全文获取类型
收费全文 | 30篇 |
免费 | 55篇 |
国内免费 | 16篇 |
专业分类
化学 | 7篇 |
力学 | 1篇 |
综合类 | 1篇 |
数学 | 7篇 |
物理学 | 85篇 |
出版年
2022年 | 1篇 |
2018年 | 1篇 |
2016年 | 1篇 |
2015年 | 1篇 |
2014年 | 3篇 |
2013年 | 7篇 |
2012年 | 7篇 |
2011年 | 11篇 |
2010年 | 1篇 |
2009年 | 6篇 |
2008年 | 5篇 |
2007年 | 3篇 |
2006年 | 6篇 |
2005年 | 4篇 |
2004年 | 3篇 |
2003年 | 3篇 |
2002年 | 4篇 |
2001年 | 3篇 |
1999年 | 3篇 |
1998年 | 2篇 |
1997年 | 1篇 |
1996年 | 5篇 |
1995年 | 2篇 |
1993年 | 3篇 |
1992年 | 2篇 |
1991年 | 1篇 |
1990年 | 1篇 |
1989年 | 1篇 |
1988年 | 1篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 1篇 |
1983年 | 3篇 |
1981年 | 1篇 |
1974年 | 1篇 |
1966年 | 1篇 |
1961年 | 1篇 |
排序方式: 共有101条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
王启明 《数学的实践与认识》1989,(1)
<正> 由中科院数学研究所举办的第二届全国大学生数学夏令营,1988年7月22日至29日在北京举行.夏令营期间举办了数学竞赛,竞赛分两试进行,第一试的考题侧重基础知识;第二试则要求学生灵活运用所学的知识.两次试题见附录.全国36名大学生参加了竞赛.这次数学竞赛排出了个人成绩和团体成绩两个名次.获个人成绩前五名是:第一名 魏军城 (武汉大学),159分,第二名 白学政 (北京大学),138分, 相似文献
3.
A Two-Dimensional Photonic Crystal Slab Mirror with Silicon on Insulator for Wavelength 1.3μm 下载免费PDF全文
A concrete two-dimensional photonic crystal slab with triangular lattice used as a mirror for the light at wavelength 1.3μm with a silicon-on-insulator (SOI) substrate is designed by the three-dimensional plane wave expansion method. For TE-like modes, the bandgap in the Г-K direction is from 1087nm to 1559nm. The central wavelength in the bandgap is about 1.3μm, hence the incident light at wavelength 1.3μm will be strongly reflected. Experimentally, such a photonic crystal slab is fabricated on an SOI substrate by the combination of EBL and ICP etching. The measurement of its transmission characteristics shows the bandgap edge in a longer wavelength is about 1540 nm. The little discrepancy between the experimental data and the theoretical values is mainly due to the size discrepancy of the fabricated air holes. 相似文献
4.
经历了40年的发展,半展体激光器已经成为激光大家族中的极为重要的一员,由它引申发展的半导体光子学,集成光电子学已成为信息高科技的重要支柱,正在推动着诸如光通信光信息处理,光互连,光计算等重要的前沿应用领域的发展。文从原理,结构出发,按其发阶段的有机地简略回顾了同质结构,异质结构,量子阱结构,分布布拉格反馈结构,垂直腔面发射结构以及最新发展的单极性注入半导体激光器的进展及其主要应用,同时对其未来的 相似文献
5.
突破间接带局限创新Si基激光器 总被引:2,自引:0,他引:2
Si基高效发光与受激光发射是Si基光子学突破性发展的关键课题,它的实现对Si基微电子学的发展有深远的重大意义.由于受到天然Si材料间接带能带结构的限制,Si材料的发光效率极低,更谈不上可实现受激光发射,人工改性就成为当代研究、开拓的主要途径.新的Si基直接带体材料(如β-FeSi2等)的探索,Ge/Si量子阱、超晶格、量子点的能带工程介观改性,子带发光跃迁的探索,异类元素插入短周期超晶格中的化学键改性,以及SiO2高浓度nc-Si的生成和高激活度稀土离子的掺入发光等已开展了多途径的研究,不同程度上取得了重要的进展,一种MIS结构电子隧道注入高效发光器件已在SiO2:RE MOS结构中实现.运用激光器件物理的深入设计和新的器件技术的引入,可以预计本世纪初叶,对实现Si基激光器的奢望将会成为现实,无疑它对Si基光子学、Si基集成光电子学乃至信息高科技的发展将作出历史性的巨大贡献. 相似文献
6.
A Base-Emitter Self-Aligned Multi-Finger Sil-xGex/Si Power Heterojunction Bipolar Transistor 下载免费PDF全文
With a crystal orientation dependent on the etch rate of Si in KOH-based solution, a base-emitter self-Migned large-area multi-finger configuration power SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) device (with an emitter area of about 880μm^2) is fabricated with 2μm double-mesa technology. The maximum dc current gain is 226.1. The collector-emitter junction breakdown voltage BVcEo is 10 V and the collector-base junction breakdown voltage BVcBo is 16 V with collector doping concentration of 1 × 10^17 cm^-3 and thickness of 400nm. The device exhibited a maximum oscillation frequency fmax of 35.5 GHz and a cut-off frequency fT of 24.9 GHz at a dc bias point of Ic = 70 mA and the voltage between collector and emitter is VCE = 3 V. Load pull measurements in class-A operation of the SiGe HBT are performed at 1.9 GHz with input power ranging from OdBm to 21 dBm. A maximum output power of 29.9dBm (about 977mW) is obtained at an input power of 18.SdBm with a gain of 11.47dB. Compared to a non-self-aligned SiGe HBT with the same heterostructure and process, fmax and fT are improved by about 83.9% and 38.3%, respectively. 相似文献
7.
使用低、高温两步法生长的高质量Ge薄膜作为缓冲层,在Si(001)衬底上采用分子束外延法生长出Ge0.975Sn0.025合金薄膜.X射线双晶衍射和卢瑟福背散射谱等测试结果表明,Ge0.975Sn0.025合金薄膜具有很好的晶体质量,并且没有发生Sn表面分凝.另外,Ge0.975Sn0.025合金薄膜在500 ℃下具有很好的热稳定性,有望在Si基光电器件中得到应用.
关键词:
GeSn
Ge
分子束外延
外延生长 相似文献
8.
从固体模型理论的结果出发,计算了生长于Si(100)衬底上x值小于085的Si1-xGex合金材料(能带结构为类Si结构)的间接带隙与应变的关系,结 果表明,应变的S iGe材料的带隙和完全弛豫状态下材料的带隙之差与应变呈线性关系.基于这一结果,提出了 用测量带隙来间接测定SiGe/Si应变状态的方法.用带隙法和x射线双晶衍射法测量了不同应 变状态下的SiGe/Si多量子阱材料的应变弛豫度,两者可以较好的符合,表明带隙法测量SiG e应变弛豫度是可行的.
关键词:
SiGe合金
应变
带隙 相似文献
9.
本文设计了一种基于Franz-Keldysh (FK) 效应的GeSi电吸收调制器. 调制器集成了脊形硅单模波导. 光由脊形硅波导以倏逝波形式耦合进锗硅吸收层. 在硅基锗二极管FK效应实验测试的基础上, 有源区调制层锗硅中的硅组分设计为1.19%, 从而使得器件工作在C (1528–1560 nm) 波段. 模拟结果显示该调制器的3 dB带宽可达64 GHz, 消光比为8.8 dB, 而插损仅为2.7 dB.
关键词:
锗硅
调制器
电光集成 相似文献
10.
GaN非线性光学效应研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
本文简述了对非线性光学材料的一般要求,详细介绍了GaN材料的极化效应,以及因此而具有的良好非线性光学效应。以波长转换为例说明了它在未来全光网络中的应用前景。 相似文献