应变SiGe p 型金属氧化物半导体场效应管栅电容特性研究

由于台阶的出现, 应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应管 (pMOSFET) 的栅电容特性与体Si器件的相比呈现出很大的不同, 且受沟道掺杂的影响严重. 本文在研究应变SiGe pMOSFET器件的工作机理及其栅电容C-V 特性中台阶形成机理的基础上, 通过求解器件不同工作状态下的电荷分布, 建立了应变SiGe pMOSFET栅电容模型, 探讨了沟道掺杂浓度对台阶的影响. 与实验数据的对比结果表明, 所建立模型能准确反映应变SiGe pMOSFET器件的栅电容特性, 验证了模型的正确性. 该理论为Si基应变金属氧化物半导体(MOS)器件的设计制造提供了重要的指导作用, 并已成功应用于Si基应变器件模型参数提取软件中, 为Si基应变MOS的仿真奠定了理论基础. 关键词： 应变SiGe pMOSFET 栅电容特性 台阶效应 沟道掺杂     

质子和1MeV中子在硅中能量沉积的模拟计算

在现有中子截面数据和粒子与物质相互作用的理论基础上,编写了计算中子非电离能量损失(NIEL)和电离能量损失(IEL)程序,利用该程序和引进的TRIM95程序计算了1MeV中子和质子在硅中IEL和NIEL的大小和分布等,并对计算结果进行了分析和比较.     

4H-SiC晶体中Vsi本征缺陷研究

采用平面波展开和第一原理赝势法对4H-SiC理想晶体及与Vsi有关的电中性微观本征缺陷(Vsi、Vc-Vsi 、Vc-C、Vsi-Si)的超晶胞进行计算.结果发现:0 K且忽略原子驰豫时,电中性本征缺陷VC-C和Vsi的形成能相差为4.472eV,在此基础上分析了亚稳定型本征缺陷Vsi向稳定型本征缺陷Vc-C转化的理论依据及转化方式,首先发生转移的是h晶格位置上的Si原子,与非故意掺杂4H-SiC外延材料在氙光激励作用下的ESR结果吻合较好.     

SiC表面C 1s谱最优拟合参数的研究

提出了一种新的,用未限定拟合峰位置、半高宽和峰面积的X射线光电子谱拟合方法,研究了拟合峰的数目、函数类型及背景对SiC表面C 1s谱拟合结果的影响,并与样品表面宽扫描X射线光电子谱和红外掠反射吸收谱相对照,确定了SiC表面C 1s谱的最优拟合参数,获得了与文献中数值相同的 C 1s束缚能. 为SiC及其他材料表面元素窄扫描X射线光电子谱的拟合和化学态结构的鉴定奠定了基础. 关键词： SiC X射线光电子谱 C 1s谱     

Temperature-Dependent Effect of Near-Interface Traps on SiC MOS Capacitance

A two-dimensional electrical SiC MOS interface model including interface and near-interface traps is established based on the relevant tunneling and interface Shockley–Read–Hall model. The consistency between simulation results and measured data in the different temperatures shows that this interface model can accurately describe the capture and emission performance for near-interface oxide traps, and can well explain the hysteresis-voltage response with increasing temperature, which is intensified by the interaction between deep oxide traps and shallow oxide traps. This also indicates that the near-interface traps result in an increase of threshold-voltage shift in SiC MOSFET with increasing temperature.     

Comparison of the formation process and properties of epitaxial graphenes on Si- and C-face 6Hben SiC substrates

In this paper, the epitaxial graphene layers grown on Si- and C-face 6H-SiC substrates are investigated under a low pressure of 400 Pa at 1600 ℃. By using atomic force microscopy and Raman spectroscopy, we find that there are distinct differences in the formation and the properties between the epitaxial graphene layers grown on the Si-face and the C-face substrates, including the hydrogen etching process, the stacking type, and the number of layers. Hopefully, our results will be useful for improving the quality of the epitaxial graphene on SiC substrate.     

基于2-（2’-吡啶基）苯并咪唑的Znn比例计量型荧光识别

本文以荧光分子2-（2’-吡啶基）苯并咪唑（2．PBI）作为1,1’-联（2-芳杂环）类化合物模型,研究利用其2,2＇-N原子螫合Zn2＋诱导芳环共面化和荧光发射红移实现Zn：＋比例计量检测的可行性。2-PBI在不同体系中的Zn2＋荧光响应行为表明Zn2＋结合将导致最大发射波长明显红移（乙腈36nm;HEPES缓冲液39nm）,具有比例计量型Zn2＋荧光探针的基本特点。2-PBI还具有显著的Zn2＋荧光响应选择性,可以同时作为构建比例计量型探针的信号团和受体的基本骨架。通过对2-BPI的荧光机制和Zn2＋识别行为的分析,提出r以2-PBI为基本骨架构建实用化比例计量型探针的途径。     

带扰流柱多出口复杂冷却通道的流动显示与数值模拟计算

一、引言 在高温涡轮叶片尾部的冷却结构中,最有效的方法就是利用冷却空气通过带扰流柱的弦向通道对尾部进行直接强化冷却.由于该通道具有带扰流柱和多出口的特点,使得这种冷却通道的流动与换热问题的研究十分复杂,除了文献[1,2]外,迄今还没有有关的研究报告发表.在文献[1,2]中介绍了放大5倍模拟实验件的流量分配实验和换热实验结果.这些研究表明通道内的扰流柱对空气的换热有很大的增强,沿叶高的