Si(001)衬底上分子束外延生长Ge0.975Sn0.025合金薄膜

使用低、高温两步法生长的高质量Ge薄膜作为缓冲层,在Si(001)衬底上采用分子束外延法生长出Ge_0.975Sn_0.025合金薄膜.X射线双晶衍射和卢瑟福背散射谱等测试结果表明,Ge_0.975Sn_0.025合金薄膜具有很好的晶体质量,并且没有发生Sn表面分凝.另外,Ge_0.975Sn_0.025合金薄膜在500 ℃下具有很好的热稳定性,有望在Si基光电器件中得到应用. 关键词： GeSn Ge 分子束外延 外延生长     

差分系统基于两种度量的极端稳定性

首先引入了差分系统基于两种度量的极端稳定性概念 ,然后建立了一些关于差分系统 ( h0 ,h)极端稳定性 (极端一致稳定性 ,极端渐近稳定性 ,极端一致渐近稳定性 )的判定准则 .在所得到的定理中 ,对△ V的限制较弱 ,特别地 ,△V甚至可以恒为正 ,从而便于实际应用 .     

声光可调滤光器-近红外光谱法快速测定苗药水冬瓜根皮药材中总黄酮和浸出物的含量

取48批次水冬瓜根皮鲜药材于50℃分别烘干后粉碎至通过孔径0.23mm的样筛。混匀后装于样品瓶中制备成48个样品,编号为G1～G48,其中42个样品(G1～G42)作为校正集,6个样品(G43～G48)为验证集。应用声光可调滤光器(AOTF)-近红外光谱仪(NIR)采集每个样品的原始光谱。确定NIR光谱预处理方式为一阶微分导数,在1 100～2 200nm波段构建该药材中总黄酮及浸出物含量快速测定的分析模型。采用化学计量学分析软件将校准集样品的光谱信息和上述两测定项目的参考值作数据关联,分别建立该药材中总黄酮和浸出物快速测定的分析模型。用G1样品重复采集其NIR光谱6次,按上述方法作预处理及测定,结果获得总黄酮及浸出物测定值的相对标准偏差(n=6)分别为3.9%,2.8%。仍取G1样品于12h内先后采集其红外光谱8次,按上述相同方法分析,两项测定结果的相对标准偏差分别为2.1%,2.3%,说明12h内样品的稳定性良好。最后将6个验证样品的原始光谱经预处理所得的数据导入化学计量学分析软件作模型预测,两项目的预测值与参考值的相对误差分别在1.6%～6.3%和0.60%～4.3%之间。表明所建模型验证效果良好,应用此方法分析单个样品只需2～5s。     

基于R-vine-copula-CoVaR模型的金融市场风险溢出效应研究

为了挖掘国际金融市场与中国金融市场的风险溢出效应,本文首先通过ARJI-GARCH模型捕捉单个市场收益率的跳跃等典型事实特征,然后采用最大生成树(Maximum Spanning Tree,MST)算法优化的R-vine来刻画多维金融资产的复杂相依结构;最后构建R-vine-copula-CoVaR模型,测度了国际原油市场、国际黄金市场、美国股票市场与中国股票市场、外汇市场之间的风险溢出效应。实证结果表明:各市场之间均存在双向风险溢出效应,但溢出程度差别很大,国际黄金市场是风险溢出的最大爆发源,仅有中国外汇市场与中国股票市场、国际黄金市场间存在负向风险溢出;市场之间的双向风险溢出效应呈非对称性,国际原油市场与黄金市场的风险溢出效应远大于中国股票市场与外汇市场风险溢出效应;Rosenb-Latt检验表明基于R藤的CoVaR风险溢出测度更具有灵活性和有效性;后验测试结果表明R-vine-copula-CoVaR模型能有效地测度国际金融市场对中国金融市场风险溢出效应,而对中国金融市场风险溢出效应的CoVaR测度存在被高估的可能。     

Strained and strain-relaxed epitaxial Ge1-xSnx alloys on Si（100） substrates

Epitaxial Ge1-xSnx alloys are grown separately on a Ge-buffer/Si(100) substrate and directly on a Si(100) substrate by molecular beam epitaxy (MBE) at low temperature. In the case of the Ge buffer/Si(100) substrate, a high crystalline quality strained Ge0.97Sn0.03 alloy is grown, with a χmin value of 6.7% measured by channeling and random Rutherford backscattering spectrometry (RBS), and a surface root-mean-square (RMS) roughness of 1.568 nm obtained by atomic force microscopy (AFM). In the case of the Si(100) substrate, strain-relaxed Ge0.97Sn0.03 alloys are epitaxially grown at 150°C-300°C, with the degree of strain relaxation being more than 96%. The X-ray diffraction (XRD) and AFM measurements demonstrate that the alloys each have a good crystalline quality and a relatively flat surface. The predominant defects accommodating the large misfit are Lomer edge dislocations at the interface, which are parallel to the interface plane and should not degrade electrical properties and device performance.     

新型固相微萃取涂层直接检测样品中的3种多氯酚

利用聚乙二醇2000(PEG 2000)合成了聚乙二醇硅酯预聚物,并通过溶胶-凝胶法制备了含键合聚乙二醇硅酯的固相微萃取涂层,其使用最高温度为340℃。无需衍生化的情况下,采用顶空固相微萃取结合GC/FID的方法测定3种多氯酚的检出限为0.11~0.18 ng/L;线性范围达0.1~103μg/L,相对标准偏差(RSD,n=5)为4.24%~6.44%。土样中痕量多氯酚的加标回收率分别为108%、93.5%和73.7%。