SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压

SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压不同于传统的MOSFET的阈值电压.在深入分析工作机理的基础上,利用二维模拟软件ISE提取并分析了器件的阈值电压.对SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压给出物理描述,得出当源极载流子主要以场发射方式进入沟道,同时沟道进入强反型状态,此时的栅电压是该器件的阈值电压. 关键词： 碳化硅 肖特基接触 阈值电压     

SiC功率金属-半导体场效应管的陷阱效应模型

针对4H-SiC射频大功率MESFET，建立了一个解析的陷阱效应模型，该模型采用简化参数描述方法，并结合自热效应分析，从理论上完善了SiC MESFET大信号直流I-V特性的解析模型，且避免了数值方法模拟陷阱效应的巨大计算量. 关键词： 碳化硅 陷阱效应 金属-半导体场效应晶体管 深能级陷阱 界面态     

6H-SiC pn结紫外光探测器的模拟与分析

运用器件模拟软件模拟了pn结6H-SiC紫外光探测器的光响应灵敏度特性.讨论了不同掺杂浓度、不同器件结深对响应灵敏度的影响.对于p+n结器件，当受光面为p+层，且厚度约为0.2μm、浓度约为9×10.18cm-3、n层浓度约为1×1 0.16cm-3时，器件有较大的响应灵敏度，R=167.2mA/W；当受光面为n+ 层 ，且厚度约为0.2μm、浓度约为9×10.18cm-3、p层浓度约为1×10.16cm-3时，器件有较大的响应灵敏度，R=183.5mA/W.通过比较可知，模型能较好地反应实际情况，与实验数据符合较好. 关键词： 6H-SiC 紫外光探测 吸收系数 光响应灵敏度     

6H-SiC肖特基源漏MOSFET的模拟仿真研究

给出了一种新型SiC MOSFET——6H-SiC肖特基源漏MOSFET.这种器件结构制备工艺简单，避 免了长期困扰常规SiC MOSFET的离子注入工艺难度大、退火温度高、晶格损伤大，注入激活 率低等问题.分析了该器件的电流输运机理，并通过MEDICI模拟，给出了SiC肖特基源漏MOSF ET伏安特性以及其和金属功函数、栅氧化层厚度和栅长关系. 关键词： 碳化硅 肖特基接触 MOSFET 势垒高度     

Consecutive Reaction of Bis[2,2,2-trifluoroethyl]phosphite.Onepot Synthesis of Substituted 3-Cyano-β,γ-unsaturated Nitriles with Exclusive or Predominant E-Selectivity

The consecutive reaction of bis [2, 2, 2-trifluoroethyl] phosphiteand its application to the one-pot synthesis of 3-cyano-β, γ-un-saturated nitriles with exclusive or predominant E-selectivity(E: Z=100--85:0--15) and excellent yields (94%--99%) aredescribed.     

3C-SiC体特性的Monte Carlo模型

采用Monte Carlo方法模拟了3C-SiC材料中电子的静态输运特性．在细致分析材料的能带结构和主要散射机构，建立了适于统计模拟的物理模型的基础上，采用自洽的SPMC方法进行模拟，得出了电子迁移率随温度、电子平均漂移速度随电场的变化规律，及电子的能量和动量弛豫时间随温度和电场的变化规律．所得结果与实验符合较好． 关键词：     

三角冷却通道尖角区的换热研究

三角冷却通道可以作成不同角度尖角区深入高温部件的突出部份进行有效冷却,因此在工程上应用很广.尖角区换热系数远较圆管为低,如果误用圆管传热公式来计算尖角区壁温,就会导致该区冷却不足和温度过高,引起部件寿命降低甚至很快损坏。因此获得不同角度尖角区的换热公式具有重要意义。     

A new physics-based self-heating effect model for 4H-SiC MESFETs

A new self-heating effect model for 4H-SiC MESFETs is proposed based on a combination of an analytical and a computer aided design (CAD) oriented drain current model. The circuit oriented expressions of 4H-SiC low-field electron mobility and in-complete ionization rate, which are related to temperature, are presented in this model, which are used to estimate the self-heating effect of 4H-SiC MESFETs. The verification of the present model is made, and the good agreement between simulated results and measured data of DC I-V curves with the self-heating effect is obtained.     

对“实验探究型”课堂教学模式的研究

中专教育是培养与21世纪我国现代化建设需求相适应的,具有全面综合素质的专业技术人才,传统的教育模式在某些方面不利于学生创性思维的充分发展,使学生的学习和思维方式受到一定的限制.因此,我们必须加强素质教育,在学校接受课本中的间接经验的过程中,还必须学会获取知识的途径     

苯基稀土氯化物的合成及其表征

1970年,Hart等首先合成了Sc(C_6H_5)_3、Y(C_6H_5)_3、LiLa(C_6H_5)_4和LiPr(C_6H_5)_4。1972年,Cotton等测定了[Lu(2,6-(CH_3)_2C_6H_3)_4]·[Li·4THF]的晶体结构。1986年,陈文启等人合成了Nd(C_6H_5)_3,Gd(C_6H_5)_3和LiNd(C_6H_5)_4。本文首次合成了苯基稀土氯化物C_6H_5LnCl_2·nTHF(Ln=Pr,Sm,Gd,n=3,4);C_6H_5LnCl_2·LiCl·nTHF(Ln=Pr、Nd、Sm、Gd,n=2、3、5);(C_6H_5)_2GdCl·LiCl·2THF;[(C_6H_5)_2NdCl]_2·LiCl·4THF。测定了C_6H_5GdCl_2·4THF的晶体结构。