模糊错误逻辑事物毁灭转化联结词研究

给出模糊错误逻辑事物毁灭转化联结词所涉及的概念、运算及其模糊错误逻辑事物毁灭转化联结词与外延联结词否定,∧合取,∨析取,∨bxr不相容析取,→实质蕴涵等和对模糊错误逻辑事物毁灭转化联结词与内涵联结词∧n内涵合取词,∨n内涵析取,—n内涵差取,/nf l内涵分离,/nf h内涵分化,∥nhb内涵互补,∥-nhd l内涵对立等的关系作了一点研究。     

一种基于介质上电润湿效应的免疫检测芯片研究

利用微机械加工技术,在ITO玻璃上设计制作了基于介质上电润湿效应的以离散液滴为对象的免疫检测芯片,对芯片的液滴驱动特性、免疫反应参数进行了测试,并对小鼠IgG和羊抗鼠IgG-HRP进行了初步的免疫测试.研究结果表明,在电压<100 V的时候,接触角测量值基本上和预测曲线吻合,在>100 V的情况下出现了接触角饱和现象,在芯片上实现了液滴操纵,120 V时得到最大平均速度为3.75 mm/s;该芯片可以实现免疫反应检测,所需样品体积为0.5 μL,检测时间约为20 min,对于羊抗鼠IgG-HRP实验系统的检测范围为0.1～20 mg/L.     

完全膜沸腾表面汽化率的测量及数值分析

通过在高温铜板表面上滴加酒精可产生稳定的完全膜沸腾现象.测量了液滴体积与完全汽化时间曲线,得出完全膜沸腾时,下表面的蒸发占体积减少的主要部分,并通过建立数学模型确定了下表面蒸汽膜处的蒸发速率.     

Epitaxial Growth of Graphene on 6H-SiC （0001） by Thermal Annealing

An epitaxial graphene （EG） layer is successfully grown on a Si-terminated 6H-SiC （（9001） substrate by the method of thermal annealing in an ultrahigh vacuum molecular beam epitaxy chamber. The structure and morphology of the EG sample are characterized by reflection high energy diffraction （RHEED）, Raman spectroscopy and atomic force microscopy （AFM）. Graphene diffraction streaks can are clearly observed in the Raman spectrum. The AFM about 4-10 layers. be seen in RHEED. The G and 2D peaks of graphene results show that the graphene nominal thickness is     

铁电钾钠铌酸锶钡薄膜电光性能的研究

采用溶胶-凝胶法在氧化镁单晶衬底上制备了符合化学计量比的完全填充型铁电钾钠铌酸锶钡(KNSBN)薄膜，通过X射线衍射，摇摆曲线，X射线Φ扫描，扫描电子显微镜等方法研究了薄膜的微结构，采用Adachi法研究了薄膜的电光特性. 实验发现，KNSBN薄膜在氧化镁(001)单晶衬底上沿c轴外延生长，K⁺，Na⁺的引入有效地提高了薄膜的横向电光系数r₅₁. 成分为K_0.2Na_0.2Sr_0.24Ba_0.56Nb₂O₆, K_0.2Na_0.2Sr_0.6Ba_0.2Nb₂O₆, K_0.2Na_0.2Sr_0.72Ba_0.08Nb₂O₆的三种KNSBN薄膜的r₅₁值分别为108.52pm/V, 119.98pm/V, 126.96pm/V，r₅₁的数值随Sr²⁺含量增加而增大. 关键词： 横向电光系数 钾钠铌酸锶钡 外延生长     

带间级联激光器电子注入区优化研究(特邀)EI北大核心CSCD

带间级联激光器有源区内部的物理机制复杂,尚未得到充分研究。优化了电子注入区结构,通过减小InAs/AlSb啁啾超晶格中InAs量子阱的厚度促进电子向光增益区的注入,在较低的电子注入区掺杂浓度下满足了光增益区电子数和空穴数基本相等的注入平衡条件,降低了有源区中自由载流子吸收和杂质散射造成的光损耗。采用该有源区结构的带间级联激光器实现了较好的室温激射性能,腔长4 mm、脊宽20μm且腔面未镀膜器件的阈值电流为200 mA,单腔面出光功率为55 mW。通过分析2~5 mm不同腔长器件的电压-电流-光功率性能,得到器件的波导损耗仅为3 cm^(-1),有源区载流子寿命为0.7 ns。     

生长温度和表面增原子对外延薄膜中失配位错形成的影响

用分子动力学方法模拟了三维外延铝薄膜晶体中温度和表面增原子对失配位错形成的影响,采用的原子间相互作用势是嵌入原子法(EAM)多体势.模拟再现了薄膜中位错形成过程,结果分析表明:较高的温度和表面增原子团存在对薄膜中失配位错形成都有促进或诱发作用;模拟中观察到两种不同的位错形核过程:一种是经历多余半原子面挤出过程而直接得到一个全位错,另一种是先形成由两个部分位错夹着一片层错的扩展位错,之后才得到全位错,这两个位错的伯格斯矢量都是与失配方向平行的刃型位错.     

高能电子衍射研究H钝化偏角Si衬底上Si,GexSi1-x的分子束外延生长模式

用高能电子衍射(RHEED)研究H钝化偏角Si衬底上Si,Ge_xSi_1-x材料的分子束外延(MBE)生长模式,发现经低温处理的H钝化Si衬底上要经过10nm左右的Si生长才能获得比较平整的表面.Si,Ge_xSi_1-x外延时的稳定表面均以双原子台阶为主,双原子台阶与单原子台阶并存的结构.Si双原子台阶上的Si二聚体列(dimerrow)取向垂直于台阶边缘,而Ge_xSi_1-x双原 关键词：     

原子表面扩散的对称破缺对二维岛形成的控制

文章阐述了当CO吸附改变时Pt/Pt(111)同质外延单层岛的的微观选择机制，即岛的取向由沉积原子的边－角扩散运动的不对称性惟一决定，对没有CO介入的理想真空生长情况，衬底温度不能改变三角形岛的取向。CO的吸附反转了边－角扩散牟不对称性，从而使岛的取向发生变化。