In_xGa_（1－x）As缓冲层上In_yGa_（1－y）As／（Al）Ga

本文中，发现在Ｉｎ＿ｘＧａ＿(１－ｘ)Ａｓ缓冲层上非故意掺杂的ＩｎｙＧａ＿(１－ｙ)Ａｓ／（Ａｌ）ＧａＡｓ超晶格样品中存在着两个互相反向的自建电场区，一个位于样品表面，另一个位于Ｉｎ＿ｘＧａ＿(１－ｘ)Ａｓ缓冲层和超晶格界面．据此，合理地解释了样品的光伏测试结果，并对此类样品的ＭＯＣＶＤ生长工艺给予指导．     

半导体中的光磁效应及其应用

光磁效应也称为光磁电效应或光磁生伏特效应。用一定波段的光线照射半导体表面,如果在它的側面上加上磁場后,則在样品二端将出現一个电动势,該电动势即称为光磁电动势,这个現象就是光磁效应。通常用P.M.E.来表示它。光磁效应最早是由苏联的和     

GaAs／GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件

采用分子束外延技术生长含有大周期数的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ多量子阶（ＭＱＷ）及分布布喇格反射器（ＤＢＲ）的ＰＩＮ结构器件。研究了量子限制斯塔克效应（ＱＣＳＥ），分布布喇格反射及非对称腔模（ＡＳＦＰ）效应对光的反射调制作用及这三种效应的兼容性对光调制及逻辑器件的重要影响。给出我们研制的反射型光调制器及自电光效应器件的实验结果。对于常通型及常闭型调制器，其两态衬比度可达１０ｄＢ。所研制的ＳＥＥＤ器件，其导通光能耗低于１０ｆＪ／（μｍ）￣２，实现其光学双稳态及Ｒ－Ｓ光触发器工作。     

复投影空间中的常主曲率超曲面(Ⅰ)

本文证明了复投影平面CP²中任一个有三个不同的常主曲率的超曲面与复二次曲面z₀²+z₁²+z₂²=0的一个管子上的开集合同。这就解决了Takagi在文献[1]中提出的问题。     

用MOS方法研究四元混晶In0.75Ga0.25As0.58P0.42中的深能级中心

采用MOS方法,在液相外延生长的n型In_0.75Ga_0.25As_0.58P_0.42混晶中,我们测出了两个位于导带下面0.20eV和0.48eV处的电子陷阱,对电子的俘获截面分别为1.4×10^-16cm²和3.8×10^-12cm²。关于采用MOS方式研究具有多层结构的化合物半导体材料的DLITS问题,本文也进行了讨论。 关键词：     

半导体量子光电子学的进展

就量子阱超晶格的基本物理、量子阱光电于器件对光通信发展的贡献和量子光电子器件对发展计算技术和信息处理技术的贡献等问题进行了较详细的讨论，指出；半导体量子光电子学的内涵既包含了崭新一代光电子器件的诞生，同时也促进了以信息的传输、运算和处理为代表的新一代信息技术的发展．半导体量子光电子学将与微电子技术井列成为未来信息社会的两大支柱．     

Si基长波长GeSiHPT探测器的研制

随着波分复用技术的发展，成本低廉，易与Si基微电子集成电路集成的长波长探测器越来越受到人们的重视。Si1-kGek/Si量子阱材料在1.3μm石英光纤波段有着明显的响应。但是由于SiGe材料间接带隙结构，吸收系数小，SiGe探测器的应用受到限制。由于（heterojunction phototransistor异质结光敏晶体管）HPT具有内部增益，SiGeHPT有望得到广泛应用。本文在国内首次报道了利用自己研制的UHV-CVD生长的SiGeHPT。在该结衍射和TEM进行表征，并且制作了原型器件，器件的光电流谱表明器件在5V偏压下在1.3μm波段响应度达1mA/W，光增益约为10。同时我们设计了SOR上面的RCEHPT，并进行光电响应模拟，模拟表明RCE HPT的量子效率可达8%，增加吸收区材料Ge组分到0.5，量子效率可提高到30%，半高度为1.5nm，适应光通讯的要求。     

生物基聚酯PTT与PDT的发展概况北大核心CSCD

综述了包括生物基原材料1,3-丙二醇以及生物基乙二醇的生产工艺研究进展,介绍了PTT和PDT两种生物基聚酯在国内外的最新发展,包括两种生物基材料的合成路线、工艺条件等。详细介绍了两种材料现有的纺丝技术的改进,并对PTT(对苯二甲酸1,3-丙二醇酯)、PDT(对苯二甲酸多元醇酯)、PET(对苯二甲酸乙二醇酯)三种产品不同性能做出了比较,展望了生物基聚酯未来的工程化产业化的良好前景。     

单载流子光电探测器的高速及高饱和功率的研究

利用载流子漂移-扩散模型, 模拟并分析了InGaAs/InP单载流子光电探测器(Uni-traveling-carrier/UTC-PD) 在不同条件下的物理特性及其带宽和饱和特性, 结合器件实验结果分析了影响器件高速和高饱和性能的物理机理. 结论表明在吸收区采用浓度渐变掺杂和增加InP崖层(cliff layer), 可以显著提升器件饱和特性, 高入射功率下吸收区电场崩塌是器件饱和的直接因素, 直径大于20 μm的UTC探测器中RC常数仍是影响带宽的主要因素. 论文指出了优化器件结构、 提升器件性能的有效方法.