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151.
建立了自来水中6种氯代多环芳烃和15种多环芳烃的凝固漂浮有机液滴-分散液液微萃取高效液相色谱分析方法,并探讨了萃取剂种类和用量、分散剂种类和用量、氯化钠含量及涡旋振荡时间等因素对萃取效率的影响。优化后的萃取实验条件为:10μL十二醇为萃取溶剂,500μL甲醇为分散溶剂,6%NaCl,涡旋振荡时间2 min。目标化合物经多环芳烃专用柱(SUPELCOSILTMLC-PAH,150 mm×4.6 mm,5μm)分离后,外标法定量。结果表明,21种目标化合物在一定质量浓度范围内线性良好,相关系数均不低于0.999;在低、中、高3个加标水平下的回收率为70.6%~98.7%,相对标准偏差(RSD)为2.0%~10%;方法的检出限(LOD,S/N=3)为0.000 7~0.009μg/L,定量下限(LOQ,S/N=10)为0.002 2~0.028μg/L。可用于自来水中氯代多环芳烃和多环芳烃的分析检测。 相似文献
152.
WU Feng-Min LU Hang-Jun FANG Yun-Zhang HUANG Shi-Hua 《理论物理通讯》2008,50(7):231-236
A realistic kinetic Monte Carlo (KMC) simulation model with physical parameters is developed, which well reproduces the heteroepitaxial growth of multilayered Ni thin film on Cu(100) surfaces at room temperature. The effects of mass transport between interlayers and edge diffusion of atoms along the islands are included in the simulation model, and the surface roughness and the layer distribution versus total coverage are calculated. Speeially, the simulation model reveals the transition of growth mode with coverage and the difference between the Ni heteroepitaxy on Cu(100) and the Ni homoepitaxy on Ni(100). Through comparison of KMC simulation with the real scanning tunneling microscopy (STM) experiments, the Ehrlich-Schwoebel (ES) barrier Ees is estimated to be 0.18±0.02 eV for Ni/Cu(100) system while 0.28 eV for Ni/Ni(100). The simulation also shows that the growth mode depends strongly on the thickness of thin film and the surface temperature, and the critical thickness of growth mode transition is dependent on the growth condition such as surface temperature and deposition flux as well. 相似文献
153.
Properties of Strain Compensated Symmetrical Triangular Quantum Wells Composed of InGaAs/InAs Chirped Superlattice Grown Using Gas Source Molecular Beam Epitaxy 下载免费PDF全文
We investigate the properties of symmetrical triangular quantum wells composed of InGaAs/InAs chirped superlattice, which is grown by gas source molecular beam epitaxy via digital alloy method. In the quantum well structure tensile AlInGaAs are used as barriers to partially compensate for the significant compressive strain in the wells, the strain compensation effects are confirmed by x-ray measurement. The photoluminescence spectra of the sample are dominated by the excitonic recombination peak in the whole temperature range. The thermal quenching, peak energy shift and line-width broadening of the PL spectra are analysed in detail, the mechanisms are discussed. 相似文献
154.
155.
利用倾斜衬底沉积法在无织构的金属衬底上生长了MgO双轴织构的模板层,在这一模板层上实现了YBa2Cu3O7-x薄膜的外延生长.在外延YBa2Cu3O7-x薄膜前,依次沉积了钇稳定的立方氧化锆和CeO2作为缓冲层.利用X射线衍射2θ扫描、扫描、Ω扫描和极图分析测定了这些膜的结构和双轴织
关键词:
2Cu3O7-x镀膜导体')" href="#">YBa2Cu3O7-x镀膜导体
2缓冲层')" href="#">CeO2缓冲层
厚度依赖性
外延生长 相似文献
156.
对传统的耗散粒子动力学方法进行了改进.改进的耗散粒子动力学方法采用了包含远程吸引力和近距排斥力的保守力势函数,从而使得用耗散粒子动力学方法模拟多相流动成为可能.应用改进的耗散粒子动力学方法,对微尺度下液滴的形成及液滴在微重力下的大幅度振荡变形进行了数值模拟.计算结果表明,改进的耗散粒子动力学(DPD)方法能够有效地描述微尺度下液滴的动力学特性,对研究复杂流体多相流动有着重要的意义.
关键词:
多相流
微液滴
耗散粒子动力学(DPD)方法
保守力势函数 相似文献
157.
158.
利用水平式低压热壁CVD (LP-HW-CVD) 生长系统,台阶控制生长和衬底旋转等优化技术,在偏晶向的4H-SiC Si(0001) 晶面衬底上进行4H-SiC同质外延生长,生长温度和压力分别为1550℃和104 Pa,用高纯N2作为n型掺杂剂的4H-SiC原位掺杂技术,生长速率控制在5μm/h左右.采用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM),傅里叶变换红外光谱(FTIR)和Hg/4H-SiC肖特基结构对同质外延表面形貌、厚度、掺杂浓度以及均匀性进行了测试.实验结果表明,4H-SiC同质外延在表面无明显缺陷,厚度均匀性1.74%, 1.99% 和1.32%(σ/mean),掺杂浓度均匀性为3.37%,2.39%和2.01%.同种工艺条件下,样品间的厚度和掺杂浓度误差为1.54%和3.63%,有很好的工艺可靠性.
关键词:
4H-SiC
同质外延生长
水平热壁CVD
均匀性 相似文献
159.
研究了蓝宝石(1102)基片在不同温度和时间下退火时表面形貌和表面相结构的变化,以及它对CeO2缓冲层和T1-2212超导薄膜生长的影响.原子力显微镜(AFM)研究表明,在流动氧环境中1000℃温度下退火,蓝宝石(1102)的表面首先局部区域形成台阶结构,然后表面形成叠层台阶结构,随着退火时间的延长.表面发生了台阶合并现象,表面形貌最终演化为稳定的具有光滑平台的宽台阶结构.XRD测试表明,通过高温热处理可以大幅度提高蓝宝石基片表面结构的完整性.在1000℃温度下热处理20 h的蓝宝石(1102)基片上可以生长出具有面内取向的CeO2(001)缓冲层.在具有缓冲层的蓝宝石基片上可以制作出高质量c轴织构的外延11-2212超导薄膜,其临界转变温度(Tc)为104.7 K,液氮温度下临界电流密度(Jc)达到3.5 MA/cm2,微波表面电阻R(77 K,10 GHz)约为390μΩ. 相似文献
160.
利用金属有机气相外延方法研究了非故意掺杂GaN薄膜的方块电阻与高温GaN体材料生长时载气中N2比例的关系.研究发现,随着载气中N2比例的增加,GaN薄膜方块电阻急剧增加.当载气中N2比例为50%时,GaN薄膜方块电阻达1.1×108Ω/□,且GaN表面平整,均方根粗糙度为0.233nm.二次离子质谱分析发现,载气中N2比例不同的样品中碳、氧杂质含量无明显差别.随着载气中N2比
关键词:
半绝缘GaN薄膜
载气
金属有机气相外延
位错 相似文献