非线性腔中横模的时空不稳定

通过数值模拟研究了非线性腔的横向效应，非线性表现在光场通过放大介质时所引起的相位变化与强度有关，模拟结果显示，随着非线性系数的变化，腔中的光场分布表现丰富的时空不稳定行为，其中包括横模跳变，时空周期行为以及光学涡旋的出现。     

对力学非线性和磁场非线性综合作用下扬声器低频跳变的探讨

力学非线性和磁场非线性是扬声器非线性现象的两个因素。本文分析了仅力学非线性的扬声器低频振动方程的临界跳变条件，采用等效线性化法讨论了磁场非线性对扬声器跳变的影响。证实了抑制扬声器跳变的有效途径是增大电磁耦合因子B1。     

强非线性吸收下高斯光束Z-扫描衍射理论模型

 摘要：在同时考虑非线性折射和非线性吸收的情况下，借助光的衍射理论，研究了Z-扫描技术的衍射理论模型，分析了非线性折射和非线性吸收同时存在时Z-扫描曲线的形状特征和变化规律。数值计算表明，非线性吸收相移和非线性折射相移的比值是影响接收小孔输出光功率的重要因素。要想得到好的光限幅效果，应选取非线性相移比值远小于1或远大于2的非线性材料。     

弱非线性复合体中的高阶非线性响应

利用谱表示理论和微扰展开法，从理论上给出了适合于一般微结构复合体系的有效非线性响 应的一般表示式，并结合有效媒质近似（EMA），在弱非线性条件下研究了由三阶非线性组 分（体积分数为p）和线性组分构成的非线性复合体系的有效非线性响应，讨论了复合 体系的有效介电常数ε～e=εe+χe|E0|2+ηe|E0| 4中的有效三次非线性响应χe和有效高次非线性响应ηe与体积分数p和 退极化因子L之间的关系，分析了非线性组分的介电常数为复数情形时体系的有效高阶非线 性响应，从理论上说明了组分的高次非线性响应对整个复合体系的有效介电常数的影响.  关键词： 非线性复合介质 有效非线性响应 谱表示理论     

Z—扫描技术及其应用

文章介绍了Ｚ－扫描技术的原理、特点及其应用，分析了单色Ｚ－扫描法测量非线性折射系数和非线性吸收系数，以及双色Ｚ－扫描法研究非简并非线性光学效应．     

非线性系数对超晶格透射的影响

研究了非线性系数对超晶格中波透射的影响.把非线性薛定谔方程转化成二阶差分方程，通过迭代此差分方程得到透射谱.透射谱显示非线性系数对波的透射有明显的调制作用. 关键词： 透射 非线性Kronig-Penny模型 非线性系数     

稀土材料的超快共振非线性光学特性研究

用抽运-探测技术测量光学响应材料非线性极化率的方法，研究了稀土材料非线性折射率的共振增强和超快响应的非线性动力学过程。测得钕玻璃的三阶非线性折射 率强度系数为10^-14cm^2/W，比其基质的非线性折射率强度系数提高了2个量级。用该方法研究了Nd:YVO4、Er:YAG等晶体的超快非线性响应过程。实验结果与理论分析表明，抽支-探测技术是测量非线性极化率的简单而又灵敏的方法。这一测量技术对研究与开发超高速光响应器件具有重要的实用价值。     

对“求一类非线性偏微分方程解析解的一种简洁方法”一文的一点注记

利用文献中所引入的变换，将一个非线性偏微分方程化为一个非线性常微分方程，再直接求解该常微分方程，从而简洁地求得了Burgers方程的几个精确解析解.所得结果与已有结果完全符合. 关键词： 非线性偏微分方程 非线性常微分方程 解析解     

非线性折射率测量的Z扫描方法

描述了利用会聚的单光束灵敏地测量各种非线性介质的非线性折射率和非线性吸收系数的方法。被测样品放置于会聚高斯光束的光轴上（ｚ轴），样品在焦点附近沿ｚ轴移动，在远场处放置带有小孔的屏。通过小孔测量光束通过样品后的透过率，根据透过率与样品位置的关系，即可得到非线性介质的非线性折射率和非线性吸收系数，并能确定非线性折射率的符号（自聚焦或自散焦）。给出了若干测量结果。     

非线性导波光学与波导全光开关器件

综述了非线性导波光学的研究内容，着重介绍了基于三阶非线性的波导光开关器件的研究成果，其中包括频率调制型器件，振幅调制型器件及孤子非线性波导器件。此外，还讨论了非线性光波导材料的优化问题。     

GaN中Zn的均匀掺杂

在Ar-HCl-Ga-NH3气相外延生长GaN的过程中,分析了Zn在GaN中分布不均匀的原因,认为除生长出晶体完整性好的n-GaN提供均匀掺杂的必要条件外,Zn气流的合理分布是获得Zn均匀掺入的关键。我们通过设计新的Zn喷口,能在φ25mm的GaN:Zn样品上,得到了Zn的均匀分布,PL、CL、EL均为一种颜色,室温下测定了EL光谱,不同点的峰值偏差小于10Å。     

金属有机化合物气相外延生长GaN薄膜的电子微结构研究

研究了金属有机化合物气相外延(MOVPE)方法在(0001)氧化铝基底上生长的GaN薄膜的微结构,目的在于解释GaN缓冲层在二步法生长过程中的作用及其对外延层晶体质量的影响.在缓冲层中观察到了高密度的结构缺陷,并发现了两种晶体结构(立方和六角)的GaN.进而对两种结构GaN的成因进行讨论,并对缓冲层和外延层中结构缺陷的关系进行了研究.     

外延生长条件对GaN形貌影响的研究

在Ga-HCl-NH3-Ar系统中,做了多种生长参量变化对GaN晶体形貌影响的规律实验。结果表明,在其它生长条件固定的情况下,HCl的流量在15.8～21ml/min的范围内时,GaN晶体表面的生长坑大小与深度随HCl流量的增加而增大,反之则减小。而当HCl流量小于15.8ml/min时,生长的GaN膜逐渐成为多坑与多晶状。当大于21ml/min时,GaN膜的表面则逐渐出现丘锥体及多晶。经霍耳测量,样片的电子迁移率平均在116cm2/V·s左右,最高的可达462cm2/V·s。在HCl流量15.8～21ml/min的范围内,能重复生长出理想的n-GaN。     

GaN外延层中的缺陷对光学性质的影响

用金属有机化合物气相外延（ＭＯＶＥＰ）方法生长具有不同表面形貌的非掺杂ＧａＮ，并对部分样品的外延层表面进行镜面加工．用阴极射线发光、光散射和拉曼散射方法观察ＧａＮ中深能级发光、缺陷散射光分布和拉曼散射光频移．结果表明，缺陷不但影响ＧａＮ的发光和光散射，而且影响拉曼频移     

在Al2O3衬底上GaN的APMOCVD生长

含氮Ⅱ一Ⅴ族化合物(包括GaN、AIN、InN和GaAIN)是直接带隙半导体材料,它们的禁带宽度可以从1.9eV到6.2eV,是目前最重要的蓝光半导体材料,不仅适合制作从可见光到紫外波段的光电器件,例如蓝光发光二极管、激光器和光电探侧器,而且可用于制作耐高温、大功率的电子器件.特别是利用APMOCVD技术在蓝宝石衬底上制备GaIV单晶膜取得突破性进展,并且制作了高亮度发光二极管后[1],Ⅱ-Ⅴ族含氮化合物半导体材料受到广泛重视.     

高温高压下氮化镓陶瓷体的制备

 在高温高压条件下，实验成功实现了氮化镓的烧结。首次将氨压应用到陶瓷体的烧结中，解决了GaN的分解、原料中残余的氧化物等问题，提高了烧结体的结晶度。研究了在氨压条件下温度对烧结致密度的影响。     

半导体材料的华丽家族—氮化镓基材料简介

GaN基氮化物材料已成功地用于制备蓝,绿,紫外光发光器件,日光盲紫外探测器以及高温,大功率微波电子器件,由于该材料具有大的禁带宽度,高的压电和热电系数,它们还有很强的其他应用潜力,诸如做非挥发存储器以及利用压电和热效应的电子器件等,在20世纪80年代末和90年代初,在GaN基氮化物材料的生长工艺上的突破引发了90年代GaN基器件,特别是光电子和高温,大功率微波器件方面的迅猛发展,文章评述了GaN基氮化物的材料特性,生长技术和相关器件应用。     

GaN:Zn发光的显微观察

利用扫描电子显微镜(SEM)观察了气相外延GaN:Zn晶片的表面形貌、Zn浓度分布和阴极射线发光微区光谱及其MIS结构的电致发光微区光谱。研究表明,Zn杂质掺入GaN可以形成四种能量位置的发光中心;它们的形成与Zn浓度和晶体的微区结构有关;二者的不均匀决定了发光的不均匀性。     

GaAs(001)衬底上分子束外延生长立方和六方GaN薄膜

采用分子束外延方法在GaAs(001)衬底上生长出了03微米厚的GaN薄膜,X射线双晶衍射和室温光荧光测试结果表明,采用GaAs氮化表面作为成核层可获得高纯度立方GaN薄膜而采用AlAs氮化表面作为成核层可获得高纯度六方GaN薄膜.这一研究结果表明在GaAs衬底上生长GaN薄膜的相结构可以通过选择不同的成核层来控制. 关键词：     

高质量氮化镓材料的光致发光研究

利用氨气源分子束外延（GSMBE）技术,在改型Ⅳ型分子束外延设备上生长高质量GaN单晶外延材料,并对样品进行了光致发光测量。分析室温和低温光致发光谱,系统地研究GaN的发光峰及其起源,并对常见的黄色发光带现象及其微结构起因进行探讨。