrical properties of AlGaN/GaN HEMT to present early degradation. A new migration and degradation mechanism of the low power fluorine implant ion under the off-stress electrical stress is proposed. The low power fluorine ions would drift at the beginning of the off-state stress, and then accumulate between gate and drain nearby the gate side. Due to the strong electronegativity of fluorine, the accumulation of the front fluorine ions would prevent the subsequent fluorine ions from drifting, thereby alleviating further the degradation of AlGaN/GaN HEMT electrical properties.