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1.
基于中美合作项目INDEPTH第3期在青藏高原布设的台站,使用虚拟震源测深法研究青藏高原中部的地壳厚度。结果显示,拉萨地体和羌塘地体的地壳结构存在巨大差异。拉萨地体的地壳厚度大约为57 km,与艾里均衡说预测的地壳厚度基本一致,说明拉萨地体的地壳结构比较简单。羌塘地体的地壳厚度为60~75 km,向北有增厚趋势,明显较艾里均衡说预测的地壳厚,说明羌塘地体地壳结构比较复杂,原因有可能是羌塘地体下存在高温流体和低速带,或者与印度板块岩石圈在班公湖-怒江缝合带以北向下俯冲有关。  相似文献   
2.
A GaN interlayer between low temperature (LT) A1N and high temperature (PIT) A1N is introduced to combine HT AIN, LT A1N and composition-graded A1GaN as a novel buffer layer for GaN films grown on Si (111) substrates. The crystal quality, surface morphology and strain state of the GaN film with this new buffer are compared with those of GaN grown on a conventional buffer structure. By changing the thickness of LT A1N, the crystal quality is optimized and the crack-free GaN film is obtained. The in-plane strain in the GaN film can be changed from tensile to compressive strain with the increase in LT A1N thickness.  相似文献   
3.
结合Williamson-Hall plot方法和线型分析方法的优点,提出了一种有效分离有限晶粒尺寸和非均匀应力等X射线衍射展宽效应的方法,可以用于GaN外延层厚度等参数的快速精确测量.用该方法对一系列在蓝宝石衬底上生长的厚度在0.7—4.2μm的GaN外延膜进行了测量,并与椭圆偏振光谱法测量结果进行了比较,结果表明其差别<4%,反应了这种方法的准确性. 关键词: GaN薄膜 厚度测量 X射线衍射  相似文献   
4.
采用量子化学计算研究了磷酰化氨基酸的反应性质,包括N-磷酰氨基酸成肽反应、成酯反应、磷上酯交换反应和磷上的N→O迁移反应的机理以及计算模型和计算方法的选择,并从理论上解释了自然界选择α-氨基酸而不是β,γ-氨基酸的实验事实.  相似文献   
5.
利用金属有机气相外延方法研究了非故意掺杂GaN薄膜的方块电阻与高温GaN体材料生长时载气中N2比例的关系.研究发现,随着载气中N2比例的增加,GaN薄膜方块电阻急剧增加.当载气中N2比例为50%时,GaN薄膜方块电阻达1.1×108Ω/□,且GaN表面平整,均方根粗糙度为0.233nm.二次离子质谱分析发现,载气中N2比例不同的样品中碳、氧杂质含量无明显差别.随着载气中N2关键词: 半绝缘GaN薄膜 载气 金属有机气相外延 位错  相似文献   
6.
基于有孔探针SNOM的近场拉曼光谱和成像技术的出现使得拉曼光谱的分辨率突破了光学衍射极限,从而提供了一个有力的工具对样品亚波长尺度之下的化学信息进行表征。文章讨论了探针性质对实现近场拉曼光谱的影响,并全面地介绍了有孔探针近场拉曼光谱发展十余年来在纳米尺度化学分辨成像、液-液界面性质研究、微观层面解释SERS增强机理、图像化反映SERS热点分布等诸多领域的研究进展。  相似文献   
7.
Absorption coefficient is a physical parameter to describe electromagnetic energy absorption of materials, which is closely related to solar cells and photodetectors. We grow a series of positive-intrinsic-negative(PIN) structures on silicon wafer by a gas source molecule beam epitaxy system and the investigate the absorption coefficient through the photovoltaic processes in detail. It is found that the absorption coefficient is enhanced by one order and can be tuned greatly through the thickness of the intrinsic layer in the PIN structure, which is also demonstrated by the 730-nm-wavelength laser irradiation. These results cannot be explained by the traditional absorption theory.We speculate that there could be some uncovered mechanism in this system, which will inspire us to understand the absorption process further.  相似文献   
8.
江洋  罗毅  汪莱  李洪涛  席光义  赵维  韩彦军 《物理学报》2009,58(5):3468-3473
在柱状图形蓝宝石衬底(PSS-p)和孔状图形蓝宝石衬底(PSS-h)上外延了GaN体材料和LED结构并进行了详细对比和分析.X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)测试结果表明,PSS-h上体材料的晶体质量和表面形貌都优于PSS-p上体材料的特性,通过断面扫面电子显微镜(SEM)照片看出PSS-h上GaN的侧向生长是导致这种差异的原因.另外,基于PSS-p和PSS-h上外延的LED材料制作而成的器件结果表明,其20?mA下光功率水平相比普通蓝宝石衬底(CSS)分别提高了46%和33%.通过变温光荧光 关键词: 蓝宝石图形衬底 氮化镓 发光二极管 侧向生长  相似文献   
9.
江洋  罗毅  席光义  汪莱  李洪涛  赵维  韩彦军 《物理学报》2009,58(10):7282-7287
研究了具有不同台阶数目的AlGaN插入层对在6H-SiC衬底上利用金属有机物气相外延(MOVPE)生长的GaN体材料残余应力和表面形貌的影响.高分辨率X射线衍射测试表明样品的c轴晶格常数随台阶数目的增多而增大;低温光荧光谱中GaN发光峰也随着台阶数目增多而发生蓝移,这些变化都反映出GaN中残余张应力的减小.此外,原子力显微镜测试表明样品表面起伏和粗糙度也都随着插入层的引入和台阶数目的增多得到了明显的改善. 关键词: 残余应力 表面形貌 SiC衬底 AlGaN插入层  相似文献   
10.
利用金属有机气相外延方法研究了非故意掺杂GaN薄膜的方块电阻与高温GaN体材料生长时载气中N2比例的关系.研究发现,随着载气中N2比例的增加,GaN薄膜方块电阻急剧增加.当载气中N2比例为50%时,GaN薄膜方块电阻达1.1×108Ω/□,且GaN表面平整,均方根粗糙度为0.233 nm.二次离子质谱分析发现,载气中N2比例不同的样品中碳、氧杂质含量无明显差别.随着载气中N2比例的增加,GaN材料中螺型位错相关缺陷密度无明显变化,而刃型位错相关缺陷密度明显增加.结果表明,刃型位错的受主补偿作用是导致GaN薄膜方块电阻变化的主要原因.  相似文献   
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