GeSn合金的晶格常数对Vegard定律的偏离

在Si (001)衬底上, 以高质量的弛豫Ge薄膜作为缓冲层, 先后生长Sn组分x分别为2.5%, 5.2%和7.8%的完全应变的三层Ge_1-xSn_x合金薄膜. 在Si (001)衬底上直接生长了x分别为0.005, 0.016, 0.044, 0.070和0.155的五个弛豫Ge_1-xSn_x样品. 通过卢瑟福背散射谱、高分辨X射线衍射和X射线倒易空间图等方法测量了Ge_1-xSn_x合金的组分 与晶格常数. 实验得到的晶格常数相对Vegard定律具有较大的正偏离, 弯曲系数b=0.211 Å.     

Room-temperature direct-bandgap photoluminescence from strain-compensated Ge/SiGe multiple quantum wells on silicon

Strain-compensated Ge/Si_0.15Ge_0.85 multiple quantum wells were grown on an Si_0.1Ge_0.9 virtual substrate using ultrahigh vacuum chemical vapor deposition technology on an n +-Si（001） substrate.Photoluminescence measurements were performed at room temperature,and the quantum confinement effect of the direct-bandgap transitions of a Ge quantum well was observed,which is in good agreement with the calculated results.The luminescence mechanism was discussed by recombination rate analysis and the temperature dependence of the luminescence spectrum.     

基于个体优势分析的领军人才评判方法

领军人才对社会组织具有重要作用,因此,领军人才的评判对社会组织发展具有意义。基于对领军人才概念的界定,本文遵循竞优思想,提出了基于个体优势分析的领军人才评判方法,为社会组织筛选领军人才提供技术支持。本文提出的方法具有客观性,并兼顾了社会组织中个体对领军人才的认同和共性优势结构下群体的认定;文章还通过算例演示了方法的运用过程,表明了方法的可行性。     

浅谈数学教学中学生思维品质优化策略

例一1、一题多解,拓宽思路,激活思维的广阔性已知M(2,-3)、N(-3,-2),直线L过点P(1,1)与线段MN相交,求直线L的斜率k的取值范围.解法一、数形结合法,如图,因kPN=43,kPM=-4,由正切函数的单调性知k≤-4或k≥43.解法二、用线性规划知识求解,设过点P的直线L:y=k(x-1) 1,即kx-y-k 1=0,因点M、N在L的两侧或L上,故(k 4)(-4k 3)≤0,∴k≤-4或k≥43.解法三、设经过点P的直线L的方程为:y=k(x-1) 1……(1),而直线MN的方程为:x 5y 13=0……(2),显然k≠-51.由(1)(2)解方程组可得交点Q的横坐标为xQ=55kk- 118,由题意知,-3≤xQ≤2即-3≤55kk- 118≤…     

Structure Dependence of Mode Edges in Photonic Crystal Waveguide with Silicon on Insulator

The mode edges of photonic crystal waveguide with triangular lattice based on a silicon-on-insulator slab are investigated by combination of the effective index method and the two-dimensional plane wave expansion method. The variations of waveguide-mode edges with the structure parameters of photonic crystal are deduced. When the ratio of the radius of air holes to the lattice constant, r/ ∧, is fixed and the lattice constant of photonic crystal, A, increases, the waveguide-mode edges shift to longer wavelengths. When A is fixed and r/∧ increases, the waveguide-mode edges shift to shorter wavelengths. Additionally, when r/∧ and A are both fixed, the radius of the two-row air holes adjacent to the waveguide increases, the waveguide-mode edges shift to shorter wavelengths.     

光子晶体对nc-Ge/Si岛发光增强的模拟

在Si基集成光电子学的发展中,高效的Si基光源是人们不懈追求的目标。但是Si材料的间接带隙特性导致其发光效率低,更谈不上受激发射。于是人们探索了多种Si基材料体系来提高Si材料的发光效率,并在不同程度上取得了重要的进展。在众多的Si基发光材料体系中,Ge/Si量子点材料,不仅生长工艺与标准的CMOS工艺有很好的兼容性,而且发光波长能够覆盖重要的光通信波段即1.3~1.55μm,因此成为实现Si基发光器件的重要途径之一。但是目前这种材料的发光效率仍很低,所以提高其发光效率自然成为人们关注的焦点。如果将光子晶体引入到nc-Ge/Si材料中,它不仅可以改变材料本身的自发发射特性,而且可以改变发射的光子的提取效率,从而使材料的发光效率得到增强。提出了在Ge/Si量子点材料中引入光子晶体结构来提高其发光效率,包括光子晶体点缺陷腔结构和带边模式工作的完整光子晶体结构,并从理论上分析了发光效率提高的原理。针对发光波长在1.5μm附近的材料结构,模拟出了相应的光子晶体的结构参数。从模拟结果可以看出,对于缺陷腔的光子晶体结构,采用单点缺陷微腔很好地实现了单模运作,但是微腔内有源材料的体积很小,因此得到的发光效率很低。而采用耦合缺陷腔的结构和H₂腔都增加了腔内有源区的体积。但是耦合腔与H₂腔相比,谐振腔模减少,主谐振模式的峰值强度增加,更容易实现单模发光。因而更适用于提高nc-Ge/Si的发光效率。而带边模式工作的光子晶体结构,尺寸较大,不需引入缺陷,工艺上更容易实现。     

MoS2/CNFs对电极膜厚对染料敏化太阳能电池性能影响

通过静电纺丝技术和水热法成功获得了碳纳米纤维负载二维层状硫化钼(MoS_2/CNFs),将其作为对电极组装的染料敏化太阳能电池(DSSCs)表现出优异的电化学特性。在DSSCs制备过程中,对电极膜厚对电池性能有很大影响,所以本文重点探究了喷涂法制备的对电极膜厚对其组装的染料敏化电池光电性能影响,获得最佳对电极膜厚。实验结果表明当MoS_2/CNFs复合对电极材料膜厚为8μm时,电池光电转换效率达到最大值7.78%。     

EFFECTIVE CAVITY LENGTH IN VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER

Effective cavity length method is introduced to vertical cavity surface emitting laser for characterizing some properties, including reflectivity, FWHM, mode wavelength and thresh-old gain. Some experiment results are demonstrated, showing the agreement of theoretical analysis with experiment.     

卫星姿态的开关式控制

<正> 在人造地球卫星的飞行控制中,一个重要的问题是控制卫星的姿态,即卫星相对某坐标系的定向和角速度.例如使卫星某个轴指向地球,或让卫星绕一轴旋转.某些时候,卫星姿态是用固定在卫星上的喷咀喷气的反作用力矩控制的.在工程上,喷咀只能有两种状态:喷或不喷,而喷气的速度是不加调节的.因此,卫星受到的控制力矩是开关式的,     

关于数学科学研究的报告

该文是由国家科委委托中国科学院组织的数学基础研究和应用基础研究调研专题小组起草的一份报告,现经作者同意发表于此,以期引起讨论。